CdSe/TiO2纳米管阵列同轴异质结制备及其光电特性研究

研究了TiO2纳米管阵列衬底上镉和硒的欠电位沉积电化学行为。结合欠电位沉积技术和共沉积技术,优选出合适的沉积电位,以此为依据在高度规整有序的TiO2纳米管管壁上外延生长窄带隙化合物半导体CdSe。FESEM、XRD、EDAX、TEM表征结果综合表明,已成功地在纳米管外壁制备出具有准化学计量比的CdSe外延层,获得了CdSe/TiO2纳米管阵列同轴异质结结构。对制备的CdSe/TiO2/Ti样品进行了光电性能测试,结果表明当沉积时间为7h时制备得到的样品光电效率最高。同时对比研究了不同退火气氛对于样品光活性的影响,表明在氮气中退火能在TiO2晶格中引入N,有利于光敏性的提高,但是提高幅度随着CdSe沉积时间增大而下降。     

智能光电传感器的特性及应用

简要介绍光电传感器增加的智能特性，同时介绍两个应用实例。     

CuO-ZnO异质结气体传感器的敏感性能

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发光及显示器件光电特性测试系统设计

为了提高发光及显示器件光电特性测量实验的智能化程度,减小人为误差,并考虑工作温度对其光电特性的影响,设计了一种能够自动、同步测量发光体亮度、温度、伏安特性和寿命的系统。系统主要由LS-110型亮度计、GPD-3303型电源、自制的温度测量模块及测量软件四部分组成。基于实验室虚拟仪器工程平台,利用亮度计对器件的亮度进行测量,利用单片机和温度传感器对器件的温度进行测量,通过上位机程序控制电源步进输出、读取实际输出电流值和电压值,并将采集到的数据发送到上位机,实时绘制出了亮度-电压、电流-电压、温度-电压、亮度-温度、电流-温度、亮度-电流特性曲线。系统目前可以同时对器件的亮度、温度和伏安特性进行自动测量和直观显示,并且具备自动保存数据和图像的功能,实现了发光及显示器件光电特性测量的智能化,具有综合性强、精确度及自动化程度高、操作简易等特点。     

Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展

由于高频大功率固态微波功率电子器件有明显的应用前景,在过去二十年氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)得到广泛研究,取得了一系列进展,并开始走向商业化.为了进一步提高器件性能,尤其是高工作频率和高电压下器件工作的可靠性,新材料、新工艺以及新器件被不断提出,其中基于InAlN材料的晶格匹配无应变异质结凭借优越材料性能成为新一代GaN基HEMT材料.本文结合在III族化合物半导体材料和器件领域的相关工作,对InAlN基异质结半导体材料生长进展做简要综述.在分析InAlN基异质结外延生长的基础上,对我们提出的脉冲式(表面反应增强)金属有机物化学气相淀积(MOCVD)外延InAlN/GaN异质结技术优势和外延材料结果进行了讨论.     

光电器件光谱特性测试仪

为了掌握光电器件的性能及合理选择使用,必须测试其光谱特性。本文即介绍了一种自动测试光谱特性的测试仪,其中包括测试原理、实施方案和各部件的工作情况。     

非晶硅光电导及其特性

<正> 本文简要论述氢化非晶硅(α-Si:H)的特性。描述了我们的研制系统。给出了实验结果及本征α-Si:H GD法生长光电导的最佳条件点。即在基底温度为265℃、射频源一定功     

CuO—ZnO异质结气体传感器的敏感性能

ＣｕＯ—ＺｎＯ异质结气体传感器是一种新型的气体传感器,它有成本低、工艺简单、检测方便等诸多优点。主要研究了ＣｕＯ和ＺｎＯ不同比例情况下,该传感器的气敏性能。测试了它的阻温特性,及在不同温度、不同气氛条件下的灵敏度和响应特性,并从理论上对测试结果进行了分析和讨论。     

石墨烯/铜异质结室温气体传感器性能研究

为了改善石墨烯室温气体传感器响应低、恢复性差等缺点,本文设计了一种石墨烯基气体传感器,其具有石墨烯叉指电极以及中央铜薄层沉积区结构.通过XPS分析发现,由于存在不同程度的自然氧化,铜薄层存在Cu0、Cu+、Cuδ+及Cu2+四种价态成分;且随着沉积厚度的变化,四种价态成分所占比例也发生变化.实验发现铜薄层沉积厚度为8n...     

硅光电二极管结构特性研究

为探讨光电二极管工作机理及其改进潜力,从一款常规光电二极管应用产品的设计入手,采用光敏区尺寸逐渐变大、呈规律性排列的硅光电二级管串联的结构,分析其特性与机理.在此基础上对同类产品进行优化,详细阐述新结构工艺原理与实现方式,分别从器件结构、工作原理、不同结构的优劣点等方面对比改进前后两种不同结构光电二极管的特性.从工艺参...     

合成CuO纳米线ZnO量子点的异质结形态控制

探索了不同的生长时间、生长温度、气体和水分条件对采用热蒸发法生长CuO纳米线在成型、长度、致密度和直径等方面的影响。简单分析了CuO纳米线的生长过程、生长机理,并进一步研究了在CuO上生长ZuO量子点。通过改变实验条件,研究在不同温度、分解时间、乙酸锌浓度对ZuO量子点外形的影响。研究发现,生长温度会在一定范围内影响CuO纳米带的直径和致密度,时间会影响纳米线的长度。此外,在不同条件下可生成不同形状的ZnO纳米颗粒。这些参数条件对量子点的成核、生长和迁移有着至关重要的影响。     

以太网物理层芯片光电特性测试研究

当前,以太网物理层芯片在诸多应用领域不可或缺,对以太网物理层芯片的功能性能要求也越来越高,因此,如何进行芯片功能性能方面的光电特性验证是亟待解决的问题。主要介绍了以太网物理层芯片验证的技术现状,提出符合以太网物理层芯片功能性能应用需求的光电特性测试方法,采用测试仪器（如示波器、逻辑分析仪、网络矢量分析仪等）和验证板卡对网络中物理接口的数据传输电特性和光特性进行测试,测试结果表明提出的测试方法达到了测试要求,满足了功能性能应用需求,进而提高了国产高可靠以太网物理层芯片验证的技术手段。     

基于SnO2/石墨烯异质结NO2气敏传感器

采用滴涂法和真空退火将纳米二氧化锡负载在单层石墨烯上,制备了SnO2/石墨烯异质结材料,进行拉曼光谱材料表征,研究了SnO2/石墨烯异质结对NO2的气敏特性。结果表明,SnO2/石墨烯异质结相对本征石墨烯在低NO2气体体积分数下灵敏度提升,解吸附时间短,NO2气体体积分数为10×10-6时,0.3mg/mlSnO2纳米溶液/石墨烯异质结传感器比单层石墨烯灵敏度提升近4倍,解吸附时间缩短近9倍。     

纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势补偿研究

采用CMOS工艺制作的纳米硅/单晶硅异质结MAGFET存在不等位电势VHO,不等位电势VHO随工作电压VDS绝对值增加而增大。通过在纳米硅/单晶硅异质结MAGFET栅极上外加偏置电压VGS,调整导电沟道等效电阻阻值进行不等位电势补偿。实验结果表明,当外加磁场B=0时,工作电压VDS恒定时,随栅极偏置电压VGS绝对值增加,纳米硅/单晶硅异质结MAGFET不等位电势VHO逐渐接近零位输出;采用栅极偏置电压进行不等位电势补偿较外加补偿电阻方法可以使磁传感器灵敏度得到提高,在工作电压VDS为-1.0 V时磁灵敏度约提高18%。     

p-n结光谱响应特性分析

<正> 本文以n~+—p浅结硅光电二极管为例,通过解连续方程用计算机对器件光谱响应特性进行分析,结果表明:表面复合速度、掺杂分布、结深是影响光谱响应的主要因素。报告中提出了计算公式,所有计算工作由微机完成。     

片上集成光电微能源工艺兼容性及器件特性研究

根据暂存式光电微能源系统组成器件的制备工艺特点,提出了基于SOI晶片的光电微能源片上集成方案。主要工艺包括绝缘沟槽刻蚀、离子注入、氧化等,具有较好的制备工艺兼容性。另外,根据片上集成方案,对器件特性进行了研究。结果表明,光伏电池的转换效率为9.7%,NMOS管阈值电压、漏极反向击穿电压VT分别为0.98 V和31.97 V,NPN三极管的电流放大倍数、集电极-发射极之间击穿电压约为83 V和12 V。各器件特性满足系统工作要求,集成方案具有较好的可行性。     

实测海杂波光电图像混沌特性研究

基于随机信号模型的光电图像海杂波抑制是目前海杂波背景下目标检测常用方法,检测性能不甚稳定。在分析混沌动力系统相空间重构的基础上,通过提取实际海杂波光电图像序列的关联维数和最大Lyapunov指数,检验海杂波是否具有混沌性。实验结果表明:海杂波光电图像序列具有有限的关联维数和正的最大Lyapunov指数,验证了海杂波光电图像序列的混沌特性。海杂波具有的混沌特性使得可采用短时间预测法抑制海杂波,为海杂波光电弱目标检测提供新的解决思路。     

Si／si1—xGex异质结双极晶体管的研究概述

本文介绍了 Si_(1-x)Ge_x 基区异质结双极晶体管(HBT)的特点;Si_(1-x)Ge_x 合金层的生长方法;两种 Si_(1-x)Ge_x 基区 npn 器件的结构和特性以及对 Si_(1-x)Ge_x 合金层质量估价和异质结特性的检测方法。     

光电传感器特性参数测试系统的设计

光电传感器的特性参数检测需要对多种参数进行测试(如相对位置的位移、转角、光电传感器的电流、电压等),针对不同参数关系之间的测试要求,需采用不同的测试方法。传统的测试方法需要根据被测参数手动连接电路实现模式的切换,且测试方法枯燥而冗长。通过设计基于PXI系统的自动测试系统,集成多种测试模式的测试软件,设置多种调整环节,实现光电对的各种相对位置下的多参数、多模式灵活测试。实验结果表明测试系统很好地满足光电传感器不同参数间的测试需求。     

半超结JBS反向恢复软度特性研究

为提高常见开关器件JBS二极管的软度特性,减小其自身电压尖峰、射频干扰和电磁干扰的发生,对JBS器件P+区结深进行优化调整,利用Silvaco软件对器件关断过程、反向恢复等影响进行仿真研究。在仿真中构建半超结JBS二极管结构模型,利用器件-电路混合仿真调用此结构模型并改变P⁺区结深参数,得到不同P+区结深的反向恢复特性曲线,并以此为依据分析半超结JBS二极管中P+区结深对反向恢复软度特性的影响。通过仿真研究,以半超结JBS二极管有效缓解传统JBS反向恢复时间长和超级结JBS二极管反向恢复硬度大的矛盾。