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通用可重编程逻辑阵列(GAL)是1985年问世的新器件,它具有可靠性高、保密性强、可电擦写、可重复编程以及输出逻辑结构可组态等特点,它可替代TTL/74HC组合逻辑电路、低密度门阵列及其它可编程逻辑芯片。通常一只GAL芯片可替代4 ̄12个中小规模集成芯片,这可使系统体积减小,成本降低,同时提高了系统的可靠性与稳定性。本文将介绍GAL芯片在扩频通信中的应用,并详细介绍用一片GAL16V8芯片实现的七 相似文献
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新型可编程器件GAL讲座──第三讲GAL器件应用之一军械工程学院(050003)杜恩祥,肖玉芳一、GAL器件在汽车拐弯信号灯控制系统的应用(一)功能分析汽车上有一转弯控制杆,此控制杆有三个位置:中间位置时,汽车不转弯2向上时。汽车左转;向下时,汽车右... 相似文献
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新型可编程器件GAL讲座──第五讲GAL器件应用之三军械工程学院(050003)杜恩祥,肖玉芳三、GAL器件在简易语音工用表中应用(一)功能说明普通三位半三用表要改装为简易的语音三用表,一般方法是将三周表内三位半A/D芯片的输出线信号经过一转换电路变... 相似文献
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吉长荣 《南京邮电学院学报(自然科学版)》1994,14(3):65-72
探讨了通用阵列逻辑(GAL)器件输出逻辑宏单元(OLMC)的配置和工作原理,还探讨了在编写源件时可能出现的错误及其原因,进而给出了输出逻辑宏单元的使用和管脚设定的规则。 相似文献
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新型可编程器件GAL讲座──第四讲GAL器件应用之二军械工程学院(050003)肖玉芳,杜恩祥二、智力竞赛格答辞(一)功能要求在进行智力竞赛抢答题比赛阶各参赛者考虑好后都想抢先答题,如果没有合适的设备,有时难以分清他们的先后,使主持人感到为难。下面介... 相似文献
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新型可编程器件GAL讲座第六讲GAL器件应用之四军械工程学院(050003)肖玉芳,杜恩祥四、图形发生器(一)功能要求图形发生器又叫波形发生器或序列信号发生器。它是在同步时钟作用下产生一组或多组一定脉冲顺序的逻辑电路。这种序列信号在通信、雷达等许多领... 相似文献
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EPLDXC7300系列简介福州高奇电子科技有限公司李东星,陈小牧福州大学无线电系林真以前市面上流行的通用逻辑器件及小规模PALG上L器件在很多产品的设计中将让位于大规模可编程器件,如BPLD刀PGA,美国XILINX公司是专业设计和生产EPLD,F... 相似文献
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本文对Lattice公司pLSI/ispLSI 1000系列高密度可编程逻辑器件和AMD公司MACH100/200系列PAL器件作了简要的比较。Lattice公司和AMD公司都是可编程逻辑器件的重要生产厂家,本文对Lattice的代表产品pLSI/ispLSI1000系列高密度可编程逻辑器件和AMD公司的代表产品MACH100/200系列,PAL在以下几个方面进行了比较:(1)逻辑块的尺寸;(2) 相似文献
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MOTOLORA无绳电话综合集成芯片──MC13109沈彤,郭京申,吕建铭,王森一、概述MC13109是美国MOTOROLA公司综台性无绳集成芯片新系列之中的一个型号,采用先进的BIOMOS工艺设计的。它内部包括:1.两次变频的调频接收器;2.可编程... 相似文献
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近年来,随着集成电路技术的飞速发展,出现了一种用户可定义其逻辑功能的器件-可编逻辑器件,简称PLD器件。其发展经历了PROM、FPAL、PAL、GAL,直至现在广泛应用的大规模PLD器件EPLD、CPLD及目前最流行的可编程逻辑门阵列FPGA。本文详细介绍了美国受特梅尔公司的EPLD-ATV2500H/L的内部结构和功能特点。读者只要再学会TANGO-PLD、ABEL、CUPL等语言中的一种,便能 相似文献
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本文重点论述GaAs IC CAD方法,包括:精确的GaAs MEsFET、HEMT和HBT等有源器件模型;大、小信号模型参数提取;噪声模型;成品优化;高频、高速微带传输线模型;电路模拟与优化;砷化镓门阵等。还评述了GaAs IC CAD集成软件包及进一步工作。 相似文献
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探讨了对可编程器件FPGA、CPLD编程时的编程优化问题。主要阐述了VHDL语言描述硬件逻辑时,不同描述方法对 ASIC逻辑综合结果的不同影响;同时针对 CPLD和 FPGA二者在结构上的差别,给出可编程ASIC实现时的约束项的优化。 相似文献
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本文利用GAL器件的可编程性和可加密性原理,论述了对存于EPROM中的数据或程序进行硬件加密的两种方法,并根据其方法给出了应用例子和编程软件。 相似文献
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分布反馈式半导体激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件的理论分析 总被引:1,自引:1,他引:0
本文通过计算比较了分别采用普通折射率耦合型(IC)、λ/4相移折射率耦合型(QWS)及增益耦合型(GC)DFB激光器作为光源部分的激光器/调制器光子集成器件的单模选择能力、调制频移及单端光输出功率等特性,在该类型集成器件的特性分析中考虑了端面反射率任意相位的影响并对此进行了统计分析.GC型器件的调制频移特性与IC及QWS型器件基本相同,而GC型器件的单模选择能力比IC和QWS型器件高得多,特别在HR-AR镀膜情况下,单端光输出效率大为提高,且考虑到GC型器件无需在光栅制作中引入相移带来的制作工艺上的简化 相似文献