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三端PbTiO_3陶瓷谐振器 总被引:1,自引:0,他引:1
以低泊松比PbTiO_3陶瓷为主要原料,通过合理的结构设计,已研制出一种陶瓷谐振器。该谐振器可有效地消除寄生信号,在几兆到几十兆赫的高频范围内,具有良好的谐振特性和温度特性。 相似文献
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高温PTC陶瓷中铅对T_C移动效果的实验 总被引:5,自引:0,他引:5
在制备高温PTC陶瓷时,以加入PbTiO3的形式引进Pb成分达到提高TC的目的取得了很好的效果,移动效率最高达6.5℃/10-2(mol)。分析了加入Pb-TiO3与加入PbO或Pb3O4效果不同的原因 相似文献
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报道了一种适用于高频压电器件的Co2O3改性Pb(Mn1/3Sb1/3)O3-PbTi O3(PT-PMS)基陶瓷。采用轧膜成型工艺制备了PT-PMS压电陶瓷,研究了加入Co2O3对陶瓷的介电、压电和机电性能的影响。结果表明,加入适量Co2O3,提高了陶瓷烧结密度,改善了陶瓷压电性能;同时,Co2O3的硬性掺杂作用使陶瓷的机械品质因数Qm明显上升。当Co2O3的质量分数为0.65%时,陶瓷表现出良好的机电性能:εr=290,d33=78 pC/N,kp=0.133,kt=0.489,Qm=2 162,TC=325℃。此外,该陶瓷具有高的居里温度TC,能满足回流焊工艺要求。 相似文献
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在比较分析与实验的基础上 ,采用添加少量低熔物获得了一种新的低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷组成 ,并对低温烧结机理进行了初步探讨。结果表明 ,改性 PT陶瓷烧结温度可降低 2 0 0~ 30 0℃。 96 0℃烧成时的主要性能参数为 kt=0 .49,kp=0 .0 2 7,d33=6 5× 10 - 1 2 C·N- 1 ,Qm=5 14,ρv=7.4× 10 3kg· m- 3,t C=312℃ ,εT33/ ε0 =177,tgδ=0 .6 3%。该材料不仅可抑制铅挥发对环境的污染 ,还可在叠层压电陶瓷器件方面获得重要应用 相似文献
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研究了PbTiO3玻璃陶瓷的微结构。以及介电、直流电导、热释电性的温度特性。PbTiO3晶粒的平均直径为190nm左右,X光衍射结果表明,其室温相晶轴比c/a≈1。在400℃附近出现介电和直流电导反常,而且经人工极化后,具有热释电性,表明它有铁电性,因此其室温结构只是一种赝立方结构。 相似文献
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为了获得适用于剪切振动模式的钛酸铅(Pb Ti O3)压电陶瓷材料,通过XRD、SEM等实验与分析,研究了不同掺杂元素Ca、Co、W、Mn和掺杂量对Pb Ti O3压电陶瓷材料性能的影响。结果表明,掺杂后得到的改性压电陶瓷配方为Pb(1–x)Cax Ti(0.96–y)(Co0.50W0.50)0.04Mny O3,当x=0.24,y=0.025时,其相对介电常数εr为200,K15为35%,Qm为1 000,频率变化率小于±0.15%(–40~+85℃),适用于剪切振动模式。 相似文献
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基于金属结的势垒模型, 分析了金属结的再辐射过程, 详细分析了金属结上直流偏置电压的动态平衡过程.给出了到达平衡状态之后, 金属结上的三次谐波电流分量的表达式.此外, 从金属结的角度出发, 经过详细的数值分析, 讨论了金属结的再辐射特性中影响三次谐波电流分量大小的因素.理论和仿真结果表明:当金属结的势垒宽度较大、金属与氧化层的接触面积较小、或金属与氧化层接触面的势垒高度较大时, 能够获得较小的三次谐波电流分量.最后, 通过实验测试验证, 金属与氧化层的接触面积较小或金属与氧化物接触面的势垒高度较大时, 三次谐波明显减弱. 相似文献
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高T_cPTC陶瓷材料的配方研究 总被引:2,自引:1,他引:1
选用国产原材料,在(Ba0.3Pb0.7)TiO3+4%AST+0.08%Mn(NO3)2材料中,添加(0.2~0.4)%(Nb2O5+Y2O3)+0.2%BN+(3~5)%CaTiO3(全为摩尔比)。采用传统陶瓷工艺,经1150℃适当烧结,可获得ρ25c≤104Ω·cm,Tc≥380℃,ρmax/ρmin≥103,Vb≥650V的实用高TcPTC陶瓷材料。 相似文献
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检测超声换能器用改性钛酸铅压电陶瓷材料 总被引:4,自引:2,他引:2
本文介绍了改性钛酸铅压电陶瓷材料的研制。通过配方筛选和改善工艺,得到了具有如下性能水平的改性钛酸铅系列压电陶瓷材料: 厚向机电耦合系数k_t 0.51—0.61 径向机电耦合系数k_p 0.07—0.36 介电常数∈ 250—300 机械品质因数Q_m 10—1000 其中,k_t为0.56;k_p为0.07;∈为230和Q_m为250的改性钛酸铅压电陶瓷材料用于研制检测超声换能器阵取得了满意的效果。 相似文献
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高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
基于改性PbTiO3陶瓷制备高温高频压电陶瓷材料,对ABO3型钙钛矿结构B位复合取代的(1-x)PbTiO3+xPb(Cd4/9Nb2/9W3/9)O3系压电陶瓷材料进行了研究。实验结果指出,当x=0.2时,掺入适量的改性添加物MnO2,经适当的工艺过程,可得压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料。其中,材料的居里温度R≥480℃,机械品质因数Qm〉2000,机电耦合系数kt可达0.45,介电常数ε约为200,是一种很有前途的高温高频压电陶瓷材料。 相似文献
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高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了Pb(Cd1/3Nb2/3)O3、Bi2/3(Cd1/3Nb2/3)O3以及Bi(Cd1/2Ti1/2)O3改性的PbTiO3陶瓷的高温高频压电性能。结果表明,对ABO3型钙钛矿结构的PbTiO3进行A、B位复合取代可得到压电性能优良,适合于高温高频应用的压电陶瓷材料。其优良的压电性能及较好的温度稳定性与A位取代的Bi3+离子价态、离子半径及B位取代的复合钙钛矿结构化合物较高的居里温度有关 相似文献
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利用氧化物合成法制备了0.115BiGaO3-(0.885-x)BiScO3-xPbTiO3(BGSPTx)(x=0.56-0.62)铁电陶瓷.X射线衍射分析(XRD)表明,当PbTiO3含量(x)大于60%时,BGSPTx具有纯的钙钛矿结构。当x〈60%时,体系存在微量杂相。随着PbTiO3含量的增加,BGSPTx由三方相演变到四方相,三方-四方准同型相界位于x=0.58附近。在准同型相界附近,BGSPTx陶瓷的压电常数d33、机电耦合系数、剩余极化Pr都达到最大值,分别为272pC/N,42%,24μC/cm^2。介电常数-温度特性曲线测试表明,BGSPTx陶瓷在MPB附近(x=0.58)居里温度TC高达482℃。实验结果表明,BGSPTx陶瓷是一种优良的高温压电换能器和传感器材料。 相似文献
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研制了一种添加 Bi(Cd1 / 2 Ti1 / 2 ) O3、Mn O2 、Si O2 的新型低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷材料。实验发现 ,低熔物 Si O2 是影响烧结的主要因素 ,除能明显降低该材料烧结温度外 ,还能起掺杂改性作用。该材料具有低烧结温度、高压电活性、大压电各向异性、较高机械品质因数及低介电常数等优点。 96 0°C烧成时主要性能参数为 :厚度机电耦合系数 kt=0 .49;径向机电耦合系数 kp=0 .0 2 7;压电各向异性比 kt/ kp=18;压电应变常数 d33=6 5 p C.N- 1 ;机械品质因素 Qm=5 14;密度 ρv=7.4g.cm- 3;居里温度 TC=312°C;介电常数 εT33/ ε0 =177;介质损耗 tanδ=0 .6 3%。该材料在叠层压电滤波器和叠层压电降压变压器方面显示出很好的应用前景。 相似文献