保温套对Al—12％Si合金平板铸件的补缩效果

本文对熟石膏保温套在LM6合金平板铸件上的补缩效果进行了研究,其研究结果如下: 1).园柱形普通砂型冒口和保温套都符合Chvorinov法则。它们之间的关系可用下式表达: 对于砂型冒口:T=0.065(V/SA)~2; 对于保温套:T=0.200(V/SA)~2。式中:T——凝固时间(分); V/SA——圆柱体体积与表面积之比(mm)。 2).对某一给定的铸件,当采用砂型冒口和保温套时,如果选用的冒口太小,组合件上的园柱体比单体铸造的园柱体的凝固时间长,而当采用大冒口时,其凝固时间比单体铸造的园柱体的凝固时间短。 3).当采用凝固比>1.4的冒口时,沿着铸件长度方向的缩松减少或消除;当采用凝固比>1.6的冒口时,水平面上的缩松不再进一步减少。 4).凝固比是一个重要的参数,它影响着用砂型和保温套冒口进行补缩的 LM6合金平板铸件的致密度。 5).因为普通冒口和保温套都符合Chvorinov法则,所以当知道了合适的凝固比以后,就能设计给定铸件的普通冒口和保温冒口套。     

低成本保温套冒口的最佳设计

引言在砂型铸造中,按照Chvorinov法则,铸件的凝固时间与铸件的体积/表面积比值的平方成正比[(V/A)~2],即: t=c(V/A)~2     

用于有色合金铸件冒口的保温材料

引言在铸件上使用冒口是为了补偿凝固时的体收缩。事实上,冒口也有热损失。所以使用的冒口体积必须比实际上所需要补缩的金属体积大得多,因为热传递的主要方式是靠传导,因而在冒口周围的型砂中使用任何一种低导热性的材料都可减小冒口的散热速度。于是冒口中的液态金属就可以保持较长的时间,其结果就可以减小所要求的冒口尺     

镍(Ⅱ)配合物[Ni(Phen)2(H2O)]·2ClO4的合成及其晶体结构

由过渡金属与邻菲咯啉(Phen)反应,合成了配合物[Ni(Phen)2(H2O)]*2ClO4,并测定了它的红外光谱及晶体结构.结果表明: 配合物属单斜晶系,空间群C2/c,其晶胞参数为:a =1.915 9(4)nm,b = 0.822 71(17)nm,c=1.617 0(4)nm;β=100.477(15)°, V =2.506 3(9) nm3, Z = 8, Dcald = 1.491 g*cm-3 .该配合物由络阳离子Cu(Phen)2(H2O)2+和2个高氯酸根堆积而成,分子间通过π-π堆积作用而形成二维网结构.     

活塞式压缩机气垫阀呼吸孔直径的计算

在阀片运动微分方程:M_vd~2h/dt~2=βa_p(P_1-P)-ZP′(H_0+h)中,取缓冲气室压力P与阀片升程h呈线性关系,解得阀片完成升程H所需时间T=1/A~1/2cos~(-1)(1-AH/B)。算出阀片完成升程过程中压缩气垫的同时,排出缓冲气室里的气体质量△G=P_3V_3-P_1V_1/RT_1及相应的体积流量Q=ΔGRT_i/ZTP_(cp)。求得通过呼吸孔的气体流速u=(2KRT_1/K-1)~1/2(1-(P_s/P_(cp)~(K-1/K))~1/2,呼吸孔直径D=(4Q/πu)~1/2便可确定了。     

配位聚合物Cu(phth)2(H2O)2的合成、晶体结构与热重、荧光性质

采用Cu(NO3)2.3H2O和phth(邻苯二甲酸)混合反应得到了配位聚合物Cu(phth)2(H2O)2。通过元素分析、红外光谱、荧光光谱等对配合物进行了表征。用X射线单晶衍射仪测定了配合物的晶体结构。配合物为单斜晶系,P2(1)/c空间群。晶胞参数a=0.838 95(17)nm,b=1.444 1(3)nm,c=0.709 92(14)nm,β=112.14(3),°V=796.7(3)3,Z=2,Dc=1.792 g/cm3,F(000)=438.0,S=1.100,R1=0.037 6,wR2=0.099 8。铜原子为4配位,呈畸变正方形构型,通过邻苯二甲酸根的π-π堆积作用形成了一维之字型链,相邻的链之间靠氢键和π-π堆积作用形成三维超分子结构。     

铸锭补缩特性曲线的三次样条研究及其规律探讨

本文根据铸锭用空心微珠冒口缩孔形成过程的特点,以实验测试的方法测定了冒口的补缩过程。通过对数据样条研究的结果表明:冒口的补缩特性受浇注工艺等诸因素的影响,但均具有指数函数y=Ae~(-B/x)的特征。作者认为,其结果有助于深入认识铸件的凝固机理,特别是对冒口下偏析规律的研究。并为定量地研究冒口对铸件的补缩以及冒口的热工过程提供了依据。     

一种配合物的合成、晶体结构以及热性能研究

CuSO4·5H2O、1,10-菲啉、对苯二甲酸和蒸馏水的混合物在170℃下反应3d得到标题配合物[Cu(H2O)2(phen)]SO4,单晶X-射线衍射结构解析表明该配合物属于单斜晶系,空间群是C2/c,晶胞参数分别是:a=14.837(3),b=13.824(3),c=6.9917(14),α=90°,β=108.29(3)°,γ=90°. 在该晶体中,中心离子Cu(Ⅱ)分别与来自同一有机配体1,10-菲啉的两个氮原子以及来自两个水分子中的两个氧原子配位,其几何构型是变形四方形. 分子间氢键和π-π堆积作用使该配合物形成具有空间三维结构的超分子. 热重分析表明该配合物在190℃以下热性能稳定.     

液态密度亏值对球墨铸铁收缩的影响

实验测定了化学成分，浇注温度，铸件模数和铸型刚度对球墨铸铁收缩特性的影响。对球铁试样的重量，缩孔体积和轮廓膨胀与灰铸铁进行了对比：在相同工艺条件下，球铁件的重量比形状及尺寸相同的灰铸铁件轻约百分之一。提出了球墨铸铁液态密度亏值的新观点，讨论了液态密度亏值对球墨铸铁收的影响。球铁凝固的外形尺寸变化和无冒口铸造。     

保温冒口材料——蛭石的性能

本文研究了用于铸造铝合金和铸铁的印度蛭石(来源:马德拉斯的坦米尔纳登)的剥落和性能——蛭石剥落片以水玻璃为粘结剂,用CO_2气体硬化后的强度、透气性和导热性能。实验结果如下: 1)这种材料最大的“剥落指数”为20,并在980℃时迅速剥落。 2)通过1/2时筛格,留在1/4时筛格上的蛭石片,以水玻璃为粘结剂,CO_2气体硬化后具有一定的强度和透气性。如果片太细,则透气性不好。 3)这种材料的表观导热系数相当低。说明适用于作保温套和冒口的覆盖物。 4)在铸铁和LM_4合金的园柱体铸件上使用蛭石套和覆盖物时,凝固时间可以大大延长。LM_4合金或亚共晶铸铁园柱体的凝固时间(T,分)和(a)体积/表面积之比(V/SAmm),(b)套体积/园柱体积之比(SVR)之间成函数关系: T=0.06(V/SA)~(2.385)(SVR)~(0.175)——LM4合金; T=0.05(V/SA)~(2.107)(SVR)~(0.257)——铸铁。     

单核铁(Ⅲ)配合物[Fe(hmb)_2(N_3)(H_2O)]的合成及其晶体结构

利用3-甲氧基水杨醛、叠氮化钠与六水合氯化铁在室温下合成了一个新型单核铁配合物[Fe(hmb)2(N3)(H2O)],对其进行了X射线单晶衍射仪、元素分析测试。该配合物属于三斜晶系,P1空间群。晶胞参数:a=0.856 03(8)nm,b=0.958 54(9)nm,c=1.112 74(9)nm,α=78.957(7)°,β=87.317(7)°,γ=80.061(8)°。中心铁离子以六配位的模式与氧原子、氮原子连接形成八面体的构型,配合物分子首先通过C—H…N氢键连接成一维链状结构,进一步通过π…π共轭和氢键作用构成三维空间结构。     

铸钢件保温冒口的优化设计

本文建立了以保温冒口收缩孔腔变化规律及其影响因素的定量关系为基的保温冒口优化设计数学模型,并用随机方向搜索法进行了FHP冒口的优化设计。提出了保温冒口设计准则应为;(i)、创造通向冒口的顺序凝固;(ii)、冒口内的安全高度控制在25～50mm;并据此开发了FHP保温冒口优化设计软件系统。通过现场验证:优化设计的冒口其工艺出品率可从原来的70～75％提高到80～85％;该软件系统占用内存小、使用方便、运行时间短,能在各种低档微型机上应用;它适用于不同钢种、形状、型砂的中小碳钢铸件。     

钛合金离心铸造缩孔缺陷物理模拟研究

为了深入研究钛合金离心铸造缩孔缺陷,采用微晶蜡作为物理模拟介质,按照相似准则,模拟了离心力场下钛合金凝固成形过程中缩孔缺陷,研究了旋转速度和离心保持时间对离心铸造缩孔缺陷的影响规律.实验结果表明:随着旋转速度的增加,微晶蜡凝固件冒口处缩孔缺陷体积增大;与离心保持时间900 s时相比,保持时间30 s时冒口处的缩孔缺陷体积相应减小,冒口补缩效果减弱.同时实际浇注了钛合金铸件,试验结果和物理模拟结果相吻合,验证了物理模拟试验结果的正确性.     

对苯二甲酸和4,4’-二咪唑联苯超分子体系的水热合成及晶体结构研究

分子间弱相互作用,特别是氢键和π…π相互作用能够决定分子构造、分子聚集状态和超分子化合物的功能.在水热条件下由4,4’-二咪唑联苯(bimb)和对苯二甲酸(1,4-H2bdc)反应得到了通过氢键及π-π堆积作用构筑三维网状超分子化合物[bimb·H2bdc]n并通过元素分析、红外光谱单晶X衍射结构分析表征了其组成与结构.单晶X射线衍射分析表明该超分子化合物属于单斜晶系,P21/c空间群,a=12.792(3)A,b=10.156(2)A,c=19.968(6)(A),V=2113.0(9)(A)3,Z=2,R1=0.0634,wR2=0.1407.在其晶体结构中,H2 bdc分子通过O-H…O氢键与bimb相连接形成了一维的(H2bdc)2-bimb-(H2bdc)2链状结构,链与链之间通过非经典C-H…O氢键相连接形成了二维层状结构.层与层之间通过π…π堆积作用,最终组装成了三维的超分子结构.     

N-羟基-5-溴苯基-2-偕胺肟合成及晶体结构

标题化合物C7H7BrN2O是由4-溴苯腈C7H4BrN与盐酸羟胺H3NO·HCl在碳酸钠Na2CO3溶液中反应而得,结构通过单晶X-射线衍射分析确定,其晶体属于单斜晶系,空间群P21/c,a=8.1334(16)(A),b=12.965(3)(A),c=7.6476(15)(A),β=90.12(3)°,M,=215...     

倾斜换面法

1 原理如图1 a 基本投影面中,水平投影面为 H 面,垂直投影为 V 面(图中省画)V_1面为原传统换面中的辅助投影面,它垂直于 H 面.V_1面与 H 面的交线为辅助投影轴 O_1X_1.空间直线AB,在 H 面上的投影αb 垂直于 O_1X_1,在 V_1面上的投影为α_1~′b_1~     

氯离子桥联镉(Ⅱ)超分子配合物的合成及晶体结构研究

常温下用CdCl2和bipy(2,2′-联吡啶)混合反应得到配位聚合物[Cd(bipy)Cl2]n.氯离子双桥联配合物形成一维链状结构,链与链间靠π-π堆积作用形成二维网状结构.用X-射线单晶衍射仪测定其晶体结构.配合物为单斜晶系,C2/c空间群.晶胞参数a=1.742 4(8)nm,b=0.925 3(4)nm,c=0.711 7(3)nm,β=110.946°(8),Z=4,V=1.071 6(8)nm3,Dc=2.104 g/cm3,μ=2.499 mm-1,F(000)=656,R1=0.022 6,wR2=0.050 4[I>2sigma],R2=0.027 9,wR2=0.052 2(all data).     

含N杂环硫醚四核Cu(I)配合物的合成及晶体结构

采用溶液扩散法,利用含N杂环硫醚配体2-巯基-(2-甲基吡啶)-4-甲基嘧啶(L)和金属盐CuI反应合成了配合物[Cu4I4L2],利用X线单晶衍射技术测定了其晶体结构,并对其进行了红外表征.结果表明,该配合物属单斜晶系,空间群为P21/n,晶胞参数:a=1.004 70(5)nm,b=0.893 04(4)nm,c=1.815 98(8)nm,β=99.847(10)°,V=1.605 36(13)nm3,Z=2,Mr=1 196.40.该配合物为四核结构,配合物分子间通过氢键、S…S和π-π等弱作用堆积成三维结构.     

N-取代苯甲酰胺衍生物的合成和结构表征

标题化合物C19H18N2O4是由(4Z)-4-((苯并[d][1,3]-6-二氧杂环戊烯基)亚甲基)-2-苯基恶唑-5(4H)-酮、N,N-二甲基甲酰胺在胍催化下水相中加热反应制得.结构通过单晶X射线衍射法测定,其晶体属单斜晶系,空间群P21/n,a=1.250(2)nm,b=2.054(3)nm,c=1.359(3)nm,α=γ=90°,β=96.057(3)°,V=3.469(1)nm3,相对分子质量Mr=338.35,晶胞密度Dc=1.296 g/cm3,Z=8,λ=0.071 073 nm,吸收系数μ(MoKα)=0.092mm-1,F(000)=1 424,最终偏离因子R=0.055 6,wR=0.110 5.分析了晶体中各平面间的二面角,并分析分子通过形成N-H…O氢键而堆积,相邻分子中的C21-C26苯环存在π-π堆积作用.     

An analytical model to explore open-circuit voltage of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells

The effect of the parameters on the open-circuit voltage, V_(OC) of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells was explored by an analytical model. The analytical results show that V_(OC) increases linearly with the logarithm of illumination intensity under usual illumination. There are two critical values of the interface state density(D_(it)) for the open-circuit voltage(V_(OC)), D_(it)~(crit,1) and D_(it)crit,2(a few 1010 cm~(-2)·e V~(-1)). V_(OC) decreases remarkably when D_(it) is higher than D_(it)~(crit,1). To achieve high V_(OC), the interface states should reduce down to a few 1010 cm~(-2)·e V~(-1). Due to the difference between the effective density of states in the conduction and valence band edges of c-Si, the open-circuit voltage of a-Si:H/c-Si heterojunction cells fabricated on n-type c-Si wafers is about 22 mV higher than that fabricated on p-type c-Si wafers at the same case. V_(OC) decreases with decreasing the a-Si:H doping concentration at low doping level since the electric field over the c-Si depletion region is reduced at low doping level. Therefore, the a-Si:H layer should be doped higher than a critical value of 5×10~(18) cm~(-3) to achieve high V_(OC).