SiC薄膜制备工艺进展

本文综述了ＳｉＣ薄膜的制备工艺及进展，介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各种ＳｉＣ薄膜的制备方法，简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响，评述了各种制备工艺的优缺点。     

SiC薄膜制备工艺进展

本文综述了ＳｉＣ薄膜的制备工艺及进展，介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各处ＳｉＣ薄膜的制备方法，简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响，评述了各种制备工艺的优缺点。     

光化学气相沉积薄膜的生长机理及其研究进展

近年，作为固体表面一项新的低温成膜工艺，光化学气相沉积已经取得了显著进展。本文从光化学原理角度出发，介绍了光化学气相沉积反应的能量过程及生长机理，并展望了它的今后发展前景。     

纳米晶体SiC薄膜制备方法研究进展

纳米晶体Si C凭借其独特的物理、光学及电学特性成为适合在高温、高频、高功率、高辐照环境工作的绝佳半导体材料、核聚变反应堆包层材料和核辐射探测材料。本文对纳米晶体Si C的结构及其特性进行了介绍,综述了目前制备纳米晶体Si C的主要方法,包括磁控溅射法、等离子体增强化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法、光化学气相沉积法和电子回旋共振化学气相沉积法,并对每种制备方法的工艺条件和材料特性进行了分析和总结。     

等离子体增强化学气相沉积氮化钛薄膜

等离子增强化学气相沉积法(PCVD)是在物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的一种沉积方法。它兼有 PVD 和 CVD 方法的优点。介绍了 PCVD的原理和所研制的一台 PCVD 设备。分析了用 CVD 法和 PCVD 法制备的硬质膜的性能。所分析的性能有:显微硬度、抗弯强度、粘结牢度、机加工性能。     

等离子体化学气相沉积法生长薄膜材料的进展

本文综述了化学气相沉积(CVD)的发展和等离子体化学气相沉积(PCVD)的兴起。阐明了等离子体对化学气相沉积的增强作用及从70年代后期以来等离子体化学气相沉积法的进展和贡献,展望了用此法沉积生长薄膜材料的前景。     

过渡金属氮氧化物制备方法的研究进展

综述了近10年来过渡金属氮氧化物的制备方法,主要包括溅射法(磁控溅射法和等离子体溅射法)、化学气相沉积法(等离子体增强化学气相沉积法、低压化学气相沉积法和催化化学气相沉积法)和化学合成法(氨解法、原位热解法和氮化物氧化法)三大类,并总结了常用的溅射法和化学气相沉积法合成技术参数。     

硅膜制备

介绍了两大类硅膜的制备方法:物理方法与化学方法,其中包括物理方法中的电子束物理气相沉积技术(EB-PVD),目前该技术在国内应用比较少,所以对其工作原理、薄膜质量的影响因素等作了重点介绍.此外还介绍了磁控溅射法、化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积、热丝化学气相沉积法等硅膜制备方法的基本原理及特点,并对它们的优缺点进行了比较.     

激光辅助化学气相沉积研究进展

激光化学气相沉积技术(LCVD)相较于传统化学气相沉积技术具有低沉积温度、高膜层纯度、高沉积效率等特点,在各类功能薄膜材料制备上有着巨大的应用前景.围绕激光化学气相沉积技术,本文详细阐述了激光热解离、激光光解离与激光共振激发解离作用机制,同时介绍了各类LCVD的常用设备,着重总结了LCVD在金属材料、碳基材料、氧化物材...     

化学气相沉积法制备智能窗用热致变色VO2薄膜的研究进展

热致变色智能窗是通过在玻璃上沉积温度刺激响应型材料,实现根据环境温度调控窗户玻璃的太阳光透过率,减少建筑物能耗的节能窗户。二氧化钒(VO₂)是一种典型的热致相变材料,在～68℃发生金属-绝缘体相变,相变前后伴随光学性能的显著变化,在智能窗等多个领域有潜在的技术应用。然而,当前VO₂基热致变色智能窗的应用仍存在着相变温度(τ_c)偏高、可见光透过率(T_lum)低和太阳能调节效率(ΔT_sol)不足等问题,无法满足实际建筑节能的需求。为了解决这些问题,研究人员开展了广泛而深入的工作。化学气相沉积法(Chemical vapor deposition, CVD)能够以合理的成本生产高质量、大面积的VO₂薄膜,受到研究者青睐。本文总结了近年来利用CVD技术制备VO₂薄膜的研究进展,系统介绍常压化学气相沉积、气溶胶辅助化学气相沉积、低压化学气相沉积、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积和等离子体增强化学气相沉积等CVD工艺,分析了反应物种类及比例、反...     

磷化铟纳米材料制备方法的最新研究进展

详细介绍了InP纳米材料各种制备方法的特点和原理,主要包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)、化学气相沉积(CVD)、热蒸发法、脉冲激光沉积(PLD)、溶剂热法、溶液-液相-固相法(SLS)、胶体化学法等,并通过比较各种制备方法的优缺点以及分析所得产物的特征概述了InP纳米材料制备技术的最新研究进展。     

类金刚石薄膜的摩擦学特性及磨损机制研究进展

类金刚石薄膜已显示了重要的摩擦学应用价值,其中化学气相沉积的类金刚石薄膜(DLC)具有膜层致密、厚度均匀、摩擦学性能优良等特点成为广泛采用的一种沉积方法.本文介绍了气源成分、基体材料、摩擦环境、摩擦对偶、载荷及速度对化学气相沉积制备类金刚石薄膜的摩擦学特性的影响,概述了其摩擦磨损机理,同时探讨了进一步研究工作的方向.     

超声波化学气相沉积新工艺

综述了利用超声波作化学气相沉积过程中能源的一种新工艺,即超声波化学气相沉积(UWCVD)。该工艺与其它 CVD方法相比有以下特点:沉积膜与基体有更好的结合;沉积膜有更优的强韧性和明显的择优取向。     

聚对苯(撑)二甲基膜的化学气相沉积(CVD)聚合

采用化学气相沉积(CVD)聚合工艺制备的对苯撑二甲基聚合物可广泛应用在航天、航空、军工、电子、生物医学工程、控制系统、文物保护、纳米材料和磁性材料等诸多领域.综述了聚对苯(撑)二甲基系列膜的化学气相沉积聚合工艺和原理,介绍了底物温度和沉积舱压力等主要因素对膜沉积率的影响和膜的一些主要性能,并讨论了典型的Parylene N膜的光氧降解性能.     

第三届化学气相沉积(CVD)学术会议征集论文

根据中国真空学会薄膜专业委员会一九八九年工作计划的安排,将于一九八九年十月在湖南召开全国第三届化学气相沉积(CVD)学术会议。薄膜专业委员会主持召开的第一届化学气相沉积(CVD)学术会议于一九八五年在上海举行,第二届化学气相沉积     

纳米材料的激光方法制备

对纳米材料制备过程中的激光方法——激光诱导化学气相沉积法(LICVD)、激光高温烧灼法、激光加热蒸发法、激光分子束外延(LMBE)、激光诱导液-固界面法、激光气相合成法、飞秒激光法、激光聚集原子沉积法和激光脉冲沉积法(PLD)——作了简要介绍,并就一些制备方法的优缺点进行了比较。     

光化学气相沉积非晶硅和微晶硅太阳电池的发展

本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4、Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的简单原理、a-Si 膜的性质、a-Si 和微晶硅(μc-Si)太阳电池的光伏特性。也介绍了 a-Si 和μc-Si 太阳电池制备技术和发展现状。并指出 Photo-CVD 法是制备高转换效率(η)太阳电池很有希望的一种方法。     

THE DEVELOPING TREND OF AMORPHOUS SILICON AND MICROCRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS PREPARED BY THE PHOTOCHEMICAL VAPOR DEPOSITION

本文综述了光化学气相沉积(Photo-CVD)法分解硅烷(SiH_4、Si_2H_6)制备非晶硅(a-Si)膜的简单原理、a-Si 膜的性质、a-Si 和微晶硅(μc-Si)太阳电池的光伏特性。也介绍了a-Si 和μc-Si 太阳电池制备技术和发展现状。并指出Photo-CVD 法是制备高转换效率(η)太阳电池很有希望的一种方法。     

化学气相沉积金刚石薄膜的摩擦学性能研究进展

介绍了化学气相沉积金刚石薄膜的主要方法 ,着重讨论了金刚石薄膜的摩擦学性能研究 ,简要分析了化学气相沉积金刚石薄膜中存在的问题。     

ZnO薄膜气相法制备

ZnO薄膜具有压电、光电、压敏、气敏、发光等多种特性,应用十分广泛。介绍了ZnO薄膜气相法制备原理中的各类主要方法,包括脉冲激光沉积、磁控溅射、分子束外延、金属有机化合物化学气相沉积、单源化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积等技术;分析了这些方法的优缺点;展望了ZnO薄膜今后的研究方向。