不同链长烷基硫醇自组装膜对银的防变色作用

将不同链长的烷基硫醇溶于乙醇,在银表面制备自组装膜。采用接触角测试、电化学试验、加速变色试验和X射线光电子能谱(XPS)等方法来表征自组装膜的性能。结果表明:十二烷基硫醇(DT)、十六烷基硫醇(HDT)和十八烷基硫醇(ODT)都可以在银表面形成疏水性的自组装膜,对基体腐蚀起到良好的保护作用;ODT自组装膜的致密性最好,而HDT自组装膜的防变色效果最好。     

十二烷基硫醇在Fe表面自组装成膜及对其的腐蚀保护

应用自组装技术在Fe电极表面制备正、叔十二烷基硫醇自组装膜,用反射傅立叶红外光谱（FT-IR）、电化学阻抗谱（EIS）和Tafel极化曲线对正、叔十二烷基硫醇自组装膜进行表征,结果表明,正、叔十二烷基硫醇都能在Fe表面形成自组装膜;设计了自组装膜的等效电路,并对EIS数据进行拟合;EIS拟合结果和Tafel极化曲线均表明,正、叔十二烷基硫醇自组装膜对Fe电极在 0.5 mol/L NaCl溶液中均具有较好的缓蚀作用,并且前者的缓蚀作用强于后者。     

烷基硫醇自组装膜对铝合金的缓蚀性能研究

采用浸泡法,在含水量不同的十四烷基硫醇/乙醇-水溶液中,使2024铝合金表面自组装烷基硫醇膜,通过动电位扫描、电化学交流阻抗、原子力显微镜以及光电子能谱研究了硫醇自组装膜在铝合金表面的吸附行为及缓蚀性能。结果表明,十四烷基硫醇自组装膜对铝合金在Harrison溶液中的腐蚀具有一定缓蚀作用,且缓蚀效果随着自组装溶液中含水量的增加而增强。     

十八硫醇自组装膜对青铜的缓蚀作用

在乙醇体系中采用十八硫醇(ODT)在青铜表面制备自组装膜(SAMs),采用循环伏安法、极化曲线和交流阻抗谱等电化学方法研究该膜在0.5 mol/LNaCl溶液中对青铜电极的缓蚀性能。结果表明:ODT在青铜表面形成了SAMs,能够有效抑制青铜的腐蚀。随着成膜温度和ODT浓度的增高,ODT自组装膜的缓蚀效率和覆盖度提高。当ODT浓度为0.1 mol/L、成膜温度为60℃时,缓蚀效率为98.1%,覆盖度为98.7%;十八硫醇在青铜表面的吸附行为符合Langmuir吸附等温式,吸附机理是典型的化学吸附。     

水溶液中自组装膜对青铜的缓蚀作用

采用不同的分散剂将十八烷基硫醇(ODT)分散在水溶液中,并以其在青铜表面制备了自组装膜(SAMs)。用极化曲线、交流阻抗、循环伏-安等电化学方法研究了ODT SAMs对青铜的缓蚀作用。结果表明:ODT分子能够在青铜表面形成稳定、致密的SAMs,有效抑制了青铜的阴极和阳极过程,改变了电极表面的双电层结构,对青铜有良好的缓蚀作用。     

金属表面缓蚀剂自组装单分子膜的STM研究进展Ⅰ.惰性金属表面的缓蚀剂自组装单分子膜

简要介绍了扫描隧道显微镜(STM)技术的基本工作原理及其在表面原子／分子结构研究中的独特优势。缓蚀剂分子对基底金属的保护和抗腐蚀作用，是自组装单分子膜(SAMs)应用中的一个非常重要的方面。本文综述了STM对金属表面缓蚀剂自组装单分子膜的结构、性质、晶面结构效应等方面的最新研究进展。     

水溶液中自组装膜对银的缓蚀作用及吸附机理分析

采用不同的分散剂将十八烷基硫醇(ODT)分散在水溶液中,并以其在银表面制备了自组装膜(SAMs)。用极化曲线、交流阻抗、循环伏安等电化学方法研究了ODTSAMs对银的缓蚀作用及吸附行为。结果表明:ODT分子能够在银表面形成稳定、致密的SAMs,有效抑制了银的阴极氧去极化过程和阳极硫化过程,改变了电极表面的双电层结构,对银有良好的缓蚀作用。ODT在银表面的吸附行为符合Langmuir吸附等温式,吸附机理是典型的化学吸附。     

十八硫醇/乙醇体系自组装膜对银的防变色作用

十八硫醇(ODT)是一种环境友好型金属处理剂。在乙醇体系中用十八硫醇在银表面制备自组装膜(SAMs)。采用加速变色、极化曲线、电化学阻抗、循环伏安等方法研究了乙醇溶液中十八硫醇自装膜对银表面的防变色作用。结果表明,在浓度为0.05mol/dm3,温度为50℃时,自组装最佳时间为1h,十八硫醇在银表面形成了一层致密的自组装膜,该膜具有良好的防变色效果。     

金属表面缓蚀剂自组装单分子膜的STM研究进展Ⅱ.常用金属表面的缓蚀剂自组装单分子膜

缓蚀剂的作用机理与缓蚀剂分子在金属表面形成的自组装单分子膜及其作用密切相关.利用扫描隧道显微镜(STM)可以实时、原位、三维实空间观察原子/分子的技术优势,在分子水平上认识金属-缓蚀剂之间的相互作用,对于金属腐蚀科学的理论研究具有十分重要的意义.本文简要介绍了STM对部分常用金属表面有机缓蚀剂自组装单分子膜的结构、分子取向、晶面结构效应等方面的最新研究进展.     

专论金属表面缓蚀剂自组装单分子膜的STM研究进展 Ⅱ.常用金属表面的缓蚀剂自组装单分子膜

缓蚀剂的作用机理与缓蚀剂分子在金属表面形成的自组装单分子膜及其作用密切相关。利用扫描隧道显微镜(STM)可以实时、原位、三维实空间观察原子/分子的技术优势,在分子水平上认识金属 缓蚀剂之间的相互作用,对于金属腐蚀科学的理论研究具有十分重要的意义。本文简要介绍了STM对部分常用金属表面有机缓蚀剂自组装单分子膜的结构、分子取向、晶面结构效应等方面的最新研究进展。     

紫铜表面高能离子注渗Ni、Al的研究

对紫铜表面进行高能离子注渗Ni、Al试验的对渗层组织、成分分布进行了观察与分析,并同单元注渗Ni实验进行了比较分析.结果表明,紫铜表面高能离子注渗镍的渗层与铜基体结合良好,由表及里镍含量呈梯度分布,紫铜高能离子注渗Ni、Al的渗层组织和渗Ni组织大致相似,渗层表面出现"贫Al现象",即铝向基体扩散,最终主要集中在渗层的中部.     

纯铜双层辉光离子临界区渗钛研究

利用双层辉光离子渗金属技术在纯铜表面制备了铜钛合金层。实验结果表明，合金层由以铜钛化合物为主的表层和钛在铜中α固溶体与弥散分布的Cu4Ti有序相的次表层组成。在源极与工件间距固定的条件下，表层成分受源极电压、工件电压和温度的影响，次表层厚度主要受温度和时间影响。在扩渗初期，轰击离子的强度对钛元素有催渗作用。源极电压与工件电压之比V源/V工≥2，气压选在(25～40)Pa有利于铜钛合金层的形成。纯铜渗钛虽可使材料表面强化，但表面电阻明显增大。     

Cu在北京土壤环境中的腐蚀行为

通过现场实验(1,2和2.5 a)和电化学阻抗谱(EIS)测试,并结合腐蚀形貌宏观观察, SEM, XRD及失重法对纯Cu在北京土壤环境中的腐蚀行为及机理进行了研究。结果表明：现场埋样1,2和2.5 a的纯Cu的腐蚀特征均为非均匀的全面腐蚀,腐蚀程度较轻微。随埋样时间的延长,纯Cu的腐蚀速率近乎呈线性关系减小,岛屿状腐蚀产物中的空隙等缺陷减少,其致密性有所改善。腐蚀产物均主要由Cu₂(CO₃)(OH)₂, CuO3H₂O和CuCl组成。     

纯铜催渗渗铝及其内氧化研究

提出了用稀土合金CeCl3对纯铜渗铝进行催渗，研究了工艺参数对渗层厚度和质量的影响；采用工业N2中的余氧作为内氧化介质对纯铜渗铝后的试样进行内氧化，研究了内氧化层的硬度分布，显微组织及有关性能。实验表明：用CeCl3催渗的纯铜渗铝试样渗层厚度远高于同等工艺参数下未催渗的纯铜渗铝试样；内氧化后，能在渗铝层形成Al2O3弥散硬化层。     

锂对工业纯铜再结晶温度的影响

在工业纯铜中加入微量锂能提高其再结晶温度,试验表明：加入0.04%（质量百分数）锂,使冷拔后的工业纯铜的再结晶开始温度从400℃提高到440℃,这是由于加入锂后,固溶于铜中,造成铜的晶格畸变,对再结晶过程中的位错运动与重排起阻碍作用,抑制再结晶过程的形核和晶界迁移,从而抑制再结晶,提高铜的再结晶温度。     

Li对工业纯Cu中夹杂物的净化效应

向工业纯铜中加入不同含量的Ｌｉ,结果使工业纯铜中夹杂物氧,硫含量大幅下降。氧由７．３＊１０＾－５降至（２－３）＊１０＾－６,硫由８．６＊１０＾－６降至（１０－１５）＊１０＾－６,而对其它微量杂质元素Ｆｅ,Ｐ,Ｓｉ等,Ｌｉ的作用表现甚微,并对以上结果分别进行了热力学定量和定性分析,结果表明;Ｌｉ对工业纯铜中Ｏ,Ｓ等具有优异的净化作用是由于Ｌｉ的化学活性很大的缘故,而对微量杂质元素Ｆｅ,Ｐ,Ｓｉ基本不     

铜的Al-Mn-Cr-Fe-RE多元共渗研究

研究了在纯铜表面粉末渗Al-Mn-Cr-Fe-RE的渗剂配比和共渗温度、时间对渗层厚度的影响。结果表明，温度、时间、活化剂含量是影响渗层厚度的敏感因素，渗剂成分可在较大范围内调整而渗层厚度无显著变化。本研究条件下，渗层最厚可达1mm以上。     

ECAP法制备超细晶铜的再结晶行为研究

在室温下，采用ECAP技术对纯铜进行了1-10道次的挤压，使其组织大大细化，得到了均匀、细小的等轴晶，平均晶粒尺寸为0．75μm。通过对不同ECAP道次后的退火试样的硬度测量和观察组织，结果表明：随ECAP道次的增加．开始再结晶的温度降低，再结晶软化的速率增加，ECAP8道次试样在433K发生静态再结晶。     

纯Cu和铜包钢在大港土壤环境中的腐蚀行为研究

通过1 a现场实验,并结合腐蚀形貌宏观观察、SEM、XRD及失重法对纯Cu和铜包钢在大港土壤环境中的腐蚀行为进行了研究。结果表明, 现场埋样的纯Cu、电镀铜包钢和连铸铜包钢的平均腐蚀速率分别为1.01,1.05和1.07 g/(dm²a),其中电镀铜包钢和连铸铜包钢的平均腐蚀速率接近,纯Cu的腐蚀速率略小;腐蚀特征均表现为非均匀的全面腐蚀,腐蚀程度有所差异;腐蚀产物均主要由Cu₂O,Cu(OH)₂和CuCl组成。     

AgW50触头与紫铜的电阻钎焊工艺研究

研究了AgW50和紫铜的电阻钎焊工艺,主要探讨了钎接压力、钎接时间对触头钎接性能的影响.试验得到了电阻钎焊紫铜-AgW50触头的最佳工艺参数:钎接压力1.3～1.5MPa,钎接时间3.5～4.5 s.解决了火焰钎焊存在的效率低、焊接质量小稳定等问题.