用MOCVD法生长GaN基自组装量子点的相关实验及其分析

GaN基相关材料的量子点生长是半导体材料研究的一个热点，尤其是用MOCVD方法生长GaN基自组装量子点占了相当的比例，因此相关的文献较多，但综述性文章却不多见。鉴于此，本文综述了用MOCVD法制备GaN基量子点的不同实验方法，并对影响量子点牛长的实验条件和参数做了简要的分析。希望能够对相关的实验研究工作提供一些参考。     

多孔生物镁的制备与力学性能研究

采用粉末冶金法制备多孔镁,孔隙率可在20%到55%范围内变化,并研究了多孔镁的压缩性能和抗弯强度与孔隙率之间的关系.结果表明,多孔镁的孔隙率、孔径可通过造孔剂的含量和粒度来控制,随着孔隙率的增加,抗压强度和杨氏模量变小,抗弯强度下降;采用粉末冶金方法制备的多孔生物镁不论是从压缩强度,杨氏模量还是从抗弯强度上来讲,都可以满足移植材料的要求.     

高速钢刀具组织和力学性能研究

采用粉末冶金法制备了高速钢刀具,研究了烧结温度对高速钢刀具显微形貌、物相组成、硬度、相对密度、抗弯强度和断口形貌的影响。结果表明,不同烧结温度下,高速钢刀具中都主要含有Fe、M6C、M2C和MC相,升高烧结温度并没有改变试样的物相组成,只是物相含量有所差异;当烧结温度为1 235℃时,高速钢刀具试样的相对密度为85%、洛氏硬度基本在46 HRC以下;在烧结温度升高至1 245℃时,试样的相对密度急剧增加至96%以上,洛氏硬度基本保持在52 HRC以上;随着烧结温度的升高,试样的抗弯强度呈现先增加而后降低的趋势,在烧结温度为1 245℃时取得最大值。本文的高速钢刀具的适宜烧结温度为1 245℃。     

Al-Mg-Zn铝合金的高温力学性能研究

7系Al-Mg-Zn合金是广泛应用于高速列车车体结构的材料,本研究所用材料为轧制后经过固溶处理并自然时效处理的热处理强化板材。在列车车体的焊接制造过程中,由于焊接热源作用导致接头区域出现不均匀温度分布,并在冷却后产生残余应力。采用Gleeble-3500热模拟试验机进行高温拉伸试验,研究高温下7系铝合金的力学性能变化。试验结果表明,随着温度的升高,铝合金的强度逐渐降低,同时延塑性随之改善,但在300℃时,延伸率出现了极小值。此外,随着温度的升高,拉伸断口由脆性倾向转变为韧性断裂,且韧窝变大、变深。拉伸断口的形貌和拉伸结果表现出较好的一致性。     

GCr15钢的高温力学性能研究

利用Gleeble-1500热模拟试验机对GCr 15模具钢连铸坯进行高温拉伸试验,研究了不同温度条件下GCr15模具钢连铸坯的力学性能;分析了抗拉强度和断面收缩率随温度的变化情况;利用SEM观察试样的断口形貌.结果表明,GCr15模具钢良好的塑性区在800～1200℃,第一脆性区在1200～1350℃,第三脆性区在800℃以下,零塑性温度为1300℃,零强度温度在1400℃以上.防氧化剂能提高GCr 15的高温力学性能,经双细化处理并且涂有防氧化剂的GCr15钢,其伸长率达324.5％.     

AZ31-xCe镁合金组织和力学性能的研究

通过金相显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)观察及能谱(EDS)分析、透射电镜(TEM)分析、XRD分析、力学性能测试和布氏硬度测试等方法研究了AZ31-xCe镁合金的组织和性能.结果表明:AZ31合金中添加Ce,其铸态组织中能够形成棒状Al4Ce相,并能改善合金退火态组织和力学性能;添加Ce可以改善AZ31的综合力学性能,试验中含1.02?合金具有最好的综合力学性能,轧制态σb=320 MPa,8=6.9%,退火态σb=260 MPa,8=22.1%.     

Mo-Si合金室温及高温拉伸力学性能研究

采用粉末冶金技术制备了不同Si含量(0,0.1,0.3wt%Si)的Mo-Si合金板材,并在25,300,800和1200℃下进行了静拉伸试验,研究了试验温度对Mo-Si合金板材力学性能、断裂方式及微观组织的影响。结果表明:随试验温度升高,纯钼及Mo-Si合金板材强度明显下降,但延伸率以300℃为分界点呈现出先升后降的趋势。室温下Mo-Si合金的断裂方式为穿晶解理断裂,在300及800℃时主要为韧窝延性断裂,而1200℃时为沿晶断裂。对Mo-Si合金强化机制的分析表明,室温下的强化主要来源于弥散强化和固溶强化,而在高温时,固溶作用明显减弱,颗粒弥散和粗化晶粒为主要的强化手段。     

铁素体球墨铸铁凝固形貌及力学性能

结合铸造模拟仿真技术,研究了不同热模数铁素体球墨铸铁的凝固形貌和力学性能.结果表明:热模数较低(Mc=0.65 cm)时,奥氏体枝晶以大量球团状晕圈为主,石墨分布均匀、圆整度高,韧性较好;热模数增大到2.1 cm,离异树枝晶含量增多且晶粒粗大,石墨形态异化且珠光体含量较多,屈服强度和冲击韧性恶化.     

灰铸铁中γ枝晶结晶形貌与机械性能的关系

采用控制传热方向和冷却条件的方法，在灰铸铁中获得不同类型结晶形貌的γ枝晶组织，并研究了γ枝晶的不同生长形貌与机械性能之间的对应关系．结果表明，发达的等轴枝晶所形成的网络骨架结构对铸铁强化作用最显著，柱状枝晶各向异性，平行于一次晶轴方向的σｂ远高于其它方向，也比其他类型的树枝晶高，垂直于一次晶轴方向的σｂ相对较低；短粗不发达枝晶对应的σｂ最低．     

铝表面改性SiOx薄膜力学性能研究

采用常压化学气相沉积（APCVD）技术在铝基底上成功制备了改性SiOx陶瓷薄膜。通过显微硬度测试与涂层附着力自动划痕测试定量研究了薄膜显微硬度和膜基结合强度，利用光学显微镜（0M）和扫描电子显微镜（SEM）观察了薄膜的原始表面以及压痕、划痕形貌。结果表明，SiOx膜层由大小不均匀的等轴状颗粒团聚堆垛而成，退火处理时长大或融合成片状；SiOx薄膜有效提高纯铝表面的硬度，并能通过SiOx薄膜变形以松弛表层应力，抑制脆性裂纹产生；划痕测试证明基底和薄膜具有很高的结合强度，薄膜与基底发生塑性变形而不剥离。     

Preliminary Study on Electrical and Optical Properties of ZnO Film Grown by MOCVD

1 ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＺｎＯｉｓａｗｉｄｅ ｇａｐ ( 3.2ｅＶａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ)ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｍａｔｅｒｉａｌｈａｖｉｎｇｔｈｅｗｕｒｔｚｉｔｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｗｉｔｈｄｉｒｅｃｔｅｎｅｒｇｙｂａｎｄ .Ｉｔｈａｓｂｅｅｎｃｏｎｓｉｄｅｒｅｄａｓａｐｒｏｍｉｓ ｉｎｇｍａｔｅｒｉａｌｆｏｒｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅｓｉｎｔｈｅｎｅａｒｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ(ＵＶ)ａｎｄｂｌｕｅｓｐｅｃ ｔｒａ .ＡｎｉｎｔｅｒｅｓｔｉｎｇｆｅａｔｕｒｅｏｆＺｎＯｉｓｉｔｓｌ…     

MOCVD制备的Pt/C薄膜的结构与性能研究

以乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法在石英及YSZ基体上制备Pt/C薄膜,研究了Pt/C薄膜的结构和电化学性能.沉积过程中通入一定量的氧气可以大幅降低Pt/C薄膜中的含C量,含C较高的Pt/C薄膜的XRD谱线低而宽,具有非晶态衍射特征.在500℃测量温度下,以Pt/C薄膜为电极的YSZ氧气浓差电池的电动势及电流输出高于传统的Pt电极.     

Epitaxy and Growth Mechanism of Gallium Antimonide by MOCVD

GaSb epilayers were grown on GaAs and/or GaSb substrates by MOCVD respectively.The influenceof growth conditions on the properties of the epilayers was studied in order to improve the growth pro-cesses.The growth mechanism of MOCVD GaSb was investigated.An equation derived for chemical reac-tion controlled growth rate of MOCVD GaSb was verified by the experiments.The typical FWHM of doub-le crystal X-ray diffraction(DCXD)spectra of GaSb epilayers on GaSb and/or GaAs substrates are 20arcsec and 150 arcsec,respectively.The 300 K hole concentration of p=1.2×10~(16)cm~(-3) with Hall mobilityof 898 cm~2/V·s is obtained.     

热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究

采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜，并对其生长条件进行研究。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明：用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN晶体膜。实验结果显示：采用该工艺制备GaN晶体膜时，选择H2作反应气体兼载体，对GaN膜的形成起着非常有利的作用。     

氨化Ga2O3 /Nb膜制备的GaN纳米线的光学和微观结构特性的研究

采用射频磁控溅射技术在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃下于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线.用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜详细分析了GaN纳米线的结构和形貌.结果表明:采用此方法得到的GaN纳米线有直的形态和光滑的表面,其纳米线的直径大约50nm,纳米线的长约几个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,只显示出一个位于367 nm的很强的紫外发光峰.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.     

金属有机物化学气相沉积法制备铱涂层的形貌与结构分析

采用金属有机物化学气相沉积法，在不通入活性气体的条件下，研究了三乙酰丙酮铱先驱体挥发温度对铱涂层显微结构的影响。在500℃的金属铌和陶瓷石英基片上制备出亮银白色的多晶相铱涂层。分析表明：铌和石英基片上沉积的铱涂层均由两层不同结构的薄膜构成，220℃挥发先驱体沉积出由纳米级颗粒疏松堆积构成的涂层，185℃挥发先驱体沉积出致密的涂层。铱涂层表面光滑均匀，无明显缺陷。     

MOCVD法制备钯膜用的前驱体研究现状

金属钯薄膜作为一种新型的稀贵金属低维材料,因为其优异的物理和化学性能,在耐高温涂层、微电子、膜反应器、催化等领域有着非常重要的应用。钯薄膜优异的性能及广阔的应用前景引起人们广泛的关注。介绍了金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备钯膜用前驱体的研究进展以及MOCVD工艺中各类前驱体的优缺点,概述了其目前研究的热点和进一步研究的方向。     

MOCVD外延Al2O3基AlGaN/GaN超晶格的结构和光学特性

通过X射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积（MOCVD）的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石（Al2O3）衬底上生长的AlGaN/GaN超晶格材料的微观结构、光吸收性质和发光特性.X射线衍射结果表明,GaN基材料均为纤锌矿六方结构,薄膜具有良好的结晶质量,薄膜生长沿c轴择优取向.透射电镜观察表明,超晶格试样的周期结构分布均匀,实际周期为13.3nm，且观察到高密度的位错存在于外延膜中。通过光学试验数据，确定了试样的光学吸收边都是在370nm附近，理论计算显示试样为直接跃迁型半导体，禁带宽度约为3．4eV。试样的折射率随光子能量的增加而增加、随波长的增加而减小，计算表明消光系数的极小值位于370nm处。光致发光测试分析表明，超晶格有很好的发光性能，并发现存在黄带发光。     

YBCO Films Grown on Sapphire with YSZ Buffer Layer

ＹＢＣＯＦｉｌｍｓＧｒｏｗｎｏｎＳａｐｐｈｉｒｅｗｉｔｈＹＳＺＢｕｆｆｅｒＬａｙｅｒＳｈｉＤｏｎｇｑｉ，ＹａｎｇＢｉｎｇｃｈｕａｎ，ＷａｎｇＸｉａｏｐｉｎｇ，ＰｅｎｇＺｈｅｎｇｓｈｕｎａｎｄＣｈａｎｇＳｈｉａｎ（石东奇）（杨秉川）（王小平）（彭正顺）...