专利名称：一种纳米钼酸汞化合物及其诱导控制合成生长方法

专利申请号：CN200910201027．6公开号：GN101717121A申请日：2009．12．14公开日：2010．06．02申请人：上海应用技术学院本发明公开了一种纳米钼酸汞化合物及其诱导控制合成生长方法。即分别移取0～6体积的醇类溶剂和1体积的汞盐溶液,超声处理的同时,     

专利名称：一种锻压钼顶头及其制备方法

专利申请号：CN200710054711．7 公开号：CN101077560 申请日：2007．07．02 公开日：2007．11．28     

专利名称：一种有机钼络合物及其制备方法和应用

专利申请号：CN200910308072．1 公开号：GN101659679 申请日：2009．10．01 公开日：2010．03.03 申请人：河南科技大学     

专利名称：一种钼杯电极

本实用新型涉及一种冷阴极荧光灯管用的钼杯电极。钼杯电极包括筒状杯体和杯底,其特征在于：所述杯体壁沿轴向设有接缝,所述接缝之间设有一个或一个以上倒扣结构相互卡合,所述杯体下缘设有与之局部相连的尾翼水平内折构成所述杯底。本实用新型的钼杯电极可以采用钼板材经冲剪成型的工艺生产,极大地简化了生产工艺,生产效率也更高,大大地降低了钼杯电极的成本和价格,使冷阴极灯管整体价格下降,提高了产品的市场竞争力。     

专利名称：一种钼钒多金属冶金物料分解方法

申请人：中南大学 本发明涉及一种钼钒多金属冶金物料分解方法。将冶金物料先加石灰进行一次焙烧,焙烧得到的焙砂再加硫酸进行二次焙烧,二次焙烧得到的焙砂再加水搅拌浸出。该方法具有加工成本低、有价金属浸出率高、作业环境好等优点。     

专利名称：一种含钒钼酸盐溶液深度除钒方法

专利申请号：CN200610031557．7公开号：CN101062785申请日：2006．04．26公开日：2007．10．31     

专利名称：一种从炭质钼镍贫矿中提取钼镍的方法

专利申请号：GN200910044782．8公开号：GN101709371A申请日：2009．11．20公开日：2010．05．19申请人：湖南省中杰科技发展有限公司     

专利名称:一种碳化钼纳米片及其制备方法和应用

专利申请号:CN201811009185公开号:CN109126844A申请日:2018.08.31公开日:2019.01.04申请人:厦门理工学院本发明涉及一种碳化钼纳米片及其制备方法和应用,所述方法为将钼源、硝酸铵、甘氨酸混合均匀,之后加热到160~180℃,得到混合物1,加入葡萄糖,之后加热到230~280℃,获得蓬松固体,放入氢气氛围下加热到450~550℃,降温得到碳化钼纳米片。     

专利名称：多注行波管阴极钼简的制备方法

专利申请号：CN201110203109．1 公开号：CN102339703A 申请日：2011．07．19 公开日：2012．02．01 申请人：安徽华东光电技术研究所     

专利名称：一种铁镍钼合金软磁材料及其制造方法

本发明涉及磁性物体的制造方法,尤其涉及一种铁镍钼合金软磁材料及其制造方法。一种铁镍钼合金软磁材料,该铁镍钼合金磁材料由以下的组分压制成型：铁镍钼粉末,其中镍的含量为75％-85％,钼的含量为1％-4％,余量为Fe;对铁镍钼粉末表面处理的磷酸,为铁镍钼合金粉末重量的0．6％～3．2％;酚醛树脂,为铁镍钼合金粉末重量的0．2％～1．1％。本发明具有以下优点：（1）制作工艺简单,使用设备简单;（2）采用价低的铁镍钼粉末,生产成本大大降低;（3）采用此种方法制作的产品,具有良好的电感量,较高的品质因数,较低的功率损耗值;（4）在较高的温度条件下,铁镍钼合金仍能保持优异的软磁性能。     

专利名称：一种射流空化技术制备二维纳米二硫化钼的方法

专利申请号：CN201110347902．9公开号：CN102398920A申请日：2011．11．07公开日：2012．04．04申请人：北京航空航天大学一种射流空化技术制备二维纳米二硫化钼的方法,它有七大步骤：（1）按重量比将二硫化钼粉等三种原料配制成二硫化钼水溶液放入储料罐中;（2）二硫化钼水溶液由储料罐进入柱塞泵加压至指定压力;（3）二硫化钼水溶液进入空化发生器中发生片层的剥离,得到含单层和多层二维纳米二硫化钼溶液;（4）水玲含单层和多层二维纳米二硫化钼溶液至室温;（5）将步骤四得到的溶液再进入储料罐、柱塞泵和空化发生器,重复步骤（3）、（4）,形成制备过程的循环;（6）系统运行5～100rain后加工完成,关闭系统;（7）从储料罐中取出经步骤六得到的溶液倒人沉淀罐,经沉淀后得到的上清液即为所需的二维纳米二硫化钼溶液。本发明工艺先进,成本低,无污染,能实现工业化大规模生产。     

专利名称：钠／钼粉末压块及其生产方法

专利申请号：CN200980157548．4 公开号：CN102333606A 申请日：2009．05．14 公开日：2012．01．25 申请人：美国克莱麦克斯工程材料有限公司     

专利名称：镍钼硫析氢电极的制备方法

专利申请号：CN200910228393．0 公开号：CN101717947A 申请日：2009．11．20     

专利名称：一种还原三氧化钼前体制备磷化钼的新方法

专利申请号：CN200910070458．3公开号：CN101658796申请日：2009．09．17公开日：2010．03．03申请人：南开大学     

专利名称：利用钼尾矿生产多元素硅肥的方法

专利申请号：CN200610065870．2 公开号：CNl01045996 申请日：2006．03．28 公开日：2007．10．03 申请人：北京化工大学 本发明涉及一种铝及铝合金阳极氧化膜铈-钼盐封闭方法。采用化学与电化学相结合的方法，利用铈盐和钼酸盐溶液作为封闭溶液，     

专利名称：基于视觉感知的交互式乳腺钼靶图像检索方法

本发明涉及基于视觉感知的交互式乳腺钼靶图像检索方法。本发明方法首先读人一幅待处理的乳腺钼靶图像,利用图像分割算法标志疑似病灶,将疑似病灶区域的特征抽取出来（包括面积、偏心率、紧凑度、不变矩、Gabor特征、分维数）,在病灶数据库中自动寻找一组与疑似病灶区域的特征（包括面积、偏心率、     

专利名称：一维氧化钼纳米棒气敏材料及其制备方法和应用

本发明提供了一种一维氧化钼纳米棒的气敏材料及其制备方法及其应用。本发明采用钼盐与酸溶液在表面活性剂和超声的条件下成功制备了氧化钼纳米棒,该氧化钼直径为200～900nm,     

专利名称：一种制备十二钼酸铵的方法

专利申请号：CN200910087587．3公开号：CN101643244申请日：2009.06．29公开日：2010．02．10     

一种基于同多钼酸盐支撑化合物{[Zn(phen)2]2(γ-Mo8O26)}的合成及其结构表征

本文采用非水热法合成了一个基于同多钼酸盐支撑的化合物{[Zn(phen)2]2(γ-Mo8O26)}(phen=1,10-phenanthroline),并采用红外光谱、热重分析以及单晶X射线衍射等方法对此化合物进行了表征.结果表明,目标化合物{[Zn(phen)2]2(γ-Mo8O26)}中包含一个[γ-Mo8O26]4-阴离子基团与两个[Zn(phen)2]2+配位单元;该化合物通过C-H···O氢键把phen和[γ-Mo8O26]4-阴离子紧紧连接起来,形成了一个三维的超分子结构.     

专利名称：一种Mo基／TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法

本发明公开了一种Mo基／TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法,该方法先在半导体衬底上依次形成界面SiO2层、高K栅介质层、Mo基金属栅、TaN金属栅、硅栅层和硬掩膜层;然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀;去胶后,以硬掩膜为掩蔽,通过于法刻蚀工艺对硅栅层进行高选择比的各向异性刻蚀;通过干法刻蚀工艺对TaN金属栅、Mo基金属栅和高K介质进行高选择比的各向异性刻蚀。本发明所提供的Mo基／TaN金属栅叠层结构的刻蚀方法,适于纳米级CMOS器件中高K／金属栅的集成需要,为实现高K／金属栅的集成提供了必要保证。