斩波调制的1.25V CMOS带隙基准电压源

带隙基准电压源广泛应用在模拟集成电路中,为集成电路芯片系统提供稳定的直流参考电压,是电路设计中不可或缺的一个单元模块。设计了1.25V CMOS 带隙基准电压源电路,采用斩波调制技术改进了电路结构,以提高输出基准电压的精度。基于CSMC 0.5μm CMOS 工艺,使用Cadence工具对未采用斩波调制的电路和采用斩波调制的电路的输出电压分别在typical工艺角下进行仿真。仿真结果显示,采用斩波调制后,输出基准电压由1.05V变化到1.21V,误差由16%减小到了3.28%。     

基于BiCMOS工艺的带隙基准电压源设计

电压基准是模拟集成电路的重要单元模块,本文在0.35um BiCMOS工艺下设计了一个带隙基准电压源.仿真结果表明,该基准源电路在典型情况下输出电压为1.16302V,在-45℃～105℃范围内,其温度系数为3.6ppm/℃,在在电源电压为3V～3.6V范围内,参考电压从.16295V～1.16308V,变化了130uV,电源电压调整率为0.0186%/V.     

一种低压曲率校正带隙基准电压源

基于标准0.6umCMOS工艺,设计依据在亚阈值区工作的一阶温度补偿电路,采用VPTAT电压驱动曲率校正电路,对一阶温度补偿电路进行高阶温度补偿,获得了一种电路结构简单,性能较好的带隙基准源。经过Hspice仿真,仿真结果表明电路可以在-10-150范围内,平均温度系数约9.9ppm/oC;工作电压为1.4V。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。     

一种高精度的带隙基准电压源及电流源

设计了一种采用0．25μm CMOS工艺的高精度带隙基准电压源,该电路结构新颖,性能优异,其温度系数可达5ppm／℃,电源抑制比可达到62dB。在此基础上设计了一种基准电流源,其温度系数可达6ppm／℃,输出电流变化率仅为0．03％／V。     

无电阻带隙基准电压源

本文提出了一种无需使用电阻的带隙基准电压源。采用反函数方法,利用两对成比例的源耦差分对产生基准中与温度成正比(PTAT)的电压项。该电路实现了一阶温度补偿,在0.6μmCMOS工艺条件下,电路spectre模拟仿真结果表明,在-45°C～-80°C范围内,输出电压变化低于1mV。电源电压为4V时,功耗为52μW。     

一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计

在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度,高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路。整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进行仿真,在TT模型下,仿真结果显示当温度为-40℃～80℃,输出基准电压变化小于1.5mV,低频电源抑制比达到75dB以上。     

一种带自动消除运放失调的高精度基准电压源设计

本文介绍了一种带自动消除运放失调的基准源。通过引入时钟信号来消除运算放大器的输入失调电压,提高基准源的精度和温度特性。仿真结果表明,在TSMC的0.18μm工艺下,该基准源能将7 m V的运放失调电压减小为140μV,最大可消除20m V失调。基准源的基准电压:1.252V,输出电压纹波:6.5μV,温度系数:3ppm/℃,PSRR:-30d B@4MHz。     

一种结构新颖的曲率校正带隙基准电压源

基于0.35umCMOS标准工艺,采用一种结构新颖的温度曲率校正电路作为一级温度补偿电路的曲率校正电路,与传统的曲率校正电路相比具有更稳定的输出电压和更低的平均温度系数。经过Hspice仿真,结果表明:电压源在温度-20-120范围内,平均温度系数(TC)约1.7ppm/oC;工作电压约1.4V,获得了一个低压高精度的带隙基准电压源。该带隙基准源可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。     

一种输出可调CMOS带隙基准源

从调整电路结构着手,介绍了一种可变输出电压的基准源.这种基准电压能够在保持相对较小的电源电压和温度敏感度的情况下实现可调输出电压.     

一种高电源抑制比带隙基准电压源设计

针对实际电路中的电源噪声对带隙基准精度的影响问题,设计一款具有高电源抑制比的带隙基准源。设计包含专用的电源抑制比提高电路,辅以启动电路、带隙主体电路、温度补偿电路等。利用电压负反馈技术,使带隙基准输出电压获得高电源抑制比,减少电源对输出基准电压的干扰。对带隙基准电路设计温度补偿,显著减小温度漂移,可稳定输出2.5 V基准电压。电路在Candance Spectre环境下进行温度特性和电源抑制比的仿真,实验结果表明带隙具有较的低温度系数和较高的电源抑制能力,适用于A/D转换器,DC-DC转换器等高精度电路应用场合。     

利用平均值电路提高直流电压基准源的温度特性

根据不同直流电压基准源芯片的温度漂移互相独立的特点,研究单个电压基准源芯片输出的温度特性,提出一种利用平均值电路降低基准电压温度漂移系数的方法。实验结果表明:温度系数最优为4.5μV/℃的4个基准源芯片,经过平均电路融合输出后,温度系数减小到2.46μV/℃,可以有效地降低直流电压基准的温度漂移系数。     

一种低压低功耗的亚阈型CMOS基准电压源

介绍一种低压、低功耗和低温度系数CMOS基准电压源,该基准电压源的核心MOSFET工作在亚阈值区,采用亚阈值型MOSFET低于某个特定偏置点时,具有负温度系数的特点.电路用标准的0.35 μm CMOS工艺设计,在-40℃～+110℃范围的温度系数为262.6 ppm/ ℃时,基准的输出电压为345.36 mV.本文也...     

一种消除失调电压的低温度系数带隙基准电路

提出了一种利用多晶硅电阻的温度系数补偿负温度系数电压实现低温度系数的带隙基准电路,并且引入由二分频时钟控制的CMOS开关,使产生的失调电压正负交替做周期性变化相互抵消。采用BiCMOS 0.35μm工艺设计。仿真结果表明,此方法能够使MOS管在失配10%的情况下降低97%的失配,温度系数可达5.2 ppm/℃。工作电压为1.5 V～3.3 V、工作温度为-40℃～+70℃且工作在1.8 V常温下时,电路的工作电压为1.144 3 V,总电流为29.13μA,低频处的电源抑制比为-70 dB。     

基于Howland电流源的精密压控电流源

设计一种基于Howland电流源电路的精密压控电流源,论述了该精密压控电流源的原理。该电路以V/I转换电路作为核心,Howland电流源做为误差补偿电路,进一步提高了电流源的精度,使绝对误差仿真值达到nA级,实际电路测量值绝对误差达到μA级,得到高精度的压控电流源。仿真和实验测试均证明该方案是可行的。     

一种发动机高温差环境下的基准电压源电路

根据汽车发动机控制芯片的工作环境,针对常见的温度失效问题,提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0．181．LmCMOS工艺,采用电流型带隙基准电压源结构,具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法,实现了较宽温度范围内的低温度系数。仿真结果表明,该带隙基准电路在一50℃～＋125℃的温度范围内,实现平均输出电压误差仅5．2ppm／℃,可用于要求极端严格的发动机温度环境。该电路电源共模抑制比最大为99dB,可以有效缓解由发动机在

Abstract：

The paper presents a bandgap reference power source, which is designed to accommodate the wide range temperature environment for engine control modules and to avoid circuit invalidation caused by temperature. The bandgap reference based on current summing     

一种新颖的低电压CMOS带隙基准源设计

设计一种新颖的低电压CMOS带隙基准电压源电路.电路采用了适合低电源电压工作的nMOS输入对管折叠共源共栅运算放大器,并提出一种新颖的启动电路.基于SMICO.35μm标准CMOS工艺,Cadence Spectre仿真结果表明:在低于1-V的电源电压下,所设计的电路能稳定工作,输出稳定的基准电压为622mV,最低电源电压为760mV.不高于100KHz的频率范围内,电源噪声抑制比为-75dB.在-20℃到100℃范围内,温度系数20ppm/℃.     

一种基于MEMS传感器基准电流源设计

基于微机电系统传感器工作原理,提出了一种应用于MEMS传感器系统的低温度系数和高电源抑制比基准电流源设计方案。在研究传统Widlar型基准电流源结构基础上,运用BJT小信号模型分析,得出通过增大反馈环路增益来提高PSRR的结论。     

基于DSP的直流斩波电源的设计

介绍了一种基于DSPTMS320F2812为核心的降压(Buck)型直流斩波电源的设计。文中着重分析了直流斩波电源的硬件整体组成以及软件的设计。系统采用双闭环控制,检测变压器的原边电流作为系统内环调节,电流跟踪电压变化。斩波电源设计中采用数字P I D控制器,可以更好的实现电压、电流的控制。整个设计精简了外设,并且易于PID算法的实现,缩短了执行时间。     

电压源型高压直流输电系统的反步变结构控制

为提高电压源高压直流输电系统(voltage source converter-high voltage direct current,VSC-HVDC)受扰时的动态性能,提出一种可预测不确定度上界的反步变结构控制策略.通过分析电压源变流器dq0坐标下的数学模型,应用传统反步设计方法,获得系统变流器控制策略:为消除系统实际运行中的扰动影响,加入一个含有不确定度PI预测方案的变结构控制环节,使各子系统受扰时仍能满足Lyapunov渐近稳定条件.基于MATLAB/Simulink环境,研究了VSC-HVDC系统交流侧两相短路故障工况,仿真结果表明,采用所提控制策略的控制效果优于传统双闭环PI矢量控制,并可进一步提高VSC-HVDC系统的动态性能,系统鲁棒性增强.     

一种带有曲率补偿的宽输入带隙基准源设计

在传统的一阶带隙基准电路的基础上,通过在电路中添加串联电阻和NPN型二极管并与电阻并联的方法,实现高阶曲率补偿。该电路不仅具有结构简单、使用器件少的优点,而且还能显著提高带隙基准的设计精度。另外,较宽的输入电压范围(10 V²5 V)有利于此带隙基准源应用在更宽的领域。仿真结果表明,通过华虹NEC 0.35μm BCD工艺,使用H-spice仿真软件对该电路仿真,在0℃25 V)有利于此带隙基准源应用在更宽的领域。仿真结果表明,通过华虹NEC 0.35μm BCD工艺,使用H-spice仿真软件对该电路仿真,在0℃⁸0℃温度范围内,其带隙基准的温度系数仅为0.501 ppm/℃;在10 V80℃温度范围内,其带隙基准的温度系数仅为0.501 ppm/℃;在10 V²5 V输入电压范围内,输出电压摆幅为31.49 mV。