芯片封装引线框架的应用及市场

集成电路IC半导体产业的制造流程被分为芯片制作前工序和芯片封装测试后工序两大生产系统。封装起到保护芯片、重新分布输入／输出I／O获得更易于装配处理的引脚节距．为芯片提供良好散热通路．便于测试和老化试验等极其重要作用。IC封装有许多种板结构尺寸、外形和引脚数量．以满足各类IC发展和系统的不同要求。IC封装两个主要基本结构类别为引线框架式封装和基式封装，前是一类十分重要而技术悠久的封装，采用引线框架的产品类型仍在半导体产业中占据主导地位。     

环境与静电对集成电路封装过程的影响

本文主要叙述了半导体集成电路在封装过程中,环境因素和静电因素对IC封装方面的影响,同时对封装工艺中提高封装成品率也作了一点探讨。     

环境与静电对集成电路封装过程的影响

本文主要叙述了半导体集成电路在封装过程中，环境因素和静电因素对IC封装方面的影响，同时对封装工艺中提高封装成品率也作了一点探讨。     

基于神经网络的IC芯片图形缺陷检测技术研究

基于卷积神经网络的IC芯片图形缺陷检测方法,针对具有缺陷特征的图形图像样本集进行机器深度学习训练,可实现对IC芯片图形中如断线、起泡、腐蚀、划痕、裂纹、污染、崩边等图形缺陷的识别和区分.实验证明,这种方法可用于集成电路芯片的图形缺陷测试.     

塑封器件中高聚物的失效分析

文章分析了塑封器件中高聚物在封装固化过程中和使用过程中常见的损伤或失效,结果表明:封装固化过程中,当高聚物材料收缩受到周围材料的约束时,由于残余应力的存在,可引起气孔、孔隙、微裂纹,即形成了一系列微小缺陷;在后续的生产工艺以及产品使用过程中的热-机械载荷作用下,固化中产生的微小缺陷或损伤会扩展、汇合而形成宏观裂纹,导致...     

塑封集成电路失效分析和对策

文章主要对集成电路失效问题进行了分析和阐述。列举出容易引起集成电路失效的裂纹、弹坑的主要原因。一是压焊劈刀选型不当, 生产过程中造成芯片表面沾污, 选用压焊参数不当等都容易引起弹坑。二是存储环境恶劣导致成品电路吸潮, 环氧塑封料的耐热性、耐腐蚀性、热膨胀系数、电气特性、耐湿性以及结合力在生产制造各环节引起集成电路裂纹的产生, 从而最终导致产品失效。最后提出了预防减少产品裂纹、弹坑引起集成电路失效的方法和对策。     

新型的IC封装工艺（PLCC）及其PCB载板制造流程

一、前言： IC封装，就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，     

IC裸芯片组的积木式平面互连技术——无封装系统集成研究

本研究项目针对手机、MP4等便携式电子产品对IC芯片的高密度封装需求,采用最新的国家发明专利‘裸芯片积木式封装方法’,将在同一块印制板上的集成电路裸芯片像积木一样挤紧嵌入在PCB中,用半导体光刻工艺进行芯片间以及芯片和PCB间的直接平面互连,完成电子整机板的制造过程。采用该方法可使电子整机芯片模板的体积缩小5到20倍。本文对该项专利发明的研究内容、技术创新点、工艺实施方案及典型应用等进行了较详细的介绍。     

芯片封装技术的发展历程

集成电路（IC）的核心是芯片。每块集成电路芯片在使用前都需要封装。封装是IC芯片支撑、保护的必要条件,也是其功能实现的主要组成部分。随着芯片及集成的水平不断提高,电子封装的作用正变得越来越重要。当今芯片封装技术发展也越来越快,以满足不断快速增长的电子产品的需求。文章介绍了几种芯片封装技术的特点,并对未来的发展趋势及方向进行了初步分析。从中可以看出IC芯片与微电子封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。     

研讨发展大势 共谋奥运商机 众多国内外知名企业汇集IC CHINA 2005

日前，记者从第三届中国国际集成电路产业展览暨北京微电子国际研讨会(IC China 2005)组委会获悉，IC China 2005各项筹备工作进展顺利，目前报名参展的国内外半导体企业及相关机构己近百家，参展商涵盖了从IC设计、芯片制造、封装测试到设备材料，科研开发，服务应用及信息中介的半导体产业链的各个环节。     

TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析

针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂,利用有限元法模拟封装脱模过程阐明了芯片碎裂失效的机制.研究表明,模具内表面有机物形成的局部沾污可能阻碍芯片的顺利脱模,导致硅片内产生较大的局部应力并碎裂失效.通过模拟在不同的沾污面积、形状和位置下的封装脱模,确认了最可能导致失效的条件.芯片碎裂失效可以通过使用高弹性模量的塑封料或减小硅片尺寸得以改善.     

vfBGA内部芯片断裂问题

利用ANSYS软件以有限元分析的方法研究了vfBGA器件内部芯片断裂问题.通过建立模型和模型评价得到了适当的三维简化模型及导致芯片断裂的等效应力大小.根据对测试过程的模拟预测找到了引起芯片断裂的原因.研究发现,测试过程中设备与器件间的非正常接触所产生的应力集中是导致芯片断裂的根本原因.     

超薄圆片划片工艺探讨

集成电路小型化正在推动圆片向更薄的方向发展,超薄圆片的划片技术作为集成电路封装小型化的关键基础工艺技术,显得越来越重要,它直接影响产品质量和寿命。本文从超薄片划片时常见的崩裂问题出发,分析了崩裂原因,简单介绍了目前超薄圆片切割普遍采用的STEP切割工艺。另外,针对崩裂原因,还从组成划片刀的3个要素入手分析了减少崩裂的选刀方法。     

芯片叠层封装的失效分析和热应力模拟

通过高温高湿加速实验对双芯片叠层封装器件的失效进行了研究,观察到存在塑封料与上层芯片、BT基板与塑封料或贴片胶的界面分层和下层芯片裂纹等失效模式．结合有限元分析对器件内热应力分布进行了计算模拟,分析了芯片裂纹的失效机理,并从材料性能和器件结构角度讨论了改善叠层封装器件可靠性的方法．     

基于脉冲激光点光源热成像方法检测钢材表面裂纹

在损伤之前检测和表征钢材上的表面裂纹是一项非常重要的任务,对于涉及相关的结构安全有重大意义。本文采用了一种非接触式的脉冲激光点光源热成像技术,用于检测钢结构试件的表面破裂裂纹。使用脉冲点激光源将热量加载到材料表面,热流在传导过程中会受到裂纹缺陷的影响,裂纹的边界处阻挡的热流导致表面产生了明显的温度差,红外热像仪实时监测表面温度场的变化来实现裂纹缺陷的可视化。通过有限元仿真分析与实验验证的方法进行研究,结果表明:激励开始后,裂纹缺陷边界开始出现温度差,激励结束后,温度差达到峰值,实现裂纹缺陷的可视化;缺陷边界的温度差峰值以及出现时间与激励中心的距离相关。同时为下一步的定量检测奠定基础。     

Vertical die crack stresses of Flip Chip induced in major package assembly processes

This paper focuses on the FEM prediction of vertical die crack stresses in a Flip Chip configuration, induced in the major package assembly processes and subsequent thermo-mechanical loading. An extended Maxwell model is used to describe the time dependent inelastic behavior of the solder bumps. Two types of viscoelastic models, describing the mechanical properties of underfill resin during and after the curing process, are used. The die stresses caused by both the soldering and the underfill curing processes are obtained. These stresses are used as initial stress-state for the further modeling of subsequent thermal cycling. Using this methodology, the complete die stress evolution in a selected Flip Chip can be obtained, the physics of thermal stress induced vertical die cracks can be better understood and the possible die cracks can be reliably predicted.     

避免发生芯片裂纹的倒装片BGA技术概述

介绍了把断裂力学法应用于倒装片BGA的设计方法。概述了一些关键的材料特性和封装尺寸对倒装片BGA芯片裂纹的影响作用，从而断定基板厚度和芯片厚度是倒装片BGA芯片发生裂纹的两个最重要的因素。     

SOT23系列产品MSL1封装工艺研究

近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术研究进展迅速,尤其是封装材料及封装设备更是日趋完善。材料性能和设备能力已不再是SOT23系列产品达到MSL1要求的主要/关键限制因素。文章主要研究影响SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程因素,寻求SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程控制解决方案。通过对工艺过程中关键工序加工方法、工艺流程及工艺条件的试验,最终确定了可以稳定通过MSL1的方案,其主要做法是:在粘片后采用分段烘烤,在压焊和塑封前加等离子清洗以及对工序间间隔时间进行控制。     

利用激光超声纵波的衍射信号测量开口裂纹

激光超声的纵波声场在工件内部各个方向均有分布,相比于横波和表面波,纵波最先到达开口裂纹处,随后发生衍射以及产生波型转换现象.若提取相应含有开口裂纹信息的超声波信号,便能够达到缺陷识别的目的.基于烧蚀机制下激光超声纵波声场的分布特点,分析了衍射纵波信号的时间及相位特征,并给出了裂纹参数的表达式.建立了含开口裂纹工件的二维...     

框架载片台打凹深度对塑封针孔的影响

圆片制造技术的不断提升有效缓解了单位芯片的成本压力,同样功能的芯片尺寸越来越小,封装工艺也迫切面临提升的要求,尤其是小芯片极易在塑封工序产生背面针孔等方面的问题,这对塑封工艺提出了新的挑战。文中针对小芯片在塑封工艺中产生针孔的原理进行了深入分析,重点通过一系列试验改善针孔发生的比例,其中框架载片台打凹深度对针孔发生有重...