外延技术在半导体激光器中的应用

本文概述了用于高功率半导体激光器材料制备和器件制作的三种常用的外延方法,液相外延（ＬＰＥ）,金属有机物化学汽相淀积（ＭＯＣＶＤ）和分子束外延（ＭＢＥ）,分析了各自的特点和局限性,介绍了我们在高功率半导体激光研究方面所取得的一些进展,并比较了国内外的水平差距。     

量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

本文阐述了分子束外延（ＭＢＥ）技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ设备，实现了单量子阱（ＳＱＷ）和多量子阱（ＭＱＷ）半导体激光器外延片的生长，并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。     

GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（GRIN－SCH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到10W,峰值波长为806－809nm。     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

本文分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料 (GRIN—SCH—SQW )。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率达到 1 0W ,峰值波长为 80 6～ 80 9nm     

GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ,峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。     

双异质结半导体激光器（DHL）的研制

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ双异质结激光器。脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率的１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ。较详细地介绍了器件制作的后工艺过程。     

量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

本文阐述了分子束外延（ ＭＢＥ） 技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ 设备, 实现了单量子阱（ＳＱＷ） 和多量子阱（ ＭＱＷ） 半导体激光器外延片的生长, 并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。     

LPE生长外延片超有源层结构的SEM研究

通过对液相外延生长的外延片不同处理处理的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜来观测有源区厚度的有效方法－蒸金法，最优可观察到有源区厚度２０ｎｍ，对设计厚度为１８ｎｍ结构来说，这是一种便利有效的观察手段。     

分子束外延GaAs／AlGaAs量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器，波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下一光功率大于２０ｍＷ。     

半导体激光器的最新进展及其应用

在最近十几年来，半导体激光器已成为世界上发展最快的一门激光技术。由于半导体激光器的独特性能，使得它目前在国民经济中展现了一系列的优点，并已获得了广泛的应用。本文简述了半导体激光器的发展历史，介绍了半导体激光器的重要特征，阐述了目前主要的高功率半导体激光器结构。     

采用有效质量法对AlyGa1—yAs／AlxGa1—xAs单量子阱半导体激光…

介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图，为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算。其中，将超晶格的一些基本观点进行了约化，以期望更于应用于单量子阱结构的研究。结果表明，理论值和实验值相吻合，说明将超晶格基本观点进行了约化后，有效质量方法对单量子阱结构的理论分析和计算是十分有效的方法。     

半导体激光器的最新进展及其应用

在最近十几年来，半导体激光器已成为世界上发展最快的一门激光技术。由于半导体激光器的独特性能，使得它目前在国民经济中展现出了一系列的优点，并已获得了广泛的应用。本文简述了半导体激光器的发展历史，介绍了半导体激光器的重要特征，阐述了目前主要的高功率半导体激光器结构。研究了国内外高功率半导体激光器的开发现状，列出了半导体激光器当前的各种应用，对半导体激光器的发展趋势进行了预测。最后，对发展我国高功率半导体激光器提出了一些看法。     

锁相半导体激光器列阵

本文叙述了锁相半导体激光器列阵的工作原理。用耦合模分析的方法给出了远场分布计算公式,以及十条型锁相激光器列阵可能存在的远场分布。分析了双瓣远场和大功率输出的原因。     

GaAlAs／GaAs单量子阱列阵半导体激光器

分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱材料（CRIN－CSH－SQW）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达10W,峰值波长为806－809nm。     

激光光源的直接调制特性研究

介绍了一种具有自动功率控制(APC)、自动温度控制(ATC)及调制输入接口的半导体激光光源，并对其低频调制特性进行了深入的实验研究．给出了用高速光电探测器探测到的调制信号波形，并进一步分析了调制频率与阈值电流之间的关系，以及调制频率与平均输出功率之间的关系．     

半导体激光器材料的MBE生长

本文概述了我们最新引进的英国VG公司制造的V80H型分子束外延（MBE）设备的技术特点和性能，主要介绍了我们利用这套设备所进行的半导体激光器材料的生长研究工作。     

双异质结半导体激光器（DHL）的研制

采用液相外延（ＬＰＥ）技术成功地研制出室温脉冲激发的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａｌ－ｘＡｓ双异质结激光器．脉冲电压３０Ｖ，频率１０ｋＨｚ，脉冲宽度约１μｓ，脉冲功率约１０ｍＷ，波长８５６．７ｎｍ．较详细地介绍了器件制作的后工艺过程．     

高功率GaAlAs／GaAs SQW激光器

利用分子束外延生长装置生长出了ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱结构材料,利用该材料制作的激光二极管,室温连续工作,功率为１Ｗ,斜率效率达到１．０４Ｗ／Ａ。