金属表面的激光清洗技术及应用

激光清洗是近年来发展迅速的一种新型清洗技术.在一些特定领域,激光清洗与传统清洗工艺相比具有更好的清洗质量和更高的清洗效率.本文阐述并分析了激光清洗金属表面的物理过程,介绍了激光清洗技术在清洁小孔、去除膜层、清除放射性污染层和文物保护等方面的应用.     

微电子制造科学与技术计划中的硅片清洗

在由得州仪器公司、美国国防部远景规划局和美国空军联合资助的微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）计划中，硅片清洗的目标是开发旨在完全取代湿法清洗工艺的单片、全干法或汽相清洗工艺。氢氟酸（ＨＦ）汽相清洗和等离子体处理在去除氧化物、氮化物和金属刻蚀后的残余物方面取得了成功。但是，有效的干法工艺并不能取代炉前清洗所用的工业标准（ＲＣＡ）清洗和水冲洗。全干法工艺可能都还要花５到１０年才能成熟。以后几年，将开始采     

半水基非ODS液晶清洗技术的应用研究

本文就COG-STN等精细线路高档LCD液晶屏狭缝液晶、电极引脚及玻璃表面的清洗,从非ODS清洗剂、清洗工艺和清洗设备三个方面进行了研究,结果表明使用半水基非ODS清洗剂Fisher2000-1和UEA-8090八槽式水基超声波清洗机清洗能满足产品品质的要求.     

高密度印制板组件离心清洗工艺技术研究

针对低架空高度、高密度封装BGA和CSP底部难以清洗干净的难题,将离心清洗工艺技术应用于PCBA的清洗中.探讨清洗溶剂选择原则,研究离心清洗工艺原理,设计和优化了离心清洗工艺流程,设置了离心清洗工艺参数,分析以上因素对高密度印制板组件清洗效果的影响规律.清洁度检测结果表明:清洗溶剂选择正确,清洗工艺流程合理,离心清洗工...     

半水基非ODS液晶清洗技术的应用研究

本文就COG-STN等精细线路高档LCD液晶屏狭缝液晶、电极引脚及玻璃表面的清洗,从非ODS清洗剂、清洗工艺和清洗设备三个方面进行了研究,结果表明使用半水基非ODS清洗剂Fisher2000-1和UEA-8090八槽式水基超声波清洗机清洗能满足产品品质的要求.     

一种新型超净高纯试剂在半导体技术中的应用

通过对新型超净高纯试剂同常规CMOS酸碱试剂同时进行CMOS工艺中栅氧化前的清洗实验,从清洗后硅片残留金属量的电感耦合高频等离子体原子发射光谱分析、硅片表面形貌的AFM分析和MOS电容测量三个方面进行了应用实验.结果表明,以超净高纯乙腈为主要组分的新型试剂,其清洗效果总体优于常规CMOS酸碱试剂,可以考虑在半导体器件相应清洗工艺中采用.     

微波组件半水清洗工艺研究

从清洗剂、清洗温度、清洗时间等方面进行分析和试验,研究了一种新型半水清洗工艺,并且通过重新设计设备工装,最终能在同一个清洗腔内同时清洗大小不同、形状各异的低频电路组件、高频电路小模块和大壳体,并且不会对元器件和电路板造成损伤,大大提高了军工产品的清洗效率,满足军工科研生产单位"多品种、小批量"产品的清洗要求,从而有效替代传统的超声清洗工艺。     

如何制定军用印制板组装件手工清洗工艺方案

文章主要论述了手工清洗剂的分类;手工清洗剂的选择应考虑哪些特性;手工清洗工艺方法;几种手工清洗剂的特性、材料兼容性及清洗后的效果.并给出了批量手工清洗方案和返工返修类手工清洗方案.批量手工清洗方案重点在必需进行二次漂洗,返工返修类用喷雾罐喷淋并用无纺布擦拭干净.     

PCB清洗工艺及半水清洗工艺的应用

清洗是PCB组装中的一道重要工序,它对电子产品的质量和可靠性起着极为重要的作用.对于高性能电子产品,不论是通孔插装还是表面组装,在回流焊、波峰焊或浸焊后,基板及其组件都需要进行严格有效的清洗,以去除助焊剂残留物和各种污染物.特别是对于表面组装工艺,由于助焊剂可进入表面组装元器件和基板之间的微小空隙中,从而使清洗显得更为...     

光伏太阳能硅片清洗工艺的探索

对两种不同清洗方法的工作原理、清洗效果和适用范围等特点进行了分析。不同的工艺应采用不同的清洗方法才能获得最佳效果。介绍了硅片清洗机的清洗工艺和腐蚀工艺。指出了硅片清洗工艺的发展趋势。     

替代ODS清洗工艺的选择与对设备的要求

本文仅对清洗工艺的选择内容、清洗工艺的选定原则、清洗工艺试验和清洗质量评价，以及对清洗设备的要求和清洗设备的导入验收，从用户角度提出一些认识和看法。     

精密掩模清洗及保护膜安装工艺

光刻工艺及其成品率对掩模洁净度要求极高.通过一系列研究分析,找到了传统掩模清洗工艺的一些缺点和局限性,借鉴和参考了传统掩模清洗工艺,克服了其局限性.基于精密掩模对加工质量的高要求,安装了保护膜并改进了精密掩模清洗工艺,通过试验形成了最终工艺.新清洗工艺的开发满足了0.5μm掩模加工洁净度要求.     

离心清洗在印制电路板清洗中的应用

良好的清洗方法对产品的长期可靠性有具非常关键的作用。离心清洗的作用力可作用于元器件和电路板之间的任何空间,清洗作用力均匀,清洗洁净度高,清洗效果好,有效去除PCB残留物。离心清洗对元器件无损伤,满足高精度高可靠性PCB清洗要求。主要介绍了新型的离心清洗方法。     

替代ODS清洗工艺的选择与对设备的要求(二)

3．对清洗设备的要求和清洗设备的导入．验收。3．1对清洗设备的要求。替代ODS清洗改造项目一般都需要针对项目的具体情况重新制造清洗设备，直接利用原有清洗设备或稍加改造就能达到替代ODS清洗目的的情况很少。通过清洗工艺试验和清洗质量评价确定的清洗工艺方案，是设计制造新清洗设备的基本依据之一；而另外一个更原始的基本依据则是     

除了性能,环保、成本也很重要

随着对清洗技术的要求与日俱增,成本因素也变得越发重要。但是这一切并非是无本之源,如果清洗技术的表现差强人意,那么经济方面也不会有显著的改善。Tokyo Electron公司资深应用工程师Ian Brown说：“对于清洗技术而言不仅需要在提高清洗能力、效率、避免材料损失、确保刻蚀均匀性等方面有所建树,而且还要进一步降低成本花费。”实现绿色清洗,那么就必须满足性能和成本两方面的需求。     

半导体单晶抛光片清洗工艺分析

通过对Si,CaAs,Ge等半导体材料单晶抛光片清洗工艺技术的研究,分析得出了半导体材料单晶抛光片的清洗关键技术条件.首先用氧化性溶液将晶片表面氧化,然后用一定的方法将晶片表面的氧化物去除,从而实现对晶片进行清洗的目的.采用这种先氧化再剥离的方法,可有效去除附着在晶片表面的杂质及各种沾污物.对于不同的材料,氧化过程以及剥离过程可以在不同的溶液中相互独立地进行;也可以组合在一起,使用一种混合液同时实现氧化及剥离.采用氧化、剥离的清洗原理,可提高半导体材料抛光片的清洗工艺技术水平,同时也对新材料抛光片的清洗工艺起到一定的指导作用.     

38CrMoAl材料表面污染物激光清洗技术

采用脉冲激光对38CrMoAl材质样件进行了激光清洗试验研究,通过显微镜、白光干涉仪、台阶仪、红外测温仪等分析方法,研究了38CrMoAl材料表面污染物的清洗阈值、损伤阈值、激光功率密度对清洗效果的影响规律。结果表明,当激光功率密度大于1.22 J/cm2时,样件表面污染物开始被有效清除,对应污染物的清洗阈值,当能量密度增加到3.11 J/cm2时,38CrMoAl基材开始出现损伤,对应基材的损伤阈值;当能量密度位于清洗阈值和损伤阈值之间时,清洗机理主要为振动效应;当激光能量密度为2.36 J/cm2时,清洗效果最好,样件表面污染物去除干净,清洗前后表面粗糙度基本没有变化,基材无损伤,激光清洗可满足38CrMoAl材质样件的精密清洗需求。     

半导体晶圆自动清洗设备

主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的清洗工艺中得到广泛使用,具有极大的社会经济效益。     

利用离心式半水工艺实施清洗处理

电子装配厂商应该合理的选择清洗方案来实现PCB的清洗。在符合有关保护环境要求的同时,也能够符合用户的使用安全和效果要求。选择和采用合适的材料可以确保电子组件的装配过程远离污染,但具有非常密集尺寸的高密度组装对清洗操作带来了挑战,这就可以通过采用离心式半水清洗来进行解决。     

微孔沉镀铜前处理研究

对微孔金属化前处理进行了深入的研究。利用正交实验确定了等离子清洗的最佳条件,利用全面实验研究了等离子清洗,超声波清洗,PI调整等在微孔沉镀铜方面的应用,并通过重复性实验证明了以上实验结论的可靠性,从而实现了在公司现有条件下微孔金属化的目标。