专利技术

硅甲烷低温生产及副产物综合回收工艺 本发明属于多晶硅技术领域，具体涉及硅甲烷低温生产及副产物综合回收工艺。过去，硅甲烷属特种气体，一般用于科学研究，需求量不大，目前，随着太阳能产业的迅猛发展，硅甲烷不仅提出了纯度的要求，而且需求量日益增大，传统小规模制取硅甲烷工艺操作复杂，成本高，生产效率低，反应放出的热不能及时散去，造成工艺安全低下，且在原料流加中造成硅烷和氨的泄漏，污染环境。     

专利技术

超临界二氧化碳染色装置及其工艺方法;超临界二氧化碳染色装置中的染色釜;超临界二氧化碳染色装置;天然色素超临界二氧化碳一步染色方法;残余气体读出仪;     

专利技术

一种增大CH4和N2分离因子的分子筛改性方法本发明公开了一种增大CH4和N2分离因子的分子筛改性方法,属于分子筛技术领域。方法是：将Naβ型分子筛浸渍于一定浓度的H2SO4、H3BO3和NH4NO3的水溶液中,经过滤、干燥、灼烧,     

专利技术

变压吸附气体分离节能工艺;用于分离二氧化碳的复合膜;一种吸附CO2用超级活性炭粉体的成型方法;一种纳米催化复合氮化物储氢材料及其制备方法;一种氯化氢催化氧化生产氯气的装置及方法     

以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜

报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.     

专利技术

一种精馏法制备高纯气体的方法和系统 摘要：本发明涉及精馏法制备高纯气体的方法及系统。本发明方法将目标气体原料首先经脱轻塔脱除轻组分杂质，再经脱重塔脱除重组分杂质，所得提纯气体压缩成为压缩气体，所述压缩气体至少分出两部分，分别作为脱轻塔塔釜再沸器和脱重塔的塔釜再沸器的热源，其自身被冷凝为液体后合并储存，所述储存的液体分为三部分，其中两部分各自进行节流膨胀后分别作为脱轻塔塔顶冷凝器的冷却介质和脱重塔的回流液，第三部分作为产品采出。本发明系统包括脱轻塔、脱轻塔塔顶冷凝器、脱重塔、压缩机、脱轻塔塔釜再沸器、脱重塔塔釜再沸器、液体储罐及连接管线。本发明的方法和系统设备简单，能量节省，操作灵活，应用广泛，易于维修，且对公共工程要求少。     

专利技术

一种碳酰氟的纯化方法 摘要：本发明涉及一种碳酰氟的纯化方法,属于氟化工、电子工业气体技术领域。该纯化方法：先将COF2粗产品气体进行脱轻和脱重处理：脱轻处理时,纯化装置底部为-112～-48℃,压力为0．01～0．6MPa,顶部比底部低0．5～30℃;脱重处理时,     

专利技术

一种抗菌性纳滤膜的制备方法 申请号：CN200810032415 专利权人：上海大学 本发明是采用含银聚电解质络合物和利用层层静电自组装技术制备抗菌性纳滤膜。通过含银的聚阳离子溶液在基膜表面的交替沉积,再利用还原剂原位还原制备出具有抗菌性的含银纳滤膜。     

“东田”专利技术获汕头市政府嘉奖

汕头市东田转印有限公司的中国发明专利“一种转印膜的生产方法及其制品”被授予汕头市专利优秀奖，公司总经理陈松洲被授予汕头市优秀专利发明人奖。专利技术获得地方政府的嘉奖，这在我国包装行业还属首例。     

专利技术

高纯磷烷的净化和分析申请(专利)号:201010284480.0公开(公告)日:2012-04-04申请(专利权)人:武峰摘要:高纯磷烷研制的工艺过程分为两步,第一步为磷烷气体的生成,即用起始原料亚磷酸生产出约2N纯度的磷烷;第二步是采用低温真空分离、吸附干燥、精馏和镓-铟合金或催化剂深吸附     

“东田”专利技术获汕头市政府嘉奖

汕头市东田转印有限公司的中国发明专利“一种转印膜的生产方法及其制品”被授予汕头市专利优秀奖，公司总经理陈松洲被授予汕头市优秀专利发明人奖。专利技术获得地方政府的嘉奖，这在我国包装行业还属首例。     

“东田”专利技术获汕头市政府嘉奖

汕头市东田转印有限公司的中国发明“一种转印膜的生产方法及其制品”被授予汕头市专利优秀奖，公司总经理陈松洲被授予汕头市优秀专利发明人奖。专利技术获得地方政府的嘉奖。     

三氯氢硅制备工艺研究进展

高纯多晶硅生产过程中最重要的原料就是三氯氢硅(SiHCl3),近年来随着光伏产业得迅猛发展,SiHCl3的价格也相应地水涨船高,近几年的平均报价已经超过8000元/t.由此可见,如果多晶硅工厂通过外购而不是自产SiHCl3,其成本是何其之大.若增加制备SiHCl3的工序,不仅可降低多晶硅生产成本,更重要的是,使整个多晶硅生产实现闭环生产成为了可能.而且,SiHCl3制备工序可以根据其工艺特点承担整个多晶硅生产的尾气回收再利用和少量废气的回收处理,基本实现最低成本和零污染.由此可见SiHCl3制备工艺对整个多晶硅生产的重要性.     

多晶硅生产中副产物SiCl4的综合利用

在氯化氢（HCl）合成制备三氯氢硅（SiHCl3）过程中,除主要产品SiHCl3外,还有大约15％左右的四氧化硅（SiCl4）副产品,另外还有二氯氢硅（SiH2Cl2）等。在SiHCl3氢还原中,还伴随有SiHCl3的热分解而生成的SiCl4、SiH2Cl2和HCl等,     

专利技术

一种轻金属内衬玄武岩纤维全缠绕复合气瓶及其制造工艺,包括：一轻金属内衬;复合有环氧树脂材料的玄武岩纤维缠绕层,该玄武岩纤维缠绕层形成于所述轻金属内衬外表面上,且通过该玄武岩纤维缠绕层中的环氧树脂材料使其与轻金属内衬紧密地粘结成一体;以及涂覆于所述玄武岩纤维缠绕层外表面的保护胶层。本复合气瓶满足合理的应力场分布,保证复合气瓶在使用最小的纤维用量条件下能承受最大的爆破压力,具有持久的良好气密性能和最佳的安全性能。     

专利技术

摘要：本发明涉及储氢材料领域，尤其涉及一种固-液硼氢化物复合储氢材料及其制备方法。一种固-液硼氢化物复合储氢材料，其是由碱金属硼氢化物固体储氢材料与铝基硼氢化物液体储氢材料复合组成。该固体储氢材料与该液体储氢材料的摩尔比为2：8—8：2。     

专利技术

摘要：本发明公开了一种用于汽车空调的碳氢混合制冷剂,由丙烯、二甲醚以及五氟丙烷混合组成,各组分质量百分比为：丙烯10％～20％;二甲醚60％～80％;五氟丙烷10％～20％。同时公开了其制备方法。作为替代R134a的碳氢混合制冷剂,本发明制冷剂不破坏臭氧层,温室效应潜能也较低、低毒、节能、制冷性能佳、用量小、与原有R134a制冷润滑油有很好的相容性,对于汽车空调,无需改动原有设备,可实现灌注式替代R134a。同时,其制备工艺简单,成本低。     

赌局：物理法多晶硅的未来

深居制造业上游的材料业从未如光伏行业这般,一举一动掀动下游巨大波澜。在各国光伏战略或计划的带动下,世界光伏产业进入全新的历史时期。硅材料,作为太阳能电池行业的基础和核心,成为产业链上竞争的焦点。光伏市场风云变幻,多晶硅价格大起大落。核心技术西门子法、物理法多晶硅生产技术的拥护者明争暗斗,蔚为壮观。两种生产方法和思路之间的“博弈”使得硅材料技术的演化颇具戏剧色彩。今日王者能否延续旧日辉煌,昔日草根何日才能拨云见日？     

超材料专利技术创新态势研究

通过对德温特专利数据库中收录的超材料技术专利进行深入分析,从专利技术的发展、技术来源国家分布、主要国家技术申请趋势、技术研发热点以及技术研发主体五个方面揭示了全球超材料技术创新的趋势,以期为我国科研机构的技术研发提供决策支持。研究表明,全球超材料技术目前正处于深入研究阶段,专利申请主要围绕高性能天线、光学透镜、超材料自身结构的实现等技术主题展开;中美等国是发展超材料技术的中坚力量,其中深圳光启是技术申请的领军人物,美、韩、日等国的多家企业和科研院所也在积极研发,全球市场竞争态势正在逐渐形成。     

专利技术

一种均相阳离子交换膜及其制备方法 本发明特征是以苯乙烯或／和烷基苯乙烯为单体，以二乙烯苯为交联剂，以过氧化苯甲酰或偶氮二异丁腈为引发剂，以溴甲基化聚（1，4-二甲基2，6-苯撑氧）或氯乙酰化聚（1，4-二甲基2，6-苯撑氧）为高分子增强剂，配制成均匀溶液在增强织物上涂膜，聚合所得基膜再在浓硫酸和氯磺酸的混合酸里磺化获得均相阳离子交换膜．