铁电薄膜与底电极之间界面的异质结效应

铁电薄膜与底电极之间由于高温扩散而形成了界面层，且观察到其对薄膜电性能的影响类似于硅衬底上铁电薄膜的异质结效应。基于能带理论的考虑，建立物理模型来解释其影响。该界面异质结膜型不仅可以解释铁电薄膜的界面分层、电滞回线不对称等现象，而且还成功地解释了电滞回线中心在极化轴上的偏移和疲劳循环过程中的偏移增加，并探讨了这种偏移对铁电薄膜疲劳特性的影响。     

铁电陶瓷薄膜与薄膜器件

介绍了铁电陶瓷薄膜的发展概况、制备技术、应用以及薄膜器件的制造和种类。     

铁电薄膜光伏效应及形成机制研究进展

铁电薄膜具有反常光生伏打效应,且光伏特性可以通过电场进行调控,在铁电光伏电池、光驱动器、光传感器等方面具有广阔的应用前景.本文对锆钛酸铅、锆钛酸镧铅等铁电薄膜及铁酸铋多铁薄膜的铁电性与光伏特性的关系、界面效应、尺度效应、空间电荷效应等方面及铁电光伏形成机制进行了归纳和分析.今后的研究重点将集中在铁电薄膜电畴驱动光伏形成机制和光伏特性的电、磁场调控机制上.     

溅射法低温生长纳米硅薄膜及异质结电池

用射频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在100℃左右,工作气体选用H2 Ar,氢气的分压控制在31%到73%,同时改变薄膜的沉积时间.用Raman、XRD、AFM、SEM 及椭偏仪对薄膜的特性进行了测定.XRD的测试结果表明,样品中存在一种微结构,不同于用PECVD方法生长的薄膜.椭偏仪的测试结果给出这种薄膜具有宽带隙.在室温条件下对异质结薄膜电池的I-V特性进行了测量.     

铁电薄膜及铁电存储器的研究进展

铁电薄膜是具有铁电性且厚度尺寸为数纳米到数微米的薄膜材料,因其在非挥发性铁电随机存储器方面的潜在应用而受到广泛关注.综述了新型无铅、无疲劳Bi4Ti3O12(BIT)基铁电薄膜材料的制备和改性及性能表征方法,阐述了铁电薄膜的3种失效机制及铁电薄膜存储器的研究现状,最后提出了铁电薄膜及存储器今后可能的研究方向.     

铁电薄膜应用研究进展

简要综述了铁电薄膜在铁电存储器、MEMS系统、微波器件、光电器件等几个方面的典型应用,并对国内铁电薄膜的研究及发展作了概述.     

基于聚噻吩衍生物的异质结薄膜太阳能电池

近年来聚噻吩衍生物作为电子给体材料的异质结薄膜成为国内外研究的热点.讨论了异质结薄膜太阳能电池的工作原理,重点分析了材料、混合比例、制作工艺等对聚噻吩衍生物异质结薄膜太阳能电池性能的影响,并指出了今后聚噻吩衍生物异质结薄膜太阳能电池的发展方向.     

铁电隧道结的研究进展

铁电隧道结是一种具有量子隧穿效应和电致电阻效应的新型隧道结.从铁电隧道结的基本理论出发,针对势垒层和电极材料选取的角度详细介绍了铁电隧道结的研究成果,揭示了材料选取对隧道结中铁电性保持的重要影响,含铅的钙钛矿型氧化物作为铁电势垒层是目前研究的重点.铁电隧道结的研究正向着无铅材料及多铁隧道结方向发展.最后讨论了铁电隧道作为存储器单元应用的可能性与优点.     

沉积在Pt电极上的铁电PZP薄膜特性

研究了射频磁控溅射沉积在Ｐｔ电极上的Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ２薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的ＰＺＴ薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上，探讨了薄膜ＰＺＴ相的形成机理。其电性能的测试表明，这种铁电ＰＴ（５３／４７）薄膜具有较好的铁民性能和疲劳特性。在６００℃下ＰＺＴ薄膜的剩余极化强度Ｐｒ为２４．８μＣ／ｃｍ＾２，矫顽场强度Ｅｃ为７０ｋＶ／ｃｍ。２１０ｋＶ／ｃｍ的     

沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性

研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb（Zr0．53Ti0．47）O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上，探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明，这种铁电PZT（53／47）薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24．8μC／cm2，矫顽场强度Ec为70kV／cm。210kV／cm的电场下，疲劳循环直到4×108次时，最大极化强度仍有20．6μC／cm2，降低了约34％，其剩余极化强度保持为10μC／cm2左右。     

航空航天领域中有广泛应用前景的铁电薄膜

本文回顾了铁电薄膜材料及当前的几种主要制备技术。介绍了这种薄膜材料在非挥发性存储器 、表面波器件、显微定位及驱动器等方面的应用。特别指出了在军用飞机、导弹、卫星等飞行器上装载的计算系统，若应用铁电非挥发性存储器将显著提高计算系统的性能。     

Pt／Ti电极的扩散行为及其对铁电薄膜的影响

采用直流磁控溅射方法制备Ｐｔ／Ｔｉ电极，用ＲＢＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ方法研究了Ｐｔ和Ｔｉ的扩散行为，发现在氧气氛中进行热处理造成Ｔｉ层的快速氧化，Ｔｉ厚度对Ｐｔ／Ｔｉ的扩散有很大影响。Ｐｔ／Ｔｉ的扩散造成其上的铁我差的显微结构和性能。     

铁电薄膜材料及其相关问题研究进展

铁电薄膜材料是目前国际上研究的热点之一.综述了铁电薄膜及其制备技术研究的新进展,介绍铁电薄膜材料的性能及应用,并重点分析了铁电薄膜不同制备技术的优缺点,指出了目前关于铁电薄膜研究中的一些重要问题.     

铁电PLZT薄膜的钙钛矿型结构与性能的研究

讨论了用射频磁控溅射沉积的ＰＬＺＴ（７．５／６５／３５）陶瓷薄膜的结构和铁电性能。研究表明，在不加热的Ｐｔ／Ｔｉ／Ｓｉ衬底上沉积ＰＬＺＴ薄膜即钙钛矿型的高度取向薄膜，没有绿石相出现，同时具有很好的微观结构；增加薄膜的厚度导致ａ轴取向的增长；火处理有助于ＰＬＺＴ薄膜的钙钛矿相的增长并在薄膜中出现了蔷薇状共晶组织。这种ＰＬＺＴ薄膜的剩余极化强度、矫顽场强度分别为２２．９μ／ｃｍ＾２和６２．４ＫＶ／ｃｍ     

铁电薄膜的微波介电性能测量方法综述

铁电薄膜在微波器件领域具有广阔的应用前景,微波介电性能的优劣是其能否投入应用的重要判据之一.主要介绍了铁电薄膜微波介电性能的几种简单的、易于操作和实现的测量方法及其原理,重点综述了铁电薄膜微波频段下相关测量方法的适用范围、可靠性及对样品的要求,并对其发展趋势进行了展望.     

CuO/ZnO复合膜异质结的制备及其湿敏特性

用直流气体放电活化反应蒸发及光刻技术，在普通玻璃衬底上制备出开放式薄膜型CuO／ZnO半导体pn结。该pn结的I－U曲线呈整流特性，在室温下，正向伏安特性曲线确相对湿度的变化而改变。相对湿度增加，pn结的正向电流增大，而反向电流的变化可忽略。pn结的偏压不同，相对湿度变化所引起的电流变化不同。这种湿敏特性是由于对薄膜刻蚀图案形成的开放式pn结部分暴露于大气的结果。     

新型铁电薄膜底电极TiN的结构与电性能研究

自制了导电的TiN薄膜底电极,并在其上制备了铁电钽酸锂薄膜,测试了TiN薄膜电阻随热处理温度变化的关系,以及TiN底电极上钽酸锂薄膜的介电和漏电特性.实验结果表明,当热处理温度低于700℃时,TiN薄膜的电阻率小于0.004QΩ·cm,具有良好的导电性,可用作钽酸锂薄膜底电极;TiN底电极上钽酸锂薄膜的漏电电流大于Pt衬底上钽酸锂薄膜的漏电电流;N2气氛下在TiN底电极上结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗远大于O2气氛下结晶的钽酸锂薄膜的介电损耗;氧缺位是TiN底电极上钽酸锂薄膜介电损耗大和漏电大的主要原因.     

喷墨打印电极在薄膜晶体管中的应用

喷墨打印技术具有成本低、环境友好、效率高和直接写入等优势,被广泛应用于薄膜晶体管(TFTs)中图形化电极的制备。高密度、大尺寸、柔性和低能耗电子器件的快速发展,对打印电极质量提出了更高的要求。文章对导电墨水、喷墨打印技术及喷墨打印电极工艺优化进行了总结,并指出了现阶段喷墨打印电极在薄膜晶体管应用中存在的问题及今后的研究方向。