一种新的提高变容二极管调频电路频率稳定度的温度补偿方法

提出了一种新的保持变容二极管调频电路在高、低温环境下载频稳定的温度补偿方法。介绍了该温度补偿方法的基本原理，给出了电路模型，通过实验对实际电路进行了分析与标定。实验表明，该方法简洁实用，有很广的应用范围。     

提高变容二极管调频电路频率稳定度的温度补偿方法

本文提出了一种保持变容二极管调频电路在高、低温环境下载频稳定的温度补偿方法，介绍了补偿方法的基本原理，给出了电路模型，通过实验对实际电路进行了分析与标定。该方法简洁实用，有很广的应用范围。     

通信电子电路中二极管的频率变换功能

晶体二极管是一种简单实用的通信电子器件。通过分析其单向导电性与压控电容特性,认为在通信电子电路中使用晶体二极管主要有三种典型的频率变换功能,即在振幅检波电路中的整流作用,在混频电路中的开关作用以及在调频电路中的变容作用。     

变容管调频技术及电路工作原理分析

本文叙述了变容二极管调频原理及调频锁相环路工作原理，并对ＴＦ７０５０调频发射机调制单元电路工作原理进行了分析。     

变容二极管倍频器

在高频电路中,变容管能产生丰富的谐波和具有高的效率,被越来越广泛地用于调频振荡、参量倍频、参量混频、参量放大和电调谐等电路中。本文只讨论变容二极管倍频器。一、变容管倍频原理变容二极管是一种非线性电容元件,它的PN结势垒电容能够灵敏地随反向偏压的改变而变化。当所加反向偏压较低时,变容二极管的等效电容就大。当所加反向偏压较高时,变容管的等效电容就小。其电容     

变容二极管调谐体效应振荡器的CAD

本文建立了一种新的 Gunn VCO 的电路模型,计算了 Gunn 管和变容二极管之间的径向盘耦合电容。首次利用谐波平衡法对 Gunn VCO 进行了非线性分析,设计并制作了一 Ka 波段混合集成 Gunn VCO,实验结果与 CAD 结果进行了比较,证明了该种电路模型与分析方法的有效性。此外利用该分析程序研究了Gunn 管和变容二极管之间的耦合与调谐带宽的关系。在分析的基础上,利用线性拟合误差函数作为 Gunn VCO 频率调谐线性度的优化目标函数,对 VCO 的频率调谐特性进行了优化,确定了此种电路在最佳线性调谐时 PN 结幂指数γ的值,从而在理论上对满足线性调谐的变容二极管提出了要求。     

一种宽频带调频振荡器

一、前言由于调频制无线电通信的一系列优点,不少通信装备采用了这种调制制度。因此如何获得调频信号的问题,就显得特别重要。目前一般宽频带调频的方法是采用变容二极管的调制方法。采用变容二极管的调制方法当然可以获得较大的频偏,但是也存在不少问题。首先是变容二极管特性的一致性较差,即使同一型号的管子,其超突变中心电压值也有所不同,为了获得良好的调频所用的偏压E_0也应当有所不同,这样,调频振荡器的中心频率彼此不同,     

使用VCO实现变容二极管直接调频

介绍了一种使用VCO实现调频的锁相环电路并给出了关键技术,变容二极管直接调频和锁相,环路滤波器的设计及实验结果。该电路不仅具有低相位噪声、高稳定载波、很小的非线性失真,而且具有理想的音频调制频响。     

采用△VBE电路的低电压参考

最近常常在讨论齐纳二极管电压参考的作用与优势。尽管齐纳二极管是一种既稳定又精确的电压参考，但它们也要求高偏置电压（通常最小为8V）。这种高偏压要求将大多数齐纳二极管参考排除在源电压为5V（或更低）的电路以外。尽管能使用低偏压齐纳二极管，但其温飘会使其不能用于精密应用中。所有半导体结构都具有对温度敏感的基本电路，因此任何半导体参考都必须采用某种形式的内置温度补偿。齐纳二极管参考即采用内部串联二极管来进行温度补偿。基一射极偏差电压电路也具有同样的温飘问题和相应的解决方案，但由于其不依靠齐纳结，因此能在较低电压上工作。     

变容二极管背靠背拓扑结构的性能分析

针对变容二极管在实际应用电路中,由于非线性所造成的寄生调制、频率抖动、频率失真、AM to PM噪声引入等问题,文中采用变容二极管背靠背拓扑结构(BBS),通过改善压控线性度来降低电路RF调制、频率抖动、相位噪声等影响,既能抑制非线性导致的寄生调制现象,又简化了调节电压。为目前广泛应用变容管作为电调元件的电路提供了参考。     

硅调谐变容二极管的特性

<正> 变容二极管是指它的端电容按一定的方式随反向偏压而变化的一种半导体二极管。调谐变容二极管的电容—电压特性适用于调谐电路(如在电调谐器UHF和VHF频段中作调谐用),其特点是串联谐振频率和截止频率远高于使用频率。现以无锡元件四厂生产用于C型电调谐器的2CC32型调谐变容二极管为例,介绍其有关特性。     

集成温度补偿二极管的研制

温度补偿二极管主要用于各种电子线路的电压基准电路中,其作用是利用其正向的负温度系数在电路中作温度补偿用。我们采用集成电路的方法设计了一种温度补偿二极管,且该二极管可采用国际通用的DO-35封装。现以温度系数为-4.6mV/℃(典型值)、正向压降为1.18～1.28V(I_F=3mA)的温度补偿二极     

变容二极管射频特性参数的提取

变容二极管的特性参数在仿真电路中是一项重要的参量,低频范围内可以由使用说明书上获得参数值,但将其使用在射频范围内时无法获得变容二极管准确的射频参数值。这里基于微波网络转移矩阵级联的理论,自制了一个用于变容二极管射频特性参数提取的平台。同时利用Matlab编程计算,经过校验后确保了平台的可行性。最后利用自制的测试平台对一款变容二极管进行了射频特性参数的提取,方法简单,可行性较强,对其他的研究工作具有一定的参考意义。     

负载受控张弛振荡器大频偏调频电路

大频偏调频信号广泛应用于大容量微波中继通信、卫星通信、网络频率特性测量等。目前产生大频偏调频信号的方法一般有超突变结变容二极管调频法和可控恒流源对张弛振荡器直接调频法两种。笔者则认为,负载受控张弛振荡器直接调频法,即张弛振荡器的负载受控于调制信号,使该振荡器输出大频偏调频信号的方法,在电路实现上比较简单可靠。     

一种基于声表单端谐振器调频电路的设计

分析了目前UHF频段调频电路的特点,设计了一种基于SAW单端谐振器UHF频段的调频电路,较为详细地阐述了设计思路:首先是声表面波单端谐振器的优化设计,其次是电路设计;该电路利用变容二极管直接调频,具有结构简单、中心频率稳定、调试方便等特点;适合于无线话筒、无线对讲、无线耳机、无线遥控、无线数据采集等各种中低档无线通信设备中。     

1400MHz硅双极低功耗÷8ECL静态分频器

本文介绍了一种超高速ＥＣＬ硅双极低功耗÷８静态分频器的电路原理，电路设计，版图设计，工艺设计及研制结果。整个电路设计以提高电路工作速度和温度特性为中心，采用优化的开关电流分配，最佳的电路工作点位置，带温度补偿的电阻反馈网络结构和合理的版图设计，来提高工作速度和保证良好的温度性能。     

如何在老化调整后减小TCXO误差

温度偿补晶体振荡器(TCXO)需要定期调整以修正老化漂移。对于内部补偿的振荡器,它是一种在工作温度范围内通过变容管调谐的振荡器,其老化调整是借助于改变振荡环路中电抗元件完成的。但是在老化调整后,继而使原有的频率对变容二极管偏压变化的灵敏度发生改变,因此,变容二极管相当于总负载电抗的差别部分。这种经过老化调整而改变的灵敏度干扰了原来的频率——温度特性,并且引起某一调谐偏离误差。为了充分发挥数字谐偏离误并满足某些新军用规程如SINGARS制定的调谐偏离误差规范要求,需要有一种方法来减小TCXO的调补偿的优点差。实现老化调整的另一种方法,是改变变容二极管的直流偏压。假如振荡器的频率与电压曲线完全是线性的,则电路对变容二极管偏压的灵敏度(PPm′v)就能保持恒定,在频率——温度特性曲线中不会引入附加的误差。对于串联与并联谐振两种振荡器的电压线性度要求,是与使用一个并联谐振晶体的TCXO的误差分析一道讨论的。本文给出了电容和变容二极管调谐的两种振荡器的比较数据。比较数据及误差分析两者表明:变容二极管调谐对于减小TCXO中调谐偏离误差是一种可行的技术。     

基于TRL的3mm波段变容二极管对建模方法

本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建立了精确的3mm波段二极管对电路模型.采用TRL算法,通过拟合初始二极管S参数曲线和TRL测试参数确定芯片电路模型中各集总参数元件数值.二极管对在片各项测试结果和基于改进的电路模型仿真结果相吻合.该二极管对电路模型建模方法可应用于毫米波亚毫米波混频倍频电路的准确分析与设计.     

一种简易微波VCO的设计*

描述了一种高性能简易微波VCO器件的设计和实验。该器件基于负阻原理设计,利用微波FET和变容二极管等分立元件制作,具有高性价比的特点。设计过程中利用ADS软件进行电路的匹配和优化,通过合适的外电路设计对变容二极管VCO的调频线性度进行改善,同时,降低了VCO的相位噪声。实际电路的测试结果表明,当该VCO的中心频率为4.3GHz时,其调谐范围大于200MHz,输出功率大于5.2dBm,相位噪声优于-112dBc/Hz@1MHz和-83dBc/Hz@100kHz。     

16.384 MHz压控恒温晶体振荡器设计

设计了16．384MHz小型压控恒温晶体振荡器，通过修正变容二极管的非线性，改善了压控线性度，满足了用户要求。通过对恒温电路的零点漂移补偿，提高了温度稳定度，并通过对恒温槽结构的改进，提高了振荡器的温度特性和频率稳定度。