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相似文献
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1.
《电子产品世界》2005,(8B):50-50
Maxim推出一款双路、大功率、线性稳压控制器——MAX8737,通过外部n沟道MOSFET产生笔记本电脑所需的两路低压电源。稳压器可提供0.5V至2.5V的低电压输出,外置MOSFET、高精度(1%)稳压输出允许灵活的负载电流设计,最高可达5A。MAX8737可工作在低输入电压下,从而降低外部n沟道MOSFET的功耗。外部电阻分压器提供折返式限流保护,降低了总功耗。输出欠压超时检测为低成本应用中省去了检流电阻。线性稳压器具有可调节的软启动功能,并能产生延时的电源就绪信号,在MAX8737处于稳压状态时提供指示。限流和热保护特性可避免器件损坏。  相似文献   

2.
《电子设计技术》2009,(10):22-22
APL5610/A是茂达电子所推出的低压差稳压控制IC,工作时外部需要搭配一颗N沟道MOSFET做为传送组件,IC输入电压操作范围在4.5V~13.5V,内部提供0.8V参考电压,搭配外部负反馈分压电阻可让使用者自由设定输出电压。稳压器的输出电流则由外部N沟道MOSFET来决定,能实现非常高的输出电流,并且能有极低的压差电压。APL5610/A适用于主机板、笔记本电脑等应用。  相似文献   

3.
《今日电子》2010,(10):62-63
MAX15048/MAX15049带有跟踪或排序功能。这两款控制器能够满足小尺寸逻辑器件较高的容限要求,通过驱动外部MOSFET提供0.6-19V的稳压输出,每路输出的负载电流高达15A。此外,集成的跟踪/排序功能允许用户对核电压和I/O电压进行无缝控制。  相似文献   

4.
《今日电子》2010,(7):71-71
MAX15048/MAX15049带有跟踪或排序功能。这两款控制器能够满足小尺寸逻辑器件较高的容限要求,通过驱动外部MOSFET提供0.6V至19V的稳压输出,每路输出的负载电流高达15A。此外,集成的跟踪/排序功能允许用户对核电压和I/O电压进行无缝控制。  相似文献   

5.
MAX15023能够驱动外部MOSFET,每通道至少可提供12A输出电流。该器件工作于4.5~28V宽输入电压范围,集成了精度为±1%的电压基准,可提供0.6V至输入电压的85%范围内的高精度输出电压。器件的开关频率(200kHz~1MHz)、外部补偿网络及电流限制均可进行调节,在空间、性能和成本方面对设计进行优化。  相似文献   

6.
MAX15026能够驱动外部MOSFET输出高达25A的电流。该器件工作干4.5~28V宽输入电压范围,集成了精度为±1%的电压基准,可提供0.6V至输入电压的85%范围内的高精度输出电压。器件的开关频率(200kHz~2MHz)、外部补偿网络及电流限制均可进行调节,在空间、性能和成本方面对设计进行优化。  相似文献   

7.
《电子设计技术》2005,12(8):120-120
Maxim推出推挽式FET驱动器.MAX5075/MAX5077,这两款器件内部集成振荡器,具有可编程时钟输出,可用于同步外部PWM控制器。振荡频率通过外部电阻在50kHz~1.5MHz范围内设置。MAX5075有三个版本,其时钟输出与MOSFET驱动器的频率比分别为1倍、2倍、4倍。MAX5077的时钟输出与MOSFET驱动器频率比可通过两个逻辑电平引脚设置为1倍、2倍、4倍。这些驱动器是设计高效、电流反馈隔离电源所必须的基本结构,适用于电信和网络线卡。  相似文献   

8.
TPS65137采用低压降(LDO)后置稳压器,可为实现稳定的画质提供具有最小输出电压纹波的线路与负载瞬态响应。其具有2.3~5.5V宽泛输入电压以及较少的外部组件,并采用3mm×3mmQFN/b型解决方案封装。主要特性:2.3~5.5V之间的宽泛输入电压使器件能够接受比正输出电压更高的正输入电压,同时还可保持正输出电压1%的稳压精度误差;  相似文献   

9.
FAN21SV06把一个控制器、驱动和经优化过的功率MOSFET集成到一个5mm×6mmMLP封装中。这款降压稳压器具有预偏压(pre-bias)启动功能,可以调节输出电容在软开关条件下的放电,保护系统IC免受损坏。它具有一整套保护功能包括输启动、欠压保护(UVLO)、热关断、过压和过流保护以防止系统出现故障。  相似文献   

10.
《电子世界》2009,(8):48-50
为高输出电流设计直流稳压电源仍是一个非常关键而且困难的问题。提高78xx标准三端稳压器的最大输出电流的基本方法包括:并联多个三端稳压器,例如1A的78xx器件:使用外部旁路器件,比如BJT(双极性晶体管)器件,以及使用外部旁路器件(比如P沟道功率MOSFET)。并联的多个78xx设备可以很好地工作,但是在高输出电流时(例如50A),需要使用50个78xx器件,这可能不是最经济的方法,而且它的体积也是一个问题。  相似文献   

11.
《国外电子元器件》2010,(9):189-189
Maxim Integrated Products推出单端口、供电设备(PSE)控制器MAX5971B,适用于IEEE802.3af/at兼容的大功率以太网供电(POE+)应用。器件集成导通电阻为0.5Ω的功率MOSFET、捡流电阻和电流监测电路,有效节省了PSE系统的空间和成本,典型应用电路仅需不到8个外部元件。  相似文献   

12.
LT3513是5通道输出单片开关稳压器。它提供2.2A(ISW)降压型稳压器、1.5A(ISW)升压型稳压器、250mA(ISW)升压型稳压器、250mA(Isw)负输出和LDO控制器,全部都在单个封装中。性能特点:4.5~30V输入电压;4个集成式开关:2.2A降压、1.5A升压、0.25A升压、0.25A负输出(保证的最低电流限制、外部NPNLDO驱动器;固定频率、低噪声输出;用于降压型稳压器的电感器电流检测;用于所有输出的软启动;外部可编程VON延迟;3个集成式肖特基二极管。  相似文献   

13.
对于一些输出电压比较高、输入电压范围波动大的应用,例如输出24V,输入电压范围为26~36V,由于成本考虑或找不到合适的集成线性稳压调节器,仍然会采用中压功率MOSFET作为调整管的分立元件方案。通常在开关电源中,功率MOSFET工作在关断或完全导通状态,而在线性稳压调节器以及其他的一些功放应用中,  相似文献   

14.
《国外电子元器件》2009,17(3):24-24
MAXIM推出低成本、DC—DC同步降压控制器MAX15026,能够驱动外部MOSFET输出高达25A的电流。该器件工作于4.5V-28V宽输入电压范围,集成了精度为±1%的电压基准,可提供O.6V至输入电压的85%范围内的高精度输出电压。器件的开关频率(200kHz~2MHz)、外部补偿网络及电流限制均可调节,在空间、性能和成本方面优化设计。MAX15026具有优异的性能,用于高可靠性系统,如电信、网络和服务器设备。同时,器件的性价比极高,可用于机顶盒和电源模块。  相似文献   

15.
Maxim推出高性能、双路输出、同步降压控制器MAX15034,能够驱动外部MOSFET提供2路25A输出或单路50A输出。这种灵活性可使器件用于多种设计平台,从而减少了元件种类、降低了成本。此外,器件的输入电压范围为4.5V至5.5V或5.5V至28V,可用于5V和12V总线系统。器件针对大输出电流的应用进行了优化,理想用于计算处理、电信、网络、存储和服务器设备。  相似文献   

16.
研诺逻辑推出AAT1185,一款单输出、降压控制器,可提供用于低成本12V适配器的高效功率变换。通过采用研诺独创的ModularBCD工艺生产,该款新型控制器可通过同时提供高、低侧管脚来驱动多种外部N通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),从而实现设计灵活多样性的最大化。  相似文献   

17.
《电子与电脑》2009,(9):68-68
凌力尔特公司(Linear Technology)推出完整的双路降压型DC/DC微型模块(uModule)稳压器系统LTM4619。该系统采用纤巧表面贴装封装,含有电感器和MOSFET。LTM4619在4.5V~26.5V(绝对最大值为28V)的输入电源范围内工作.在每路电流高迭4A时调节两个输出电压在0.8V~5V范围。  相似文献   

18.
《电子测试》2005,(8):104-104
凌特公司(Linear Technology)日前推出高效率2.25MHZ(或1.5MHz)同步降压型稳压器LTC3448,能提供高达600mA的持续输出电流。它有两种模式工作:当输出电流高于3mA时,以2.25MHz的恒定频率切换,输出纹波低于5mVp-p;采用RDS(OX)仅为0.35Ω和0.40Ω的内部同步开关,当输出电流降至3mA或更低时,可自动或通过外部输入转换到仅消耗32μA静态电流的非常低噪声LDO模式。  相似文献   

19.
汤志成 《电子世界》2007,(10):42-47
SI-3000LU系列是三肯(SANKEN)公司推出的低功耗和低输出压降、具有过流和过热保护的新型线性稳压集成电路,它们不仅可应用于计算机的辅助电源电路,而且也适用于电池驱动的电子设备。该系列共有SI-3012LU、SI-3018LU、SI-3033LU和SI-3050LU四种,其输出电压分别对应为可调节、1.8V、3.3V和5.0V。它们的外形结构完全一样,  相似文献   

20.
《电子与电脑》2010,(1):82-82
瑞萨科技日前发表R2J20653ANP.整合了驱动器与MOSFET,适用于笔记本电脑CPU、内存等稳压器(VR)。此产品符合整合式驱动器MOSFET(DrMOS)标准,可承受高电压:输入电压最高达27V.并可达到91%业界最高供电效率(以输入电压20V及输出电压1.1V运作时).且于2009年12月7日开始量产。  相似文献   

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