锡铜镍无铅热风整平产品回流焊后焊盘变色的研究与解决

无铅锡铜镍热风整平工艺产品在下游客户端做回流焊接工艺时,经过1—2次高温回流焊接后,仍然会有少量的焊盘未被焊接而裸露,这时未被焊接的焊盘表面变色发黄了。文章将围绕如何改善此类未焊接的焊盘发黄的问题进行一系列的试验和测试,最终得出最有效的处理方式。既降低了加工成本,又有效地解决了回流焊后焊盘发黄的问题,满足了客户的要求,杜绝了客户反馈的发生,保住了订单。     

无铅热风整平阻焊爆孔原因分析与改善

在应对电子产品无铅化的过程中,所有电子产品载体的PCB无铅表面处理工艺必然顺应历史潮流,其中PCB无铅化热风整平工艺随着无铅化的深度引入暴露出诸多问题,本文主要阐述无铅锡铜镍热风整平时堵孔油墨爆孔的深层原因(塞孔位置周围阻焊油墨热固化时相对螯合反应不足无法抵挡高温热冲击而分离),并实验验证改善措施有效性及生产可执行办法。     

无铅热风整平助焊剂的研制

介绍适用于无铅热风整平工艺的水溶性助焊剂的成分及其性能。     

热风整平参数的优化对整平锡面均匀性的影响

随着航空客户对产品焊接后可靠性的严格要求,表面涂覆HAL的铅锡厚度均匀性的要求越来越高,部分产品的铅锡厚度范围要求达到了2-25um,更有甚者铅锡厚范围要求达到了2.5-20um的水平,而目前业界的锡厚0.5-50um的能力已经很难满足客户的需求。本文主要从设备的改造入手,服务于工艺参数的调整来做介绍,通过工艺参数的优化实验,详细阐述各工艺参数的调整对锡厚和锡面均匀性的影响,并结合实际的生产环境得出较优化的生产参数使锡厚能够满足更多的客户需求。     

整平前处理对过孔进锡的影响及其改善

随着PCB产品朝着精密化、微型化方向发展,尺寸越小的过孔就越能提供足够的布线空间,以求达到高密度布线的目的。由于过孔尺寸偏小以及高厚径比板的局限,过孔进锡问题是PCB热风整平工艺制程中的一大难点。本人从整平前处理对过孔进锡的影响机理出发,通过试验最终找到解决过孔进锡的有效方法。     

印制板热风整平挂锡的原因及对策

本文根据作者的实践经验,对印制板热风整平后出现板面挂锡的现象进行分析,并制定出相应的对策。     

锗、硅在无铅热风整平锡焊料中的应用研究

市场上的无铅热风整平用锡条品牌很多,对于一些特殊的客户是不允许回流焊后锡面发黄的,所以必须使用能够长期、持续抗氧化的物质加入锡条中解决此问题.文章重点阐述了回流焊后锡面发黄的原理,同时结合生产实际中遇到的问题,运用以上原理和方法指导工艺应用和生产实践,取得了和原理分析同样预期的结果.     

热风整平工艺上锡不良问题的探讨

热风整平工艺能得到一个平滑而均匀的焊料涂覆层而被广泛的应用于PCB行业。然而,针对该工艺的品质保证绝非易事。热风整平工艺受助焊剂、温度等因素的影响,在品质上容易出现上锡不良、涂层不均匀等不良问题。本文利用X-Ray、SEM、EDS等分析手段对热风整平工艺中的上锡不良问题进行了分析探讨。结果发现:上锡不良PAD位存在克氏空孔,锡层中含有铜元素,其原因是基板中的Cu原子以扩散方式通过界面Cu6Sn5层进入锡面基体中所致,造成上锡不良,导致可焊性差。     

无铅化热风整平的焊料与选择

文章概述了无铅化热风整平的焊料及其选择。在Sn—Cu中加入少量的Ni（或Co）是无铅化热风整平的焊料的有利选择。     

回流焊温度曲线设置与产品可靠性关系的研究

表面组装技术的迅速发展和应用广泛,促进了高可靠性电子装联技术的发展与完善。而回流焊工艺是表面组装技术的关键技术之一,因此得到一条优化的回流焊接曲线进而得到高可靠性焊点在SMT技术中显得尤为重要。该文主要分析了传送带速度、PCB板、焊膏等影响产品可靠性的主要因素,在此基础上总结出了回流曲线的设计原则,并根据实验确定了满足高可靠性焊点质量的回流焊温度曲线。     

无铅喷锡上锡不良问题探究与改善

通过客观的分析上锡不良产生机理,对其实施一系列的实验跟踪,最终彻底的解决无铅喷锡所存在的上锡不良等品质问题,达到了最优的企业目标。     

化镍浸金工艺之黑盘特征、测试方法介绍及判定标准建议

刚挠结合板是一种兼具刚性PCB的稳定性和FPC的柔软性的新型印刷电路板,其对恶劣应用环境具有很强的抵抗力,有较好的信号传输通路,并可实现不同装配条件下的三维立体组装,因此在医疗与军事设备和通讯方面有重要的应用,我国的线路板制造企业也正在逐步提高软硬结合板占总体产量的比例。软硬结合板因为材料特性与产品规格的差异,在设备的适用程度上将影响产品良率与稳定度,因此跨入软硬结合板的生产前须先考虑到设备的适用程度;为验证我公司的硬板设备制作软板的可行性,选取一款刚挠结合板作为样品试制作。     

ENIG黑焊盘的原因分析及其对焊点质量的影响

本文利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱分析仪(EDS)以及金相切片等物理分析手段,研究了化镍浸金(ENIG)焊盘润湿不良及焊后发黑的根本原因,即镍层由于遭受浸金药水的过度攻击而产生了严重的氧化腐蚀。镍层的腐蚀不仅会降低焊盘可焊性,也会极大减弱焊点界面的结合强度,造成焊盘润湿不良或焊点开裂失效。     

Effect of process conditions on uniformity of velocity and wear distance of pad and wafer during chemical mechanical planarization

The kinematics of conventional, rotary chemical mechanical planarization (CMP) was analyzed, and its effect on polishing results was assessed. The authors define a novel parameter, ζ, as a “kinematic number,” which includes the effects of wafer size, distance between rotation centers, and rotation ratio between wafer and pad. The analysis result suggests that velocity distribution, direction of friction force, uniformity of velocity distribution, distribution of sliding distance, and uniformity of sliding-distance distribution could be consistently expressed in terms of the kinematic number ζ. These results become more important as the wafer size increases and the requirement of within-wafer nonuniformity is more stringent.     

论电子产品SMT制造工艺的缺陷研究

主要讨论了焊接缺陷在电子产品SMT制造工艺中的成因,以整个SMT制造工艺为研究范畴,通过几个设定的仿真实验,从模板制作、焊膏选择、印刷工序、焊接工序、贴片工序等角度,以一个常见缺陷桥连为研究对象,分析造成桥连的缺陷成因,研究解决的办法,评价各成因因子的危害程度,并以此为基础拓展到其他缺陷,得出SMT生产工艺改进的要点。     

选择性OSP中异色问题的研究和改善

主要针对选择性OSP中出现异色（如发黑、发红和色差等）问题的表观现象和进行原因分析,并对此问题的解决提出一些改善措施。     

高PPI ADS产品白Mura不良产生原理及改善研究

现有传统TFT-LCD 生产工艺中,Rubbing工艺在生产高PPI ADS产品的过程中,在改善Rubbing Mura不良时会使用H Cloth,但使用H Cloth Glass在经过Rubbing后ODF Rubbing Cleaner清洗时会出现白Mura不良。经过对白Mura不良Panel的微观解析,并结合H Cloth性质分析出白Mura不良是由于H Cloth自身的聚醋酸脂颗粒经过Rubbing Cleaner聚集造成的。从Rubbing Cleaner清洗时改变Glass表面性质(醇类可以有效改变界面性质)入手,通过使用IPA对Glass进行清洗以改变聚醋酸脂疏水性,使得聚醋酸脂颗粒更易被Rubbing Cleaner清洗掉来改善白Mura不良,并结合生产实际定期对IPA进行更换以保持IPA浓度处于一个稳定的区间,使得高PPI ADS产品白Mura不良发生率由改善前的3.42%降低至改善后的0.11%,白Mura不良得到非常有效的改善。     

Investigation of defect on copper bond pad surface in copper/low k process integration

In this work, inspection tools and surface analysis instruments were used to inspect and to analyze the defects at copper bond pads fabricated with copper/low k dual damascene deep submicron interconnect process integration. The defects at level are believed to be responsible for metal peeling at the Ta + Al and copper interface observed during chip wire bonding operation. The analysis results of the trace defects’ chemical composition show that the trace defects are the remainder of dielectric materials of passivation layer that is deposited on the top of the chip for protection. Copper oxide is also found to be present at the copper bond pads surface. A clear copper bond pad surface could be obtained using optimized dielectric pad window opening plasma etching conditions with suitable level plasma etching power and some overetch, improved photoresist stripping with oxygen and wet clean recipe with some chemicals. A clear copper bond pad surface will contribute to obtainment higher adhesion and lower contact resistance at Ta + Al and copper pad interface.     

Aluminum-germanium-copper multilevel damascene process usinglow-temperature reflow sputtering and chemical mechanical polishing

A low-temperature multilevel aluminum-germanium-copper (Al-Ge-Cu) damascene technology was developed using reflow sputtering and chemical mechanical polishing (CMP). The maximum processing temperature for the fabrication of multilevel interconnections could be reduced to 420°C using Al-1%Ge-0.5%Cu, whereas the conventional reflow temperature was not less than 500°C. No degradation due to reflow heat cycles was observed in terms of Al-Ge-Cu wiring resistance. Electromigration test results indicated that the mean time to failure (MTTF) of Al-1%Ge-0.5%Cu was longer than 10 years at the operating condition, which was equivalent to that of Al-1%Si-0.5%Cu. The Al-1%Ge-0.5%Cu triple-level interconnection was fabricated using reflow sputtering to fill vias and wiring trenches and subsequent CMP for Al-Ge-Cu films