硅片和硅器件工艺中的本征吸除技术

本文介绍了本征吸除技术的产生、发展、应用,以及本征吸除的机制。     

N2气氛下快速退火(RTA)对硅片氧沉淀密度和表面形貌的影响

快速退火（RTA）单晶硅片时，硅片内部会形成一种特殊的空位分布。空位的分布将决定后序两步退火（800℃，4h＋1000℃，16h）后生成的洁净区宽度和氧沉淀密度。研究了N2气氛下，不同RTA恒温时间对洁净区形成和氧沉淀密度的影响。发现延长RTA恒温时间，会增加氧沉淀密度。使用原子探针显微镜（原子力显微镜）研究了RTA后表面形貌的变化。发现在N2气氛下RTA处理过的硅片，表面微粗糙度略有增加。     

半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究

砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料，GaAs衬底质量直接影响器件性能。利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA)，对半绝缘砷化镓(SI-GaAa)单晶中微缺陷进行了研究。发现SI-GaAa单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、GaAa多晶颗粒和小位错回线等。还分析了微缺陷的形成机制。     

多晶硅锭的制备及其形貌组织的研究

研究了采用定向凝固法制备多晶硅锭的凝固速率与表面形貌、晶粒尺寸以及显微组织缺陷的关系。找出了晶锭不出现细晶的临界生长速度 ,并对固液界面形状进行了探讨。多晶硅锭的制备工艺主要包括定向凝固法及浇铸法。采用定向凝固法制备多晶硅锭 ,通过改变降埚速率控制晶体生长速度 ,进而找出晶粒大小与降埚速率的关系 ;同时通过改变石英坩埚、石墨托厚度 ,冷源半径等几何参数来达到控制固 液界面形状的目的。     

硅外延片中的杂质控制

有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度，决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害，防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。     

低硅钢冶炼工序硅质量分数控制

抑制回硅是低硅品种钢冶炼的重点和难点,南钢中厚板卷厂通过转炉出钢留氧操作,精炼炉留氧升温,脱氧、脱硫造渣,连铸严格的保护浇注及吹氩塞棒、吹氩浸入式上水口的应用等一系列工艺优化和操作的改进,使整个冶炼过程钢水回硅量稳定控制在200×10-6以内,钢水终点成分完全满足低硅钢要求。     

硅中的缺陷和硅片热处理

本文评术了近年来着重研究的ＣＯＰ、ＬＳＴＤ、ＦＰＤ和ＢＭＤ等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷，提高ＧＯＩ合格率的实验结果。研究表明，硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。     

无取向硅钢中高牌号产品瓦楞缺陷的控制技术

分析了中高牌号硅钢产品瓦楞缺陷产生的机理,介绍了消除瓦楞缺陷的各项控制技术。重点介绍了鞍钢冷轧硅钢研制过程中采用的消除瓦楞缺陷的技术方案,提出了中高牌号硅钢产品进一步消除瓦楞缺陷的工艺路线。     

热轧硅钢退火氧化的原因分析与控制

通过对太钢热轧硅钢退火氧化的原因进行分析，提出了相应的改进措施，收到了良好的效果。     

Effects of Germanium on Movement of Dislocations in p-Type Czochralski Silicon

By indentation at room temperature followed by annealing at high temperatures, the pinning effect of germanium on dislocations in germanium-doped Czochralski silicon was investigated. Experimental results show that the dislocations in germanium-doped Czochralski silicon move shorter and slower than those in Czochralski silicon undoping with germanium when the concentration of germanium is over 1×1018 cm-3. The retarding velocity of dislocations is contributed to the dislocations pinning effect of the strain field introduced by the high concentration germanium, and the Ge4B cluster and the oxygen precipitation those are preferred to form at higher concentration germanium.     

连退机组生产冷轧硅钢表面氧化控制研究

通过热力学和动力学原理分析了现行工况下连退机组冷却段生产硅钢时钢板发生氧化反应的必然性。对工业大生产条件下冷却段的温度、氧含量及钢板运行速度进行了试验研究,确定了理想的工艺参数,实施后效果良好。