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相似文献
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1.
LTCC共烧工艺是基板加工的重要环节,有很多因素会影响产品加工进程。一般来说,从设计上要预先充分考虑,以避免负面因素影响基板共烧效果。介绍了LTCC基板/低温共烧陶瓷基板技术及共烧致密化技术的机理,阐述了LTCC平整度重要性及改善基板表面平整度工艺的优化过程。通过综合比较版图优化前后的内层金属含量、不同尺寸样品加工、结构设计等因素,经过多重试验验证,结果表明,版图优化措施切实可行,可有效提高LTCC基板共烧平整度。  相似文献   

2.
低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板是微电子先进产品MCM的重要组成部分。这种基板的通孔金属化是制作成功基板的关键。本文重点分析了形成稳定金属化通孔导体的固有应力和热应力产生的原因,以及如何采取对策来解决。  相似文献   

3.
介绍了LTCC基板平面零收缩控制的几种方法,对几种方法的优缺点做了比较,并阐述了零收缩LTCC技术发展趋势和主要研究热点。  相似文献   

4.
电子电路曲面结构对于实现结构功能一体化有重要应用意义。针对LTCC多层电路基板,提出了一种曲面结构基板的加工制造方法。介绍其制造中曲面结构导体制作、曲面结构成形、曲面结构烧结等环节的关键制造工艺。通过X光和剖切方式对所制造的曲面基板进行测试分析,结果证实曲面基板中的多层布线均连通,且层间对位精度优于15μm。提出的曲面LTCC基板制造技术能够满足后续产品的研制加工要求,对于曲面电子技术和LTCC技术的发展都具有借鉴意义。  相似文献   

5.
低温共烧陶瓷(LTCC)工艺的研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
低温共烧陶瓷(LTCC)技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。叙述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的制备工艺以及未来应用前景。  相似文献   

6.
LTCC基板制造工艺研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
低温共烧多层陶瓷(LTCC)基板是制造复杂微电子产品多芯片组件(MCM)的重要部件。详细地讨论了LTCC基板制造工艺,介绍了多年研究之经验及国外的有关技术,还指出了目前工艺中存在的技术问题及在工艺水平上与国外的差距。采用目前工艺,可做出20层布线、线宽及间距均为0.20mm、80mm×80mm的多层共烧基板  相似文献   

7.
LTCC工艺技术的重点发展与应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文主要介绍LTCC工艺制造技术在目前和将来一段时间内的重点发展与应用情况,包括平面零收缩LTCC基板、空腔制作、精密细线条加工、带敏感结构LTCC基板,以及LTCC集成组件与模块、MCM用标准化封装外壳、LTCC用于微系统和传感器等。  相似文献   

8.
LTCC基板的失效分析表明,通孔与导带间开路是多层基板布线互连失效的主要模式,原因是基板在共烧工艺过程中,布线金属与陶瓷材料收缩失配产生的界面应力导致布线开路。调整布线金属和陶瓷材料的致密化温度和基板收缩率后,有效控制了两种不同材料的界面收缩失配,消除了开路失效。  相似文献   

9.
介绍LTCC一体化基板/外壳封装的设计、制作与性能检测。  相似文献   

10.
本文对厚、薄膜多层互连基板的发展进行了简单的分析,对基于LTCC基板的薄膜50Ω微带线的设计、制造、测试进行了介绍。结果表明LTCC基板表面实施薄膜工艺与厚膜工艺相比有利于获得更好的微波一致性。  相似文献   

11.
带框LTCC生瓷烘干技术   总被引:1,自引:1,他引:0  
在LTCC基板加工中,生瓷预烘干、图形印刷后烘干可能会产生中心位置塌陷、破损、翘曲等形变问题.而LTCC是通过加工多层生瓷、按一定顺序准确对准,再层压、切割后共烧而成,为满足产品平整度及位置对准精度要求,我们必须解决各层烘干过程中存在的形变问题,保证每一层生瓷加工质量.文章介绍了LTCC基板制造过程中带框生瓷烘干的工艺...  相似文献   

12.
采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术,设计并实现了一款Ku波段的频率源。该频率源将滤波器集成在LTCC基板内,并采用共晶焊和平行缝焊工艺,实现了频率源的小型化和一体化封装,经测试满足国军标检漏标准。该频率源的输出频率为13.6GHz,相位噪声为-88dBc/Hz@1kHz,其体积为12mm×15mm×3mm。  相似文献   

13.
The implementation and characteristics of a compact lumpedelement threeorder low pass filter are presented in this paper. The filter with 120 MHz cut off frequency, as well as more than 20 dB of the attenuation above 360 MHz frequency band is successfully manufactured in an LTCC substrate with 40 pm layer thickness.The overall size of the filter is 2.0 mm×l.2 mm×0.9 mm. A good coincidence between the measured results and the fullwave electromagnetic designed responses is observed.  相似文献   

14.
采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。  相似文献   

15.
对LTCC埋层电感进行了研究,以研制体积小、低损耗、微波性能好的高密度功放模块。利用商用三维电磁场分析软件HFSS对LTCC集成化功率放大器PA组装和互连中的关键参数进行了仿真和优化。研制出450MHzCDMA手机LTCC功率放大器,增益29.0dB,VSWR为2.0∶1,PAE为34%,体积为6mm×6mm×1.2mm。  相似文献   

16.
通过对自主设计流片的Ka波段LTCC滤波器的分析,总结出了一套行之有效的Ka波段LTCC模块的设计方法。试验结果表明,这种将电磁场仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,其最终测试结果为在26~30GHz的4GHz带宽范围内带内损耗为1.3dB,输入输出驻波均小于1.5dB。  相似文献   

17.
谢联文 《现代电子技术》2011,34(11):97-99,103
介绍了一种通带为0-1.2 GHz的LTCC多层低通滤波器快速设计方法。利用滤波器设计软件,通过选择相应的参数,可以快速地设计出低通滤波器电路图,再将原型电路在三维电磁场仿真软件HFSS中建立滤波器模型。根据厂商提供的电容、电感等元器件模型库,根据模型库中的电容、电感值估算本次设计所需的元件大小,在HFSS中可以快速的建立模型,仿真结果可以很快的满足指标要求。最后采用标准LTCC工艺实现出尺寸为3.2 mm×1.6 mm×1.0 mm的低通滤波器。运用该方法可以帮助工程师快速地设计LTCC滤波器,有很强的实用性和便利性。  相似文献   

18.
提出一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现的小型化平衡滤波器。该平衡滤波器频率范围为2.4~2.5GHz,可广泛应用于蓝牙通讯系统。在设计时利用垂直通孔互连工艺技术将滤波器和巴伦进行互连,并且集成在一个模块中,其中,蓝牙滤波器的设计采用半集总结构,Marchand巴伦采用独特的螺旋线宽边耦合带状线结构(SBCS),极大地缩小了巴伦尺寸。实现了具有阻抗变换功能的蓝牙波段微型平衡滤波器,其尺寸仅为2.5mm×2.0mm×1.2mm。测试结果表明,该平衡滤波器带内差损小于1.8dB,相位不平衡度小于±6°,均满足设计指标要求。  相似文献   

19.
电路小型化需要多频段可调元器件,基于CPW(共面波导)结构采用最新的铁氧体LTCC(低温共烧陶瓷)技术,内埋若干偏置线圈以产生内部偏置磁场,调节线圈内电流大小以控制偏置磁场大小,从而控制衰减器的工作频率,同时,控制通电线圈的个数以改变衰减器的衰减幅度,进而实现频率和衰减幅度双可调的衰减器。首先介绍了基于铁氧体材料的衰减器基本原理,然后展示了基于铁氧体LTCC 技术的无内置线圈衰减器的设计、制作和测量,在外加偏置磁场的条件下,验证了铁氧体LTCC 衰减器的理论可行性,经实测,该衰减器可以在4~9 GHz之间实现频率可调以及相应的衰减幅度可调。随后提出了有内置线圈的铁氧体LTCC 衰减器模型,并展示了线圈静态磁场、衰减器频率可调和幅度可调的仿真结果。最后制作了该衰减器并完成了实测,在铁氧体LTCC特有内部衰减场上实现了频率和幅度双可调衰减器,从而给出了可调衰减器的新思路。  相似文献   

20.
LTCC多层微波互连基板布局布线设计及制造技术   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用低温共烧陶瓷 (LTCC)技术制造多层微波互连基板 ,可以研制出高密度的T/R组件。讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术 ,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点。  相似文献   

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