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离子束辅助沉积氧化钛对改善热解碳抗凝血性能作用的初步研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用离子束辅助沉积的方法在人工心脏瓣膜热解碳材料表面制备氧化钛薄膜,研究其对抗凝血性能的改善情况,以探索新型的人工瓣膜材料.对样本分别进行体外血小板黏附试验和动物体内试验以观察血栓形成的情况.结果表明,相比较传统的热解碳材料而言,氧化钛薄膜处理过的材料上黏附的血小板数目和聚集的血小板团数均明显减少,且血小板伪足数目亦明显减少.动物体内试验亦表明有氧化钛薄膜的样本表面形成的血栓较传统的热解碳材料要少,且没有热解碳材料表面有大量的血小板聚集和纤维蛋白形成.研究结果显示用离子束辅助沉积技术制备的氧化钛薄膜,其抗凝血性能优于目前临床应用的热解碳材料,很可能成为新一代的人工瓣膜材料。 相似文献
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采用磁控溅射技术在SnO2薄膜表面修饰金属Ni,研究Ni修饰量对SnO2薄膜气敏性能影响。对Ni-SnO2薄膜进行表面成分分析,发现Ni的表面含量和化学价态对Ni-SnO2薄膜气敏性能影响至关重要。Ni的表面修饰量在3.4%-8.8%之间将有效提高SnO2薄膜对低浓度氢气的敏感性能。180℃工作温度下,表面含Ni3.4%的SnO2薄膜对1000ppm的氢气灵敏度最高为59.6,同时响应时间和恢复时间降低至15s和125s。Ni修饰量增加到23.4%,薄膜的气敏性能恶化,这是因为修饰层过厚,阻碍气体与SnO2材料接触。同时,XPS证实NiO是增加SnO2薄膜气敏性能的主要物质,增敏机理解释为Ni氧化后形成的NiO在SnO2薄膜上形成p-n结,促进元件的电导变化,从而提高了薄膜的气敏性能。 相似文献
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采用体硅微细加工工艺制备了基于AlN压电材料的薄膜腔声谐振器,研究了器件结构中谐振区形状和面积对谐振器性能的影响。以X射线衍射仪、扫描电镜表征了AlN压电薄膜的结构及形貌,高频网络分析仪表征谐振器频率特性。测试结果表明,谐振器所用AlN压电薄膜具有C轴择优取向及良好的柱状晶结构;器件频率特性良好,谐振频率达1.759GHz,机电耦合系数3.75%,品质因数79.5。通过研究不同谐振区形状、面积谐振器的性能,明确了结构因素对器件频率特性的影响,分析了其中的机制。 相似文献
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ZnO薄膜是具有多种特性的功能薄膜。采用RF磁控反应溅射的方法可制备出较高质量的ZnO透明导电薄膜。该薄膜的电阻率为7.5×10-3Ωcm;可见光透射率约为85%;载流子浓度为5.7×1019cm-3;霍尔迁移率为5.99cm2/v·s。影响ZnO透明导电薄膜性能的因素很多,但是溅射用的靶体材料,反应溅射时的温度控制以及反应的氧气氛的控制尤为重要,实验表明使用掺有3.0wt%Al2O3的ZnO靶,基片温度控制在300℃,氧氩比为1∶10能制备出性能比较好的透明导电薄膜。本文对这三方面的影响进行实验并讨论了有关结果。 相似文献
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用电子束蒸发氧化铪靶的方法.在SOI(绝缘体上硅)材料上制备了氧化铪薄膜,随后在氮气中进行快速退火(600℃.300s)。借助掠角X射线衍射(GAXRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电镜(HRTEM)技术分析了样品的微观结构.研究了样品在退火前后发生的组成及结构变化.结果表明退火后氧化铪薄膜由退火前的非晶态转变为单斜结构的多晶态,薄膜中的O/Hf原子比较退火前更接近化学计量比2。借助扩展电阻探针(SRP)技术考察了退火前后薄膜的电学性能.证明在SOI材料上制备的多晶氧化铪薄膜同样具有较好的电介质绝缘性能。 相似文献
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ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有许多优异的性能,可望成为新一代光电材料。但由于ZnO存在许多缺陷从而对它的各种性能产生了不良影响。比如点缺陷会影响ZnO的p型制备,Vo可能导致ZnO薄膜产生绿光;线缺陷可能成为载流子陷阱中心和复合中心,影响薄膜器件性能;层错会影响薄膜的能带结构从而影响其光电性能。为制备良好可靠的ZnO薄膜从而实现ZnO光电器件,必须研究ZnO薄膜的缺陷特性,文章对此进行了详细阐述. 相似文献
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多层薄膜气敏材料研究概况 总被引:2,自引:0,他引:2
总结了国内外近年来多层落膜气敏材料的研究状况,对研究结果进行了综合分析和比较,总结了一些多层薄膜的制备方法及气敏性能的优缺点,并对多层薄膜材料性能比单层薄膜有明显改善的原因做了初步探讨。在此基础上提出了多层薄膜敏材料研究方向的看法。 相似文献
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金刚石薄膜具有负电子亲合能、高热导率和极强的化学惰性等优势,作为场发射材料引起了广泛关注。回顾了金刚石薄膜的分类,介绍了氢化金刚石薄膜具有的负电子亲合能特性,分析了金刚石薄膜场发射特性的影响因素,列举了场发射特性的优化方向,并总结了文献中报道的金刚石薄膜与其他材料复合获得的场发射阴极的性能,对于分析和改进金刚石薄膜器件场发射性能具有重要意义。 相似文献
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本文回顾了铁电薄膜材料及当前的几种主要制备技术。介绍了这种薄膜材料在非挥发性存储器 、表面波器件、显微定位及驱动器等方面的应用。特别指出了在军用飞机、导弹、卫星等飞行器上装载的计算系统,若应用铁电非挥发性存储器将显著提高计算系统的性能。 相似文献
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BaPbO3 导电薄膜的制备、结构及性能研究 总被引:6,自引:0,他引:6
以可溶性无机盐为原料,EDTA、柠檬酸、酒石酸为复合螯合剂,水为溶剂,采用改进的溶胶-凝胶法制备了无裂纹、晶粒尺寸小且均匀分布的钙钛矿结构的BaPb03导电薄膜.利用XRD、SEM和EDS表征方法结合薄膜方阻的测定,具体分析了Pb/Ba比和晶粒生长情况对BaPbO3薄膜导电性能的影响.实验结果表明:Pb/Ba比和晶粒生长情况是决定BaPbO3薄膜导电性的两个主要因素,Pb/Ba比的上升和晶粒的长大,都会提高BaPbO3薄膜的导电性能;热处理次数对BaPb03薄膜方阻的影响与薄膜厚度有关.在700℃下保温10min的快速热处理方法,可以获得钙钛矿结构、薄膜方阻为5.86Ω.口-1的BaPbO3薄膜. 相似文献
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一种用于自然辐射冷却的光谱选择性透过薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了溶胶-凝胶法制备光谱选择性透过薄膜,通过对样品的光谱透过率的测试,分析和研究这些样品薄膜的性能,结果表明:掺杂碳黑浓度为0.12%,厚度约为0.3μm的二氧化钛薄膜样品的光谱透过性能较优,其在8-12μm波段的透过率超过80%,在可见光波段内的透过率低于15%,作为自然辐射冷却应用的选择性透过覆盖材料,它具有阻挡太阳光中可见光加热其下的物体,同时又允许物体的热以辐射方式穿透该薄膜散发到大 相似文献
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Fe-Pt合金薄膜作为最具有发展潜力的高密度磁记录材料而成为研究的热点.通过循环伏安法,得到了Fe-Pt-B合金薄膜最佳沉积电位。在优化条件下,采用电化学沉积法制备了Fe-Pt-B合金薄膜。利用X荧光光谱仪(EDX)、振动样品磁强计(VSM)和透射扫描电镜(SEM)对薄膜的组成、磁性能和形貌进行了初步研究.结果表明Fe-Pt合金薄膜中B的掺入可以增强薄膜的结晶度. 相似文献
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外界水汽和离子的扩散对集成电路和传感器等器件的性能及使用寿命有很大影响,利用无机钝化材料阻挡水汽和离子的扩散是常用的提高器件寿命和稳定性和方法。本文采用PECVD方法在较低的衬底温度条件下沉积碳化硅薄膜,利用各种方法研究了碳化硅薄膜的防潮性能。实验证明,碳化硅薄膜是一种良好的水汽扩散阻挡材料,其防潮能力达到甚至超过了集成电路生产中常用的氮化硅薄膜。并且,低温碳化硅薄膜具有非常好的化学稳定性和抗刻蚀 相似文献
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我国BOPP薄膜的生产与市场 总被引:2,自引:0,他引:2
双向拉伸聚丙烯薄膜(BOPP)薄膜是60年代发展起来的新型透明软包装材料。它具有质轻、无毒、防潮、机械强度高、尺寸稳定性好、印刷性能良好等特点,可广泛应用于食品、糖果、香烟、茶叶、果汁、牛奶、纺织品等的包装。BOPP薄膜应用之广、污染之低以及对森林自... 相似文献
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等离子体聚合及其对聚烯烃表面性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
方振逵 《高分子材料科学与工程》1998,14(6):14-17
介绍了近年来等离子体聚合的发展概况,分析了影响沉积机理的各因素,认为,等离子体聚合过程极其复杂在不同的工艺条件下有可能产生不同形太怕沉积物,如薄膜等,探讨了这种先进离子薄膜聚烯烃材料表面改性的应用可能性,认为它可以大幅度地改善材料的表面极性,并有可能获得一类具有获得性能的薄膜,如高渗透膜,高阻隔膜和高耐膜等。 相似文献
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择优取向铁电薄膜制备影响因素的分析 总被引:4,自引:0,他引:4
制备性能优良、高度择优取向或外延生长、成分均匀、结构可控的晶态铁电薄膜材料,是发展铁电薄膜应用的基础。随着铁电薄膜在微电子学,光电子学和集成光学等领域的应用不断扩大,如何制备高性能的铁电薄膜材料一直称为人们关注的热点。对择优取向铁电薄膜材料制备技术中的主要影响因素进行了分析,希望能为从事此方面工作的研究者提供一定的借鉴。 相似文献