高效中场强筒式永磁磁选机的研制和应用

本文介绍了高效中场强式永磁磁选机的研制和应用情况。采用高性能的钕铁硼永磁材料和特殊的磁路设计，使筒表峰值场强达０．７８Ｔ，采用先进板条介质设计的感应辊，使筒表磁性物卸矿完全。在黑色金属矿山尾矿综合回收和有色金属矿山脱除磁黄铁矿的应果效果证明：采用高效中磁机，弱磁选尾矿铁品位可下降４％，磁黄铁矿脱除率达７８％。     

InSb磁敏电阻与传感器及其应用

本文叙述了InSb磁敏电阻及以这种磁敏电阻为核心部件构成的各种磁敏传感器的工作原理、结构、技术性能以及它们在各个科技领域中的应用。     

室温磁致冷材料的研究进展

简述了磁致冷的原理,概述了近室温磁致冷材料的研究进展,重点介绍了近年来近室温磁致冷材料的突破性进展及其意义,介绍了国内研究情况和我国研究,发展的必要性和重要意义。     

一种基于磁真空泄漏原理的漏磁无损检测新方法

在磁折射的进一步推导与分析基础上形成一套缺陷磁真空泄漏原理.提出一种基于磁真空泄漏原理的漏磁检测新方法:清除较强的背景磁场,让被检测导磁构件体内磁通在缺陷处无反向背景磁压最彻底地泄漏到所创造的磁真空区域,形成最大化漏磁场并被置于该区域的磁敏元件所感应.采用有限元仿真与试验对该原理及其方法进行可行性论证.阐述该原理与方法的特性所在.磁真空泄漏原理及其方法使得缺陷漏磁场在空间范围和强度上均有所增大,可提高磁敏元件的探测提离距离,从而可实现真正的远距离非接触式漏磁探伤.另外,可消除或减少传统磁空气泄漏漏磁检测方法中由强的背景磁场所引起且一直存在的缺陷信息失真、磁噪声以及某些磁敏元件如霍尔的饱和不工作现象.磁真空泄漏原理与方法的提出与分析在促进漏磁检测方法的进一步应用的同时,也进一步地丰富和完善漏磁检测理论体系.     

La—Fe—Si化合物磁热效应的研究

在众多具有应用前景的磁致冷材料中，具有NaZn13型立方结构的La～Fe—Si化合物以其很好的软磁性、较大的磁化强度和低廉的价格备受瞩目。本文利用X射线衍射仪（XRD）和物理性能测试系统（PPMs）详细研究了LaFe11.7，Si1.3化合物的磁性、磁相变和磁熵变等物理性能，发现利用较高的磁场可使材料的熵变值在较宽的温度范围内保持一个恒定值，并分析了磁熵变的产生机制。     

基于微磁学分析的缺陷微磁检测机理研究

缺陷对铁磁材料内部磁畴壁的钉扎使得缺陷附近出现不依赖于外部磁场变化的微磁固定结点。针对该现象,从微磁学理论计算出发,通过能量最小原理分析了缺陷附近内部能量的变化,得出了缺陷附近微磁固定结点内磁化场的奇异分布,根据其分布特征实现了缺陷检测。     

磁光调制锁相椭偏仪与多层磁光薄膜测试系统

磁光调制锁相椭偏仪采用交流法拉第磁光调制及相敏检波来检测消光点 ,具有抗干扰能力强 ,角分辨能力高等优点。本文采用了自制的关键部件 :“高线性法拉第磁光调制器”与反馈电路来寻找消光点 ,实现了小角度偏转数字显示 ,具有速度快 ,准确性高的特点 ,而且使国产椭偏仪的角分辨由 0 .1°提高至 0 .0 1°,达到国外消光椭偏仪的水平。而且该椭偏仪的研制成功对国产磁光盘质量提高具有极大的促进作用。     

偏置优化对Terfenol-D致动器性能的影响

从分析Terfenol-D材料的磁致伸缩机理出发,引申出预应力和偏置磁场是影响超磁致伸缩致动器性能的重要因素.零偏置磁场驱动下不同预应力对致动器位移输出影响的实验和零预应力下两种偏置磁场对致动器输出性能的比较实验,验证了合理选择预应力和偏置磁场可有效地改善致动器性能的论点.预应力和磁偏置的实验矩阵确定了不同预应力对应的优化偏置磁场,实际设计中需根据致动器要求确定优化的偏置条件.     

磁弹硬度检测仪的研制

磁弹性波是铁磁材料在局部交变磁场作用下,材料内磁畴矢量的不可逆转动,90°,180°畴壁的不可逆壁移产生的物理效应.该效应释放的信号依赖于材料受力状态,组织含量,热处理过程.利用磁弹波的这个特点,可以在线检测铁磁材料表面硬度.本文介绍应用该技术研制的磁弹硬度检测仪的电路系统及性能.     

趋磁细菌AMB-1磁小体纯化及扫描和透视电镜形态观察

培养并收集趋磁细菌AMB-1,采用超声波破碎菌体的方法提取磁小体,并对磁小体进行洗涤、分离、纯化。对趋磁细菌AMB-1,进行扫描电镜观察,同时对趋磁细菌AMB-1和纯化的磁小体进行透射电镜观察。电镜下见,趋磁细菌AMB-1为螺菌,无规则排列;磁小体位于菌细胞内,沿菌体长轴排列成链状。纯化的磁小体为立方-八面体,均匀分散于悬浮液中,表面有完整外膜包裹。     

机械结构引起的轴向磁轴承"磁短路"问题的探讨

本文对由主动磁悬浮轴承的机械结构设计不合理引起的轴向磁轴承的"磁短路"问题进行了详细分析,对不同"磁短路"现象的产生原因进行了具体分析,并提出了有效的解决办法.     

适用于GMR传感器的高性能自旋阀研究

在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.分别研究了增加磁电阻率,降低矫顽力和提高交换场的方法.经过结构的改善和工艺条件的优化后,使自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(103/4π)A/m.通过2min的RIE使矫顽力减小33%,而磁电阻率几乎不受影响.利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构使交换场从180×(103/4π)A/m上升到600×(103/4π)A/m左右.这种高性能的自旋阀适用于具有广泛前景的GMR传感器.     

磁浮子液位计的设计安装

文中比较详细地分析了常规磁浮子液位计在炼油化工生产过程中存在的问题，提出了解决这些问题的新式安装结构，描述了新的安装结构的特点。     

内置式永磁同步电机气隙磁密与漏磁解析计算

为了分析转子具有隔磁桥的内置式永磁同步电机的空载气隙磁场,基于改进等效磁网络法进行了气隙磁密与漏磁解析计算。考虑到隔磁桥造成的磁路变化,分别计算了相邻两永磁体磁路等效磁阻、永磁体端部磁路等效磁阻、永磁体自身磁阻与主磁通和漏磁通。针对原有气隙磁阻引入了卡特系数,计算了定子开槽影响的等效气隙长度,进而计算出一个定子齿下的相对气隙磁导函数。用改进等效磁网络法分析了电机空载作用下的气隙磁场,并与有限元法计算结果进行了对比,验证了改进等效磁网络算法的准确性。     

分子材料的磁有序研究

综合应用直流磁化率和交流磁化率等各种磁性测量技术和方法,可以对材料的磁相态进行研究和表征。本文报道了我们在分子磁体方面的一些研究结果。     

用于集成磁传感器的热稳定巨磁电阻自旋阀

研制了一种传统结构的上钉扎巨磁电阻自旋阀,其结构为Ta(6nm)/Ni81Fe19(4.5nm)/Co90Fe10(1nm)/Cu(1.8nm)/Co90Fe10(3.5nm)/Ir20Mn80(11nm)/Ta(3nm).该自旋阀磁电阻变化率大(9.15%),交换场高(约200Oe),矫顽力低(0.85Oe),灵敏度高,且具有良好的热稳定性,加之与IC工艺兼容,因而是一种制作集成磁场传感器的理想结构.