溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜及性能研究

使用溶剂蒸汽辅助制备超薄PVP栅介质膜,得到了低漏电流密度(E=1 MV/cm时,为1.12×10-9A/cm2;E=2 MV/cm时,为5.42×10-9A/cm2)、膜厚为10 nm的超薄PVP栅介质膜,其单位面积栅电容达到了566 nF/cm2。此外,AFM测试表明溶剂蒸汽辅助退火使薄膜表面粗糙度由0.36 nm降到了0.21 nm,空间电荷限制电流法(SCLC)的分析结果表明薄膜体内陷阱密度减少了26%。     

壳聚糖复合抗菌膜的绿色制备及性能研究

以天然生物高分子壳聚糖为原料制得的薄膜因其原料易得、成本低廉、可生物降解等优良特点具有广泛的应用前景,但通常纯壳聚糖薄膜存在机械性能较差、水阻隔率较低、抗菌性较弱等不足,对此可以通过制备多组分复合膜的方法进行改进.利用壳聚糖、乳酸和单宁酸三者制备复合膜,研究了单宁酸添加量对复合抗菌膜结构和性能的影响.结果表明,当壳聚糖...     

管状复合炭膜的制备及气体分离性能

以商用PMDA-0DA型聚酰胺酸为涂膜液,采用浸渍涂膜法制备管状复合炭膜,考察支撑体的孔径尺寸、涂膜液浓度以及加入添加剂对所制备复合炭膜的气体分离性能的影响;并利用热重分析及扫描电镜考察所制备炭膜的热分解行为和复合效果.结果表明,与混煤支撑体相比,烟煤支撑体所制备的管状复合炭膜表现出更好的气体分离性能;随着涂膜液浓度的增加,气体的渗透速率呈先下降后上升的趋势,选择性则先增大后减小;添加表面活性剂不仅改善了涂膜液与支撑体表面的复合效果,减少了涂膜次数,同时提高了炭膜的气体渗透能力;在最佳制膜工艺条件下,H2、O2、CO2、N2的渗透速率分别为176.3×10-10、16.97×10-10、15.57×10-10、1.79×10-10mol/(m2·s·Pa),H2/N2、O2/N2、CO2/N2的选择性为100.7,10,9.34.     

低温等离子复合技术沉积Al2O3膜的性能及应用

利用低温等离子复合技术在坡莫合金等软磁材料表面沉积Ａｌ２Ｏ３膜,对其性能进行测试,并研究了在磁头芯片表面形成优良的绝缘膜的应用情况。     

PMMA分子量对其电学特性的影响

通过分析以PMMA[poly(methyl methacrylate)]为绝缘膜的MIS结构的电学特性,研究了分子量对PMMA薄膜电学特性的影响。PMMA薄膜通过旋涂溶于氯仿的20mg/ml PMMA溶液制成。PMMA薄膜厚度为220nm,临界电场超过1.8MV/cm。测量结果表明:(1)996K分子量PMMA薄膜的单位面积漏电流最小,仅有6.0×10-9/cm2。350K分子量的漏电流较大,为8.5×10-9/cm2;(2)高电场下决定漏电流与场强关系的物理机制是肖特基发射,通过线性拟合计算出银电极与PMMA之间的势垒高度约为0.5eV;(3)分子量大的PMMA陷阱密度小。996K分子的最小,为4.7×1010/cm2。     

溶液缩聚法制备聚酰亚胺绝缘膜及性能研究

以联苯四酸二酐(BPDA)和4,4’-二氨基二苯醚(ODA)为单体原料,利用溶液缩聚法制备聚酰亚胺(PI)绝缘膜,采用XRD、SEM、FT-IR对不同热亚胺化温度合成的PI薄膜结构和表面形貌进行了表征,利用超高阻微电流测试仪测试了热亚胺化温度和粉体含量对PI绝缘膜击穿场强的影响。结果表明,在真空度为1.0×10-2Pa条件下,300℃热亚胺化1h,聚酰亚胺酸(PAA)薄膜完全被热亚胺化,制备的PI绝缘膜内部结构致密;当BPDA和ODA的粉体含量为5%时,PI绝缘膜击穿场强高达2.15MV/cm,表明PI薄膜具有良好的电学性能。     

有序介孔复合炭膜的制备及其性能研究

采用软模板法合成有序介孔炭(OMC),利用XRD、TEM及SEM等分析方法对其进行结构性能分析,探讨了催化剂和模板剂的种类及用量、反应温度等合成工艺条件对形成OMC结构性能的影响。以最佳工艺条件制备的OMC前驱体为涂膜液涂敷在管状微滤炭膜表面,经炭化制得有序介孔复合炭膜,而后考察了复合炭膜的气体渗透性能。结果表明:以盐酸为催化剂、模板剂F127/间苯二酚摩尔比为0.0081、反应温度为30℃时,可合成有序程度最佳的OMC前驱体。用该OMC前驱体涂敷微滤炭膜制备的有序介孔复合炭膜,改善了微滤炭膜的孔结构,最大孔径由0.530μm减小至0.299μm,同时提高了炭膜的气体渗透通量。其中,由混煤微滤炭膜所制有序介孔复合炭膜,N2气渗透通量达1.18·10-8m3·m-2·s-1·Pa-1,是未经修饰烟煤微滤炭膜的4倍。     

黄铜表面复合纳米硅烷膜的制备及其耐蚀性能

目前对黄铜表面处理时采用复合纳米硅烷膜技术的研究报道不多。在黄铜表面采用浸涂技术制备γ-巯丙基三甲氧基硅烷膜,运用电化学方法研究复合纳米硅烷膜在3.50%氯化钠溶液中的耐蚀性,并用SEM表征复合纳米硅烷膜黄铜腐蚀前后的形貌。结果表明:添加纳米材料复合纳米硅烷膜的黄铜在3.50%的氯化钠溶液中具有很强的耐蚀性,其自腐蚀电流密度下降至3.576×10~(-9)A/cm~2,自腐蚀电位正移。添加纳米材料的复合纳米硅烷膜在腐蚀前后的形貌基本不变,耐蚀性明显优于未添加纳米材料的纯硅烷膜。     

复合酸掺杂聚苯胺电极膜的制备及其电化学性能的研究

采用了恒电压法在不同的电解液中分别制备出硫酸(H2SO4)和复合酸(SSA+H2SO4)掺杂的聚苯胺(PAn)电极膜.通过循环伏安法(CV)、电化学阻抗谱(EIS)和塔菲尔曲线(TAF),对H2SO4和复合酸掺杂聚苯胺电极膜的电化学稳定性、导电性以及耐腐蚀性进行了研究与表征.结果表明,复合酸掺杂的PAn电极膜具有较好的电化学稳定性、导电性以及较强的耐腐蚀性,更能满足实际应用的要求.     

Q195钢表面复合转化膜的制备及性能

KF对钢有强刻蚀性,可形成氟铁酸盐转化膜;且铁锈能与单宁酸配位形成有机保护膜。以KF,HNO3,单宁酸,Cr(NO3)3等组成转化液,在Q195冷轧钢表面制备了无机-有机复合转化膜。通过中性盐雾试验、电化学测试、百格法测试、扫描电镜(SEM)、能谱(EDS)和红外光谱分析了复合转化膜的耐蚀性能、结合性能、形貌、成分和分子结构。结果表明:复合转化膜由氟铁酸钾、单宁酸-Fe3+配位化合物和单宁酸-Cr3+配位化合物组成,耐盐雾时间可达9.0 h,与基体结合良好。     

真空隔热板在电冰箱隔热保温中应用分析

分析了真空隔热板构造及使用特点，介绍了复合绝热体的构成以及研制BCD-186CHS电冰箱中真空隔热板及隔热层厚度分布，进行了聚氨酯绝热材料与复合绝热体的性能比较及在研制电冰箱中应用时的漏热及能耗比较，测试结果表明后者漏热减少12．6％、能耗减少11．4％。说明了真空隔热板在电冰箱隔热保温中的相关应用问题，展望了真空隔热板的应用前景。     

风载荷作用下V形绝缘子串的力学特性分析

架空输电线路在特定的风载荷作用下,其不同构件、部位的受力情况大不相同,严重时会导致输电塔线体系发生失稳乃至绝缘子串断裂,极大地影响电网运行安全。为此,以云南某山区的架空线路为研究对象,利用ANSYS有限元仿真软件,对复合绝缘子芯棒进行各向同性、各向异性特征值屈曲分析。构建了新型四联V形绝缘子串,引入系数P_h/G_v（水平载荷/垂直载荷）,对比分析双联和四联V形绝缘子串在不同风载荷作用下的力学特性,对其迎风侧和背风侧的变形、最大应力及最低点水平位移进行研究。结果表明：当P_h/G_v=2.34时,V形绝缘子串背风侧的最大应力最小;随着P_h/G_v的增大,相对于双联V形绝缘子串,四联V形绝缘子串的应力变化曲线更加平缓,其最低点水平位移更小;V形绝缘子串与竖直平面的夹角为10°~30°时,角度越小,其整体性能越稳定。研究结果为V形绝缘子串的设计改进提供了有力的依据,具有较强的工程参考价值。     

中空微球对硅橡胶基绝热材料性能的影响

研究了中空玻璃微球和中空酚醛微球对硅橡胶绝热材料工艺性能、绝热性能、烧蚀性能和密度的影响。结果表明:二者均能显著降低材料的密度和热导率;预处理工艺不仅可以改善材料的工艺性能,而且可大幅度提高材料的拉伸强度和扯断伸长率。中空酚醛微球对材料综合性能的影响明显优于中空玻璃微球。     

染料敏化太阳能电池阻挡层的制备及其性能研究

采用电子束蒸发法在光阳极导电玻璃基底上制备了一层致密的TiO2薄膜,并在氧氛围下进行不同温度的退火处理。以此TiO2薄膜为阻挡层来阻止电解质溶液中I3-与导电玻璃基底上光生电子的复合。分别利用X射线衍射（XRD）和X射线光电子能谱（XPS）对此薄膜的结构和成分进行表征。制备不同厚度的TiO2阻挡层薄膜并研究其对电池光电性能的影响。实验结果表明,阻挡层的引入有效地抑制了暗反应的发生,提高了染料敏化太阳能电池（DSSC）的开路电压、短路电流和光电转换效率,比未引入阻挡层的DSSC的光电转换效率提高了31.5%。     

弛豫铁电体基陶瓷薄膜的溶胶-凝胶制备和电性能研究

采用溶胶-凝胶工艺成功地制备了纯钙钛矿结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3(简称PMNT)弛豫型铁电陶瓷薄膜,分析了溶胶先驱体中铅含量对PMNT薄膜钙钛矿结构稳定性的影响规律,表明热退火过程的氧化铅气氛层覆盖技术对获得纯钙钛矿结构PMNT薄膜材料至关重要,系统测试了纯钙钛矿PMNT薄膜材料的铁电和介电性能,提出弛豫型铁电PMNT陶瓷薄膜制备中晶粒自由结晶和异常生长动力学机制.     

Relationship of porcelain insulator temperature and flashover voltage measurement procedure in vacuum

In this paper the existence of a connection between a conditioning procedure and the solid insulator temperature changes in a vacuum is shown. The increase of an insulator temperature and consolidation of the other working-temperature in the system insulator-electrodes, is a predominant feature for the high voltage measurements performed on dimensionally small insulators in a vacuum. It was found that numerous surface breakdowns influence the insulator surface strength due to its temperature changes.     

Structural,electrical and magnetic properties of Y-Sr-Cu-O

Preparation, resistivity (ρ), field-cooled (FC) and zero field-cooled (ZFC) susceptibility (χ) of YSrCuO are reported. Zeroρ is observed at 72K. FCχ shows a superconducting transition at 68 K and also an antiferromagnetic transition at 15 K which is due to Y₂Cu₂O₅ as deduced from electron diffraction and composition analyses. It is tentatively proposed that the Y-rich phase could be responsible for the observed superconductivity.     

Engineering Dirac electrons emergent on the surface of a topological insulator

Abstract

The concept of the topological insulator (TI) has introduced a new point of view to condensed-matter physics, relating a priori unrelated subfields such as quantum (spin, anomalous) Hall effects, spin–orbit coupled materials, some classes of nodal superconductors, superfluid ³He, etc. From a technological point of view, TIs are expected to serve as platforms for realizing dissipationless transport in a non-superconducting context. The TI exhibits a gapless surface state with a characteristic conic dispersion (a surface Dirac cone). Here, we review peculiar finite-size effects applicable to such surface states in TI nanostructures. We highlight the specific electronic properties of TI nanowires and nanoparticles, and in this context we contrast the cases of weak and strong TIs. We study the robustness of the surface and the bulk of TIs against disorder, addressing the physics of Dirac and Weyl semimetals as a new research perspective in the field.     

Magnetic properties of Co-Cr/mumetal double layer films

A dc magnetron sputtered multilayer (Co-Cr mumetal) film is examined for magnetic coupling of the sublayers. No evidence for physical coupling is observed. The multilayer coercivity near the perpendicular direction has a strong dependence on angle due to the planar mumetal component. The coercivity of the mumetal exhibits Kondorsky-type angular behavior. Coercivities of the Co-Cr film measured parallel and perpendicular to the field direction both decrease linearly from 100 K to 340 K, with a room temperature coefficientbeta = (1/H_{c})(DeltaH_{c}/DeltaT) = -0.2percent/K. The temperature dependence of coercivity can be modeled on a domain wall pinning theory, based on exchange fluctuations over a small domain wall area. It is shown that high Curie temperatures are needed to minimize thermal variation in recording output signal. X-ray transmission attenuation is shown to be a useful tool for determining the Co-Cr thickness in a multilayer film.