Ca2Gd8（SiO4）6O2：Tb^3＋薄膜的制备及其发光性能研究

用溶胶-凝胶法制备了Ca2Gd8（SiO4）6O2：Tb^3＋薄膜，用X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）和荧光光谱仪对所得发光薄膜进行了表征。XRD的结果表明薄膜在1000℃完全结晶，并且与标准卡片符合得很好。AFM和SEM的结果表明薄膜表面均匀，没有裂痕，粒子排列紧密，平均直径为90nm，薄膜的厚度为1-3μm。当用233nm激发时，Tb^3＋的发射光谱由蓝光发射和绿光发射两部分组成，前者对应^5D3-^7FJ（J=6，5，4，其峰值分别位于376，418，440nm）；后者对应^5D4-^7FJ（J=6，5，4，3，其峰值分别位于490，544，587，623nm）。在Ca2Gd8（SiO4）6O2薄膜基质中，Tb^3＋的最佳掺杂浓度为Gd^3＋的9mol％。     

Ca2Gd8(SiO4)6O2:Tb3+薄膜的制备及其发光性能研究

用溶胶-凝胶法制备了Ca2Gd8(SiO4)6O2Tb3+薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和荧光光谱仪对所得发光薄膜进行了表征.XRD的结果表明薄膜在1000℃完全结晶,并且与标准卡片符合得很好.AFM和SEM的结果表明薄膜表面均匀,没有裂痕,粒子排列紧密,平均直径为90 nm,薄膜的厚度为1.3μm.当用233 nm激发时,Tb3+的发射光谱由蓝光发射和绿光发射两部分组成,前者对应5D3-7FJ(J=6,5,4,其峰值分别位于376,418,440 nm);后者对应5D4-7FJ(J=6,5,4,3,其峰值分别位于490,544,587,623 nm).在Ca2Gd8(SiO4)6O2薄膜基质中,Tb3+的最佳掺杂浓度为Gd3+的9mol%.     

MB2镁合金SiO2基陶瓷涂层的性能

采用热化学反应法在MB2镁合金上制备了SiO_2基陶瓷涂层。并从微观结构、抗热震性、耐磨和耐蚀性能等方面测试涂层性能。试验结果表明:涂层中有新相MgMnSiO_4生成,涂层与基体结合强度较高,耐磨和耐腐蚀性能优异。     

SiO2颗粒尺寸对Al与SiO2反应动力学的影响

依据热力学条件,SiO2与Al的反应在一定条件下可进行.但是,在1 000 ℃以下SiO2与Al润湿性较差,难以反应.对Al与SiO2反应体系,分析了预处理工艺对SiO2颗粒尺寸的影响,利用DSC和XRD,分析了体系反应动力学和反应产物.研究表明,进行球磨预处理后的粉体颗粒最细小,平均粒径为1 μm;SiO2颗粒越细小,越能改善润湿性,降低反应温度;当SiO2粒径小于2 μm时,完全反应温度低于1 000 ℃.     

SiO2陶瓷-TC4接头陶瓷侧的界面行为

采用AgCu/Ni复合中间层钎焊SiO2陶瓷与TC4合金,形成良好接头;采用组织均匀,熔点为909.1℃的自制AgCuTiNi活性钎料对SiO2陶瓷进行钎焊,形成良好接头. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析(XRD)等手段对上述两种钎焊试件的界面组织进行分析,研究Ti元素的活度对SiO2陶瓷-TC4接头陶瓷侧界面行为的影响. 结果表明,TC4/AgCu/Ni/SiO2陶瓷接头的典型界面结构为TC4合金/Ti(s,s)+Ti2(Ni,Cu)+Ti2(Cu,Ni)/Ti4O7+TiSi2/SiO2陶瓷;AgCuTiNi/SiO2陶瓷试件的典型界面结构为Ti2(Cu,Ni)/Ti(s,s)+Ti2(Ni,Cu)+Ti2(Cu,Ni)/Ti4O7+TiSi2/SiO2陶瓷. 钎焊温度为970℃,保温时间相同时,随着Ti元素活度的增强SiO2陶瓷侧反应层厚度明显增加. 钎焊温度为970℃,Ti元素活度相同时,随着保温时间的延长,SiO2陶瓷侧反应层厚度增加.     

铝酸盐熟料的溶出(2)

1.熟料的主要物理性质决定铝酸盐熟料溶出性状(动力学、有用组分的溶出程度和赤泥性质)的最重要的几个物理特性是:气孔率、粒度、比表面积和硬度。溶出过程中,即铝酸钠(钾)从固相转入液相过程中,掌握熟料及溶出产物——赤泥的     

镁合金热化学反应SiO2基纳米陶瓷涂层的性能研究

镁合金具有优越的物理和机械性能,但其耐蚀和耐磨性能较差.采用热化学反应法在MB2镁合金表面制备纳米陶瓷涂层,并采用XRD分析其相结构,分别测试涂层的耐蚀性、耐磨性,试验结果表明:涂层中有新相生成,基体结合强度较高,耐磨和耐腐蚀性能优良.     

BaB_2O_4-BaF_2相图的测定和计算SCIEI

为寻求生长β-BaB_2O_4单晶体的合适助熔剂,本文用DTA和X射线衍射法测定了BaB_2O_4-BaF_2二元相图。通过对实测相图的优化分析,获得了该二元系的有关热力学函数,并计算了该二元相图。计算与实测结果吻合很好。该体系有一同份熔化化合物BaBO_2F,熔点为867℃,化合物与BaB_2O_4和BaF_2共晶反应的温度和成分分别为749.1℃,40.7mol％BaF_2和815.4℃,57.2mol％BaF_2。研究表明,BaBO_2F是生长β-BaB_2O_4可能的助熔剂。     

尖晶石LiMn2O4和LiCoO2与电解液的相容性

研究锂离子电池正极活性材料尖晶石LiMn2O4和LiCoO2与6种电解液充、放电时的相容性。用X射线衍射检测自制的LiCoO2试样和尖晶石LiMn2O4试样的结构；用粉末微电极循环伏安法测定6种电解液在导电剂乙炔黑表面的氧化电位；将制得的尖晶石LiMn2O4试样和LiCoO2试样在上述电解液中进行恒电流充放电实验。结果表明：充电至高电位3．3～4．3V（vs Li／Li^＋）时，如果正极活性材料表面与电解液发生不可逆反应并在其上覆盖一薄层电子不可导的钝化膜，则将导致活性材料的充、放电效率降低，放电容量减少，即正极活性材料与电解液的相容性差；反之，则相容性好；尖晶石LiMn2O4与上述6种电解液的相容性都很好，普适性强；LiCoO2与上述6种电解液的相容性差别较大，呈选择性。     

淬火和回火温度对W4Mo2Cr4VNb高速钢组织和力学性能的影响

研究了淬火、回火温度对W4Mo2Cr4VNb钢组织和力学性能的影响.结果表明,随着淬火温度提高,试验钢奥氏体晶粒长大较快;淬火温度从1160 ℃提高到1200 ℃,高温回火后钢的二次硬化能力明显地提高了,但韧性急剧降低;试验钢在560 ℃左右回火时出现二次硬化峰;经1160 ℃淬火,580 ℃回火后试验钢韧性和抗弯强度较好;经1200 ℃淬火、560～580 ℃回火后,红硬性良好.     

氧化铝生产中“硅渣”的组成和结构研究

综合运用Ｘ射线衍射,红外光谱,差热分析等方法,研究氧化铝生产脱Ｓｉ反应生成物－－水合铝硅酸钠渣的组成和结构,证明其为有硅原子缺位的羟基方钠石,ＳｉＯ２与Ａｌ２Ｏ３摩尔比小于２．０主要系方钠石晶格骨架上硅原子缺位所致。     

SiO_2-BN-Si_3N_4系复相陶瓷制备及性能

以Y_2O_3和Al_2O_3陶瓷粉体作为烧结助剂,对不同含量BN原料配比无压烧结制备SiO_2-BN-Si_3N_4系复相陶瓷,生坯采用注凝成型制备,然后在1780 ℃保温2 h烧结,烧结体主要由板条状的Si_2N_2O及长柱状的β-Si_3N_4晶粒构成,BN晶粒弥散在各晶粒之间.Si_2N_2O相通过反应SiO_2+Si_3N_4=2Si_2N_2O原位生成.Si_2N_2O具有优异的抗氧化性,Si_3N_4具有高的强度,而BN的加入大大提高了材料的可加工性能,材料结合了各相的优异性能.实验结果表明:材料热冲击性能优异,热冲击温差在800 ℃时,材料的弯曲强度还略有提高,1200 ℃时,材料的残余弯曲强度保持不变.     

Ti-B_4C反应路径分析

通过热力学计算,结合 Ｔｉ－Ｂ－Ｃ的等温截面图分别获得了 Ｔｉ, Ｂ和 Ｃ在 １６００ ℃的化学势稳定图,在满足热力学和质量守恒条件下利用化学势从高向低扩散的原理,预测了在 １６００℃等温等压时 Ｔｉ和 Ｂ４Ｃ之间发生化学反应时可能存在的反应路径。利用扩散偶实验证实了该温度条件下的反应扩散路径为： Ｔｉ／ＴＩＣｘ。／ＴｉＢ／ＴｉＢ２／Ｂ４Ｃ．     

无压烧结Ca_3(PO_4)_2/Si_3N_4复合陶瓷的组织结构与性能

以Ca_3(PO_4)_2和Si_3N_4为原料,采用无压烧结的方法制备Ca_3(PO_4)_2/Si_3N_4系列复合陶瓷.复合材料中Ca_3(PO_4)_2能与Si_3N_4稳定共存,烧结后未发现有新相生成.随着烧结温度的提高,复合材料的致密度和β-Si_3N_4的相对含量也随之升高,柱状β-Si_3N_4晶粒的生长更加充分,晶粒相互搭接、交织.复合陶瓷的力学性能随着烧结温度的提高而升高,1700 ℃无压烧结复合材料的抗弯强度达到547 MPa,断裂韧性达到7.3 MPa·m~(1/2),从断口照片中可以观察到β-Si_3N_4晶粒的拔出和桥联作用.通过加热试样并在水中骤冷后测弯曲强度的方法,表明Ca_3(PO_4)_2/Si_3N_4复合材料具有良好的抗热震性能.     

反应介质对单分散二氧化硅微球的影响

以正硅酸乙酯、氨水和去离子水为原料,采用水解缩合法在不同醇作溶剂的条件下合成亚微米级二氧化硅微球.用傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)及场发射扫描电镜(SEM)对其微观结构和形貌进行表征.着重研究反应介质对二氧化硅微球的影响.结果表明,随着溶剂分子中碳原子数的增加,反应所得粒子的粒径越大,其球形度也越好,为制备不同粒径、均匀的单分散二氧化硅微球的研究奠定了基础.     

包覆结构CeO_2/SiO_2复合磨料的合成及其应用

以正硅酸乙酯水解所得的SiO_2微球为内核,采用均匀沉淀法制备具有草莓状包覆结构的CeO_2/SiO_2复合粉体.利用X射线衍射仪、透射电子显微镜、X射线光电子能谱仪(XPS)、动态光散射仪和Zeta电位测定仪等手段,对所制备样品的物相结构、组成、形貌和粒径大小进行表征.将所制备的包覆结构CeO_2/SiO_2复合粉体用于硅晶片热氧化层的化学机械抛光,用原子力显微镜(AFM)观察抛光表面的微观形貌,测量表面粗糙度,并测量材料去除率.结果表明:所制备的CeO_2/SiO_2复合颗粒呈规则球形,平均粒径为150~200 nm,CeO_2纳米颗粒在SiO_2内核表面包覆均匀.CeO_2颗粒的包覆显著地改变复合颗粒表面的电动力学行为,CeO_2/SiO_2复合颗粒的等电点为6.2,且明显地偏向纯CeO_2;CeO_2外壳与SiO_2内核之间形成Si-O-Ce键,两者产生化学键结合;抛光后的硅热氧化层表面在2 μm×2 μm范围内粗糙度为0.281 nm,材料去除率达到454. 6 nm/min.     

二氧化硅碳还原法制取Si3N4粉的研究

报导了用二氧化硅碳还原氮化法制取高性能Ｓｉ３Ｎ４粉的研究结果。研究了氮化温度、氮化时间、氮气流量等工艺因素对氮化产物的颜色、颗粒形状、粒度和粒度分布以及相结构的影响；分析了非晶态、ＳｉＯ２、ＳｉＣ产物的形成条件。结果表明：氮化工艺因素对氨化产物的性能有明显的影响，采用１４５０℃氮化温度，氮化时间２ｈ，Ｎ２流量２．５Ｌ／ｍｉｎ的工艺条件，能制得高α相比例，颗粒微细和粒度分布均匀的优质Ｓｉ３Ｎ４粉。     

变质铸态中锰钢中SiO2作为共生共晶体非自发核心的研究

对变质铸态中锰钢进行热力学计算、晶体结构分析,透射电镜与电子探针研究,发现SiO_2完全可以作为层片状共生共晶体(共晶两相为奥氏体与合金渗碳体)的非自发核心。     

KINETICS OF REACTION BETWEEN Cu_2S AND Cu_2O

Reaction between Cu_2S and Cu_2O was investigated at 1150 to 1250℃.The reaction rate in-creases with the increase of surface area of Cu_2O grains and depends unobviously on temper-ature.At the suggestion of controlling step of reaction rate being oxygen diffusion through theliquid layer along reaction boundaries,two final kinetical equations would be made as follows:x=6.69×10~(-2)At for 0<α<0.74 and ln(l-α)=-A(9.83×10~(-2)t+1.76)for 0.74<α<1,whereα is SO_2 evolved in time t and A is surface area of Cu_2O particles.     

无压烧结Si3N4与表面镀钛膜之间的固态化学反应过程

用X射线衍射技术研究了在Si_3N_4陶瓷与表面镀钛膜之间的固态化学反应过程,当反应温度不超过973K时,Ti与Si_3N_4之间不反应;温度在1073—1123K时,反应产物为Ti_2N和Ti_5Si_3,温度达到1173K时,反应产物为TiN和Ti_5Si_4,温度达到1273K时,反应产物为TiN和Ti_5Si_4。在整个反应过程中,Si_3N_4陶瓷基体相的晶格常数未发生变化,说明Ti原子不能溶入Si_3N_4陶瓷的晶格之中。