Sb2O3对ZnO基陶瓷性能的影响

本文主要报道Ｓｂ２Ｏ３杂质对ＺｎＯ基陶瓷性能的影响。在ＺｎＯ基陶瓷中添加Ｓｂ２Ｏ３杂质可以改善此种瓷的压敏性和介电性。     

Co2O3的理化性能对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

本文详细研究了氧化钴的理化性能对ＺｎＯ压敏陶瓷性能的影响。论述了Ｃｏ２Ｏ３的热特性对压敏陶瓷烧成工艺产生的影响及控制措施,从理论上探讨了氧化 中所含杂质Ｆｅ、Ｃｕ,Ｎａ等对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的不利作用。提出了控制的上限,并试制出一种用于氧化锌压敏陶瓷的性能优良的Ｃｏ２Ｏ３粉体。     

掺杂对低压ZnO压敏陶瓷材料显微结构及电性能的影响

探讨了多种金属氧化物对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系材料的改性作用和对其显微结构的影响，为得到预定性能的材料提供了掺杂方面的实验依据。     

氧化铟对ZnO压敏陶瓷压敏特性及微观结构的影响

用粒度为０．１－０．３ｍｍ的氧化锌偻末为原料，制得了氧化锌压敏陶瓷片，研究了Ｉｎ２Ｏ３掺杂对其压敏特性和微观结构的影响。结果表明；这种氧化锌粉末具有很高的烧结活性，适合作低压压敏电阻器。     

SiO2掺杂对ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷微观结构及电性能的影响

采用传统固相法成功制备了不同SiO2掺杂量的ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷.研究了SiO2添加剂对ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷物相组成、微观形貌和电性能的影响规律及作用机理.XRD结果表明,ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷由ZnO主晶相和尖晶石相、富Bi相和含Si相等第二相组成.当SiO2含量增加时,ZnO晶粒尺寸逐渐减小,...     

掺杂对ZnO压敏陶瓷电性能的影响及其应用

ZnO压敏陶瓷具有优良的电流-电压非线性和冲击能量吸收能力、低漏电流和低成本,广泛用于电力系统和电子线路等领域。介绍了掺杂改性对ZnO压敏陶瓷电性能的影响,最后介绍了ZnO压敏陶瓷的应用。     

ZnO压敏陶瓷的非线性功能添加剂

本文采用单元掺杂与多元掺杂的方法，系统研究了几种过渡金属氧化物添加剂在控制ＺｎＯ压敏陶瓷非线性方面的作用，并根据金属阳离子外壳层电子结构稳定性和缺陷化学反应进行了分析，认为阳离子具有不饱和外层电子结构且半径与Ｚｎ＾２＋离子相近的过渡金属氧化物能改善ＺｎＯ压敏陶瓷非线性。     

Fe2O3在ZnO压敏陶瓷中的作用

研究了Fe_2O_3对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。试验表明,Fe_2O_3添加的摩尔含量小于0.1％能提高ZnO压敏陶瓷的非线性和压敏电压;但当其添加量大于0.1℃时,非线性急剧下降;Fe_2O_3添加量大于1％时,压敏电压下降。通过X射线衍射等微观分析,认为过量Fe_2O_3使ZnO压敏陶瓷非线性下降的原因主要是由于Fe_2O_3与ZnO在晶界处形成了具有低电阻率(ρ=10~2Ω·cm)的尖晶石相ZnFe_2O_4     

ZnO压敏陶瓷导电机理的发展与掺杂氧化物的作用

近２０年来，有关ＺｎＯ压敏陶瓷研究方面的报道很多，本文从ＺｎＯ压敏陶瓷的导电机理及掺杂氧化物的作用方面进行了综合评述。     

添加Nd2O3对氧化锌压敏阀片电性能与显微组织的影响

研究了微量Nd2O3添加剂对氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度、漏电流和压比的影响,并对其显微组织进行了分析研究,从理论上探讨了Nd2O3对氧化锌压敏阀片电性能与组织的作用机理。研究结果表明:当Nd2O3的摩尔分数为0.04％时,氧化锌压敏阀片的压敏电位梯度最高,漏电流最小,压比最低,具有优良的综合电性能。其原因是Nd2O3加入到氧化锌压敏阀片中,使晶粒尺寸减小所致。     

Fe2O3掺杂对ZnO-Pr6O11系压敏电阻材料电学性能的影响

通过烧结法制备了Fe2O3掺杂的ZnO–Pr6O11压敏电阻材料,研究了Fe2O3掺杂量对ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料电学性能的影响。实验表明:当Fe2O3掺杂量小于0.005%(摩尔分数,下同)时,ZnO–Pr6O11系压敏电阻材料的非线性系数和压敏电压随Fe2O3掺杂量增大而逐渐提高。当Fe2O3掺杂量为0.005%时,压敏电压达到最大值571V/mm,非线性系数达到最大值26。当Fe2O3掺杂量大于0.005%时,非线性系数和压敏电压均急剧下降。过量Fe2O3使ZnO压敏电阻材料非线性下降的主要原因是:Fe元素偏析在晶界处,提供额外载流子降低了晶界电阻率,同时晶界处PrFeO3相的堆积会破坏晶界结构,从而影响压敏电阻材料的电学性能。     

纳米氧化铋粉体的制备及对ZnO压敏电阻性能的影响

采用直流电弧等离子法可以制备出包含有a和β相,尺寸约为70 nm的纳米氧化铋粉体,收率可达30％。利用制备的纳米氧化铋粉体替代微米级材料制备氧化锌压敏陶瓷后,研究了其对器件电学性能和陶瓷微观结构的影响。实验发现:纳米氧化铋使用量为1.6％摩尔分数时其压敏电压梯度和通流值分别为185 V/mm和4 700 A/cm2,而达到相同值所需微米氧化铋用量则分别为1.9％和1.85％。可见,如采用纳米氧化铋替代微米氧化铋可以减少用量10％～20％,而达到相同的电性能。     

Sb2O5和Bi2O3添加剂对Ag(Nb1-xTax)O3陶瓷结构、形貌和性能的影响

研究了Sb2O5和Bi2O3添加剂对Ag(Nb1-xTax)O3陶瓷材料的结构、形貌和介电性能的影响.结果表明:当Sb2O5和Bi2O3的质量分数较少(＜2.5%)时,不会影响Ag(Nb1-xTax)O3的钙钛矿结构,但能促进其烧结,使所得陶瓷样品更均匀致密.添加适量的Sb2O5和Bi2O3均可使Ag(Nb1-xTax)O3的介电常数(ε)增大,介电损耗(tgδ)减小,介电性能的温度稳定性得到改善.Bi2O3较Sb2O5对降低Ag(Nb1-xTax)O3陶瓷损耗及改善温度稳定性的效果更佳.     

ZnO片式压敏电阻厚膜中Cr2O3含量的优化

研究三氧化二铬(Cr2O3)对氧化锌(ZnO)片式压敏电阻厚膜物相结构、微观结构和电性能的影响。X衍射分析表明:Cr2O3降低Bi4Ti3O12相的分解温度,并最终影响陶瓷厚膜的致密度、晶粒尺寸及电性能。当烧结温度为880℃时,Cr2O3摩尔(下同)掺量为0.3%的陶瓷厚膜能够得到良好性能:体积密度ρv=5.52g/cm3,晶界势垒Φb=0.116eV,非线性系数α=24.8。研究烧结温度与片式压敏电阻微观结构和电性能的关系,Cr2O3掺量为0.3%的片式压敏电阻在880℃烧结时,能够获得最佳电性能:压敏电压V1mA=25V,α=23.6,漏电流Il=2.8μA。该片式压敏电阻的低烧结温度和高非线性在工业生产中具有很大优势。     

高能球磨对Pr_6O_(11)和Y_2O_3掺杂ZnO压敏电阻微观结构和电学性能的影响

利用高能球磨法制备Pr6O11、Y2O3掺杂ZnO压敏电阻,并对球磨时间对微观结构、物相组成及电学性能的影响进行了研究和分析。高能球磨有利于微观组织的均匀化和晶粒的细化,从而提高了电学性能。当球磨时间从0到10 h时,烧结后的ZnO晶粒尺寸变化从8.7到4.0μm,坯体烧结密度变化从5.40到5.62 g/cm3。最佳的制备工艺为球磨时间为7.5 h,烧结温度为1100℃,其对应的电学性能分别为:电位梯度(V1mA)是542 V/mm,漏电流(IL)是2.88μA,非线性系数(α)是47。     

钴掺杂对钛酸钡陶瓷晶体结构与电性能的影响(英文)

以湿化学合成方法制备了BaTi1-xCoxO3(x为Co的摩尔分数,x=0.01、0.03、0.05、0.1、0.2、0.3和0.4)陶瓷粉体,研究了Co含量对其晶体结构和电性能的影响.结果表明:随着Co含量的增加,材料在室温的晶相组成由四方相逐渐转变为四方与六方复合相.x=0.2时,晶相组成为纯六方相;x>0.2时,晶相转变为六方和立方混合相.材料的室温电阻相应逐渐减小,电阻温度关系从正温度系数(positive temperature coefficient,PTC)特征转变为负温度系数(ncgalive temperature coefficient,NTC)特性.x=0.2、0.3和0.4时,材料的B常数分别为3 270、3 234 K和3 037 K.用极化子跳跃模型解释了材料的NTC现象.     

TiO2掺杂对ZnO-Bi2O3-TiO2低压压敏电阻电学性能的影响

通过研究微米粉体、纳米粉体和纳米胶体TiO2掺杂的ZnO压敏电阻的电性能,发现纳米胶体TiO2掺杂的ZnO压敏电阻具有较低的电压梯度和漏电流,而非线性系数较高.对电性能结果的分析表明:在ZnO-Bi2O3-TiO2低压压敏电阻中,晶界击穿电压不是一个固定值;漏电流中的线性分量对TiO2掺杂的ZnO压敏电阻电学性能影响很大.