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深亚微米薄膜全耗尽SOI MOSFET的强反型电流模型 总被引:1,自引:1,他引:0
本文在分析FDSOIMOSFET特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型.模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移率下降、沟道调制、载流子速度饱和、漏致电导增强(DICE)和串联S/D电阻等.该模型最大的优越性在于线性区和饱和区电流可以用同一个简单的表达式描述,确保了电流及其高阶导数在饱和点连续.将模型模拟计算结果与实验结果进行了对比,当器件的沟道长度下降到深亚微米区域时,二者吻合得仍然很好 相似文献
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计入多晶硅耗尽效应的深亚微米MOSFET开启电压模型 总被引:2,自引:2,他引:0
本文提出了一个深亚微米MOSFET的开启电压的解析模型.它计入了影响开启电压的诸多二级效应,例如短沟效应、窄沟效应、漏感应势垒下降(DIBL)效应以及衬底的非均匀掺杂等效应.此外,模型还考虑了极短沟长器件的多晶硅耗尽效应.模型的计算结果和数值器件模拟的结果十分相符. 相似文献
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深亚微米非均匀掺杂MOSFET的衬偏效应及开启电压模型 总被引:1,自引:1,他引:0
本文根据MOS器件沟道区离子注入引起的衬底杂质非均匀分布情况,提出了一个简单的衬底杂质分布的近似.并以此导出了非均匀掺杂下开启电压的衬偏效应模型.模型中采用了一个双曲函数解决了在不同掺杂区域的边界处,电流(或开启电压)对衬偏VBS的导数的不连续问题,并可通过调整参数δ计及实际器件中衬底掺杂的缓变过程.本文还给出一个与村偏相关的短沟道效应公式,准确地反应了深亚微米器件衬偏效应减小的现象.模型计算的结果与数值模拟的结果十分一致. 相似文献
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提出了一种基于二维器件模拟的深亚微米工艺外延型衬底的电阻宏模型.该宏模型通过器件模拟与非线性拟合相结合的方法建立,使衬底寄生参数的提取更加方便,同时保障了深亚微米电路特性的模拟精度.此外,该宏模型结构简单,可以得到与器件模拟基本一致的模拟结果,并可以方便地嵌入SPICE中进行一定规模的电路模拟. 相似文献
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适合ULSI的深亚微米SOIMOSFET研究 总被引:1,自引:0,他引:1
文章通过对SOIMOSFET进行大量的模拟、计算,提出了一个新的SOIMOSFET模型,它计入了影响深亚微米器件工作的各种二级特理效应,该模型同时适用于数字电路和模拟电路的设计,模型计算结果与实际测试结果较吻合。 相似文献
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基于流体动力学能量输运模型,利用二维仿真软件Medici对深亚微米槽栅PMOS器件的几何结构参数,如:沟道长度、凹槽拐角、凹槽深度和漏源结深导致的负结深对器件抗热载流子特性的影响进行了研究。并从器件内部物理机理上对研究结果进行了解释。研究发现,在深亚微米和超深亚微米区域,槽栅器件能够很好地抑制热载流子效应,且随着凹槽拐角、负结深的增大,器件的抗热载流子能力增强。这主要是因为这些结构参数影响了电场在槽栅MOS器件的分布和拐角效应,从而影响了载流子的运动并使器件的热载流子效应发生变化。 相似文献
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深亚微米MOSFET模型研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
文中对在深亚微米MOSFET的器件模型研究基础上,提出了研究MOSFET模型值得注意的问题,并对如何建立深亚微米MOSFET模型作出了有益的探讨。 相似文献
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开发了适用于薄膜亚微米、深亚微米CMOS/SOI电路的集成器件线路模拟软件,该模拟软件采用集成数值模型,将薄膜SOI器件的数值模拟与电路模拟有机地结合在一起,实现了薄膜亚微米、深亚微米CMOS/SOI电路的精确数值模拟,利用这一软件较为详细地分析了硅层厚度为50 ̄400nm、沟道长度为0.15 ̄1.0um的CMOS/SOI环形振荡器电路,使我们对深亚微米薄膜CMOS/SOI环振的特性及工作机理了较 相似文献
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采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法,建立了适用于亚微米、深亚微米的LDD MOSFET输出I-V特性解析模型,模型中重点考虑了衬底电流的作用.模拟结果与实验有很好的一致性.该解析模型计算简便,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述,因此适用于器件的优化设计及可靠性分析. 相似文献