牛血清蛋白在亲水硅片表面吸附的原子力显微成像

本文用原子力显微术（AFM）研究了牛血清白蛋白（BSA）在亲水硅片表面的吸附，硅片表面经亲水处理后，将牛血清蛋白（BSA）吸附在表面，采用轻敲模式，可获得清晰的AFM图像，牛血清蛋白（BSA）的AFM图像表明：BSA在亲水硅片表面是单分子，水平吸附在硅片表面，且吸颗粒状；1mg/ml的BSA在吸附30min后为饱和吸附。BSA到达硅表面后，蛋白中可移动的带正电荷的基团可以趋向亲水表面，使BSA与硅表面的静电相互作用由斥力变为吸引力，BSA可以稳定地吸附在亲水硅片表面。     

硅片直接键合制作SOI结构的工艺研究

硅片直接键合制作ＳＯＩ结构的工艺研究＝［刊，俄］１９９４，２３（６）．－４６～５４本文研究了硅片热压键合前化学处理原始硅表面对低温下表面半粘附键合质量和ＳＯＩ结构质量的影响。采用二次离子质谱方法分析硅片直接键合形成的ＳＯＩ结构中的杂质分布剖面表明，在...     

直接键合硅片的亲水处理及其表征

硅片直接键合技术的关键在于硅片表面的亲水处理,本文分析了亲水处理之微观机理,从界（表）面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法,并测量了常用清洗液的接触角大小。     

西门子公司收购F＆K Delvotec公司芯片焊接机业务

西门予自动化与驱动集团宣布收购F＆K Delvotec Bondtechnik公司位于德国奥托布鲁的芯片焊接机业务。借此，西门子将Delvotec的创新芯片焊接技术融入SIPLACE表面贴装技术（SMT）贴片机业务之中。F＆K Delvotec领先的芯片焊接机能够以极高的精度大批量处理芯片（裸硅片）。此次收购将帮助西门子进一步增强自身实力，巩固作为全球电子生产制造解决方案领先制造商的地位。     

无亲水天然氧化物的硅片直接粘合

无亲水天然氧化物的硅片直接粘合＝ＳｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｄｉｒｅｃｔｂｏｎｄｉｎｇＷｉｔｈｏｕｔｈｙｄｒｏｐｈｉｌｉｃｎａｔｉｖｅｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｈｉｍｉ．Ｈ．…ＪｐｎＪＡｐｅｌ．－１９９４．３３（１Ａ）．－６～１０用两个表面无亲水自然氧化层...     

片架片盒的正确使用

在硅片加工过程中，大部分时间硅片是放在花兰及传片盒内的。如果花兰维护不当，会对成品率产生相当大的负作用。不过，大部分半导体厂家对周转硅片用品（花兰、传片盒等）很少引起重视。不恰当的处理会导致：a）加速花兰表面磨损，在硅片表面产生很多颗粒，b）花兰发生畸变，致使硅片装载出错，设备停机时间延长；（c）降低周转硅片用品的使用寿命。本文报道一些习惯作法，并提供一些可使这些问题产生的影响传至最小的建议。如今，一般认为管理部门应采取积极的态度，工作环境必须要求有正确的硅片处理方式。简单地改变一下操作方式——有…     

微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析

通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p型硅片表面的污染，采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术，对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究．结果表明，当氢氟酸溶液中同时含有ppb水平（1e－9）的铜铁杂质时，不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染，而且还导致硅片表面的碳污染，并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论．     

CF4等离子处理在低温硅片直接键合中的应用

键合前用CF4等离子体对硅片表面进行处理,经亲水处理后,完成对硅片的预键合.再在N2保护下进行40h 300℃退火,获得硅片的低温直接键合.硅片键合强度达到了体硅的强度.实验表明,CF4对硅片的处理不仅可以激活表面,而且可以对硅片表面进行有效的抛光,大大加强了预键合的效果.     

O76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析

结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入,用智能剥离技术（Ｓｍａｒｔ－ｃｕｔ○Ｒ）成功地制备了７６ｍｍ的ＳＯＩ材料．用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ,比普通的抛光硅片约大一个数量级．ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷,包括未转移区和气泡等,这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起．通过改进低温键合工艺,提高键合质量,可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料．     

硅微透镜阵列

采用融熔法制备球冠形的光致抗蚀剂掩膜，用离子束刻蚀实现球冠形向硅片上转和多，有效地在较低衬底温度下（低于２００℃）制备出了硅微透镜阵列，通过扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针实验证实了微透镜为球冠形。     

采用界面薄层氧化硅的硅片直接键合技术研究

本文研究了采用界面薄层氧化硅的硅片直接键合技术。利用原子力显微镜（AFM）和剪切力测试分别表征表面粗糙度和键合强度随着薄层氧化硅厚度的变化情况。对比了采用热氧化和等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）两种方法对晶片粗糙度及键合强度的影响。结果表明采用热氧化和PECVD沉积薄层氧化硅做硅片直接键合,键合强度分别可以达到18MPa和8MPa,键合强度随着薄层界面氧化硅厚度的增加而下降,这对于MEMS器件制备及其他硅片直接键合的应用都具有十分重要的指导意义。     

盛美推出12英寸单片清洗技术用于清洗10nm超微颗粒

盛美半导体（上海）有限公司近日发表了十二英寸单片兆声波清洗设备的最新工艺，本工艺用于45nm技术及以下节点的十二英寸高端硅片清洗。盛美独家具有自主知识产权的清洗技术可以去除数十纳米超微小颗粒，同时使硅片表面的材料损失降到最低，并且不影响硅片表面的平整度。     

低温硅片直接键合和界面行为

描述了低温硅片直接键合（ＬＴＳＤＢ）的实现和质量评价。通过高分辨率电子显微（ＨＲＥＭ）和表面电离质谱分析（ＳＩＭＳ）的方法对键合界面特性进行了研究。用ＨＲＥＭ图象了诸如位错和ＳｉＯ２的随机分布等界面结构，ＳＩＭＳ结果表明了靠近键合界面的分布情况和Ｓｉ－Ｈ原子团的其他特性，提出了一种新的两步ＬＴＳＤＢ机理。     

基于磨粒运动轨迹的硅片化学机械抛光材料去率研究

硅片化学机械抛光（CMP）是机械作用与化学作用相结合的技术,硅片表面的化学反应层主要是由抛光液中磨料的机械作用去除,磨粒对硅片表面的摩擦和划擦对硅片表面材料的去除起着重要作用。磨粒在硅片表面上的划痕长度直接影响硅片表面的材料去除率。本文首先在实验结果的基础上分析了硅片CMP过程中磨粒的分布形式,然后根据运动学和接触力学理论,分析了硅片、磨粒及抛光垫三者之间的运动关系,根据磨粒在硅片表面上的运动轨迹长度,得出了材料去除率与抛光速度之间的关系,该分析结果与实验结果一致,研究结果可为进一步理解硅片CMP的材料去除机理提供理论指导。     

φ76mm智能剥离SOI材料的制备及其表面缺陷的分析

结合硅片低温键合和中等剂量的氢离子注入,用智能剥离技术成功地制备了φ７６ｍｍ的ＳＯＩ材料,用原子力显微镜（ＡＦＭ）测得表面粗糙度约为７ｎｍ,比普通的抛光硅片约大一个数量级。ＳＯＩ上层硅膜存在表面缺陷,包括未转移区和气泡等,这是由剥离前硅片键合界面存在的空洞引起。通过改进低温键合工艺,提高键合质量,可得到基本无宏观表面缺陷的ＳＯＩ材料。     

低温硅片直接键合和界面行为

描述了低温硅片直接键合（ＬＴＳＤＢ）的实现和质量评价。通过高分辨率电子显微镜（ＨＲＥＭ）和表面电离质谱分析（ＳＩＭＳ）的方法对键合界面特性进行了研究。用ＨＲＥＭ图象观察了诸如位错和ＳｉＯ２的随机分布等界面结构，ＳＩＭＳ结果表明了靠近键合界面的分布情况和Ｓｉ－Ｈ原子团的其他特性。提出了一种新的两步ＬＴＳＤＢ机理     

碳酸胍和聚乙二醇对单晶硅片CMP的影响

为了提高单晶硅片的抛光效率,探究了碳酸胍（Guanidine carbonate,GC）和聚乙二醇（PEG）对硅片在含双氧水的抛光液体系中化学机械抛光（CMP）的影响及作用机理,使用白光干涉仪观察抛光后单晶硅的表面质量。结果表明：GC的加入有助于材料去除率的提高,表面粗糙度有所增大;PEG的加入,会在硅片表面形成吸附层,降低硅片静态腐蚀速率,同时具有润滑作用,在一定程度上降低去除率,但会提高表面质量。当GC含量为1.2 wt.%、PEG含量为0.002 5 wt.%时,材料去除率为1 089.1 nm/min,表面粗糙度为0.844 nm（范围为550μm×440μm）。     

基于DEM技术的塑料毛细管电泳芯片加工工艺

传统的毛细管电泳芯片基体材料以硅和玻璃为主，成本较高，且不适合于生化领域。而以聚合物作为基片材料，由于材料成本较低，且微复制方法成本也很低，因此可望在商业上取得广泛的应用。采用DEM技术，利用感应偶合等离子体（ICP）刻蚀设备进行硅的刻蚀，然后从硅片直接进行微电铸，得到金属模具后，再利用微复制工艺，最终得到的毛细管电泳芯片基片，该技术工艺简单，可实现大批量低成本生产，预期将有广阔的应用前景。     

超净硅片表面化学清洗工艺的优化研究

本文采用正交试验设计法优化硅片化学清洗工艺，由Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）检测清洗后的硅表面沾污杂质．结果表明，硅表面主要沾污杂质氧和碳的最低含量分别为１e１３／ｃｍ２和３．１e１３／ｃｍ２，均达到超净的水平（～３e１３／ｃｍ２）．本文还研究了Ⅰ号液和Ⅱ号液对硅片表面沾污的影响．     

100GHz带宽的光电导探测器芯片

本文报道了利用共面微带线间的指状交叉型光电导开关，在以蓝宝石为衬底的硅片（SOS）上构造了一种新型的光电探测器．非接触电光取样测量表明，它具有超过100GHz的-3dB带宽．在100fs、25pJ的脉冲激光照射下，产生的电脉冲峰值约为300mV，脉宽（FWHM）为3.3ps．