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AZ91D镁合金微弧氧化膜耐蚀性的试验研究 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了AZ91D镁合金微弧氧化膜在复合铝酸盐溶液中的耐蚀性。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了AZ91D镁合金微弧氧化膜的物相和表面形貌;利用IM6e型电化学工作站测量了氧化膜的电化学阻抗和稳态电流/电位极化曲线;利用CMB-1501B型便携式瞬时腐蚀速度测量仪测量了氧化膜的腐蚀电流密度Icorr和年腐蚀深度MMA。试验结果表明,微弧氧化的镁合金耐蚀性提高了2~3个数量级,镁合金微弧氧化膜主要由MgO、MgAl2O4、Al12Mg17组成。 相似文献
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AZ91D镁合金微弧氧化工艺参数的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
微弧氧化技术是一种在金属表面原位生长陶瓷膜的先进成形技术,是镁合金表面处理技术的重点发展方向,微弧氧化过程复杂,选择合适的工艺参数,优化工艺过程,对进一步提高膜层的性能来说至关重要。本课题通过试验研究了电流密度、占空比、频率和氧化时间对AZ91D镁合金陶瓷膜性能的影响,对工艺参数进行了优化。试验结果表明,AZ91D镁合金微弧氧化最佳的工艺参数:电流密度为1.0A/dm2、频率为600Hz、占空比为20%、微弧氧化时间为20min。 相似文献
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AZ91D镁合金微弧氧化工艺参数的优化 总被引:4,自引:0,他引:4
利用自制微弧氧化装置在硅酸盐体系中对AZ91D镁合金进行微弧氧化处理.采用4因素3水平正交试验,从考察膜层厚度、表面粗糙度和耐蚀性出发,确定了AZ91D镁合金在硅酸盐体系中的最佳工艺参数.结果表明:在最佳工艺条件下,微弧氧化膜呈多孔结构、孔径较小,裂纹较少,分布均匀,膜层较为致密;微弧氧化膜由MgO、Mg2SiO4、MgAl2O4和少量的SiO2组成;室温下,在质量分数为3.5%的NaCl中性溶液中浸泡168 h后,膜层表面未出现明显的点蚀现象,耐蚀性较镁合金基体有了很大提高. 相似文献
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电参数对AZ91D镁合金微弧氧化膜层微观结构及耐蚀性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
研究硅酸盐体系中电压、频率和占空比等电参数对AZ91D镁合金微弧氧化膜层的厚度、表面形貌、相组成及耐蚀性的影响,并对膜层的表面孔隙率及表面孔径进行定量分析。结果表明:电压对膜层微观结构及耐蚀性能的影响起主导作用,频率的影响次之,占空比的影响较小;随电压升高,膜层厚度、表面孔隙率及耐蚀性均增大;频率与占空比对膜层厚度的影响不大,但对表面孔隙率和耐蚀性有一定的影响;频率为800Hz、占空比为15%时,膜层耐蚀性较好,此时所得膜层的表面孔隙率较小,分别约为8%和10%,膜层表面上孔径在1~3μm的微孔比例都大于60%;膜层表面孔径和孔隙率的定量评价与膜层形貌分析相结合可为膜层耐蚀性的分析提供有力依据。 相似文献
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AZ91D镁合金微弧氧化中电源脉冲宽度的影响研究 总被引:1,自引:0,他引:1
为研究带放电回路的微弧氧化电源脉冲宽度对镁合金微弧氧化的影响,设计了在恒电压增幅和频率为667 Hz的条件下,占空比在10%~90%之间的镁合金微弧氧化实验.研究发现,随着脉冲宽度的增加,起弧电压逐渐降低,大弧倾向增大;膜表面孔洞数量减少且孔径尺寸略有增大;微弧氧化的成膜效率随着脉冲宽度的增加先增大后减小;在占空比30%左右时成膜效率最高,并且膜层的耐蚀性最好.对于频率为667 Hz的镁合金微弧氧化,脉冲宽度控制在300~600μs时成膜效率最高且膜层质量较好. 相似文献
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为了探索AZ91D压铸镁合金微弧氧化的工艺,研究了两种电解液体系中,恒电流时膜层生长动力学规律.分析了恒定电流密度值的大小、电源脉冲频率以及在溶液中添加NaF对膜层生长速率、表面粗糙度的影响.结果表明:电流密度越大,AZ91D压铸铁合金饭弧氧化膜层的生长速率越快,同时膜层表面粗糙度也会相应增大;频率越高膜层表面粗糙度越小,但频率的变化几乎对膜层的生长速率不产生影响;在溶液中添加NaF,可以明显地提高膜层的生长速率并降低膜层的表面粗糙度. 相似文献
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在含有Na2SiO3、NaAlO2、Na2B4O7、NaOH、C3H8O3及C6H5Na3O7的硅铝复合电解液中,采用恒电流方式对AZ91D镁合金进行微弧氧化处理。利用扫描电镜、膜层测厚仪、全浸泡试验和极化曲线等方法研究了陶瓷膜层的形貌特征、厚度以及耐蚀性能。结果表明,随着Na2SiO3、NaAlO2、Na2B4O7、NaOH、C3H8O3及C6H5Na3O7含量的增加,微弧氧化陶瓷膜层的耐蚀性基本均呈现出先提高后降低的变化趋势;经正交试验优化后,当电解液中Na2SiO3、NaAlO2、Na2B4O7、NaOH、C3H8O3和C6H5Na3O7的含量分别为15g/L、9g/L、2g/L、3g/L、5mL/L及7g/L时,膜层耐蚀性最好。经过微弧氧化处理后试样的腐蚀电流密度较镁合金基体降低了近2个多数量级,自腐蚀电位提高了近73mV,镁合金的耐蚀性能得到了显著提高。 相似文献
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电流密度是影响微弧氧化膜层结构和性能主要因素之一。采用共聚焦激光扫描显微镜(CLSM)、X射线衍射(XRD)、电化学测试等手段,研究了在不同电流密度下(30 m A/cm~2、40 m A/cm~2、50 m A/cm~2)硅酸盐溶液中AZ91D铸造镁合金微弧氧化膜层的结构和耐蚀性。结果表明:随着电流密度增大,氧化膜表面微孔数量减少,表面粗糙度降低;电流密度50 m A/cm~2下生成的氧化膜耐蚀性最佳,这主要取决于氧化膜的致密程度。 相似文献
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AZ91D镁合金微弧氧化膜层性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在铝酸盐体系电解液中采用微弧氧化技术对AZ91D镁合金进行表面处理。通过扫描SEM、XRD、电化学测试技术等研究了氧化电压和氧化时间对微弧氧化膜层的表面形貌、结构、厚度、耐蚀性的影响。结果表明,随氧化电压的增大和氧化时间的延长,微弧氧化膜层的耐蚀性呈上升趋势,膜层厚度为3~31μm,膜-基结合强度最大值达到42 MPa。 相似文献
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AZ91D镁合金微弧氧化膜的腐蚀行为研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用双向全波脉冲电源对AZ91D镁合金在硅酸盐体系中进行了微弧氧化处理,通过电化学阻抗谱(EIS)测试、极化曲线分析并结合XRD和SEM等分析方法对微弧氧化处理的镁合金腐蚀行为进行了研究.结果表明,微弧氧化膜表面分布着几微米的微孔,微弧氧化膜中主要含有MgF2,Mg2SiO4和Al2O3.AZ91D镁合金经过微弧氧化处理之后,耐蚀性能明显提高,自腐蚀电流密度降低3个数量级,自腐蚀电位高出约300 mV,阻抗值高出3个数量级,研制的微弧氧化膜对镁合金具有很好的防腐保护性能. 相似文献
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火花放电是微弧氧化处理过程中的一种代表性现象.在电火花的影响下,镁合金氧化
试样的表面形貌、元素分布以及表面电位分布等都发生了显著的变化.研究发现,火花放电
能够在氧化膜中留下大量的放电微孔,并且加速电极表面的氧化以及溶液中粒子在电极表面
的沉积.火花放电具有明显的成膜作用,使膜层内部更加致密,放电区域的表面电位正移.
另外,氧气的存在,对于电火花的尺寸和放电的剧烈程度具有明显的促进作用. 相似文献
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利用扫描电镜观察AZ91D镁合金微弧氧化膜形貌,通过静拉伸试验和疲劳试验研究微弧氧化后AZ91D镁合金试件的抗拉强度和疲劳性能,借助体视显微镜和扫描电镜观察疲劳断口形貌。结果表明,微弧氧化陶瓷膜内层致密,具有良好的韧性,并且与基体结合强度高,微弧氧化处理对 AZ91D镁合金的抗拉强度没有影响。微弧氧化处理后,在均值Sm=4.72 kN、幅值Sa=3.15 kN、应力比R=0.2、载荷为等幅谱及频率为10 Hz疲劳试验条件下,AZ91D 镁合金的平均疲劳寿命为54148次循环,与化学氧化处理相当。 相似文献
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《全面腐蚀控制》2015,(11)
在NaAlO_2电解液体系中,采用自制微弧氧化成套设备对AZ91D镁合金进行微弧氧化。采用5因素4水平正交设计试验法,以膜层厚度和耐蚀性为指标,综合考察了各因素对膜层结构和性能的影响,确定最佳工艺条件为20g/L NaAlO_2,7g/L Na_2B_4O_7,频率500Hz,正占空比20%,氧化时间30min。对该工艺下制备的微弧氧化膜层进行SEM、XRD分析,膜层含有较多的NaAlO_2、MgO和Al_2O_3晶体相;相对基体而言,微弧氧化膜层耐蚀性提高2~3个数量级。动电位极化曲线及电化学交流阻抗测试进一步表明,AZ91D镁合金微弧氧化后,其耐蚀性明显提高。 相似文献
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在Na2SiO3和NaAlO2为主成膜剂的硅铝复合电解液中,利用交流脉冲电源对AZ91D镁合金进行微弧氧化处理,研究主成膜剂含量的变化对微弧氧化过程及膜层特性的影响规律。利用扫描电镜(SEM)和膜层测厚仪分别研究了膜层的微观形貌和膜层厚度,通过电化学阻抗谱(EIS)测试膜层在3.5%NaCl中性溶液中的耐蚀性能。结果表明,随着主成膜剂含量的增加,微弧氧化过程中起弧电压和终止电压均呈下降的变化趋势,而膜层耐蚀性则基本呈先增大后降低的变化趋势,膜厚的变化趋势与其耐蚀性一致;Na2SiO3含量的变化对膜层内部致密层和外部疏松层的耐蚀性均有影响,而NaAlO2含量的变化则主要影响膜层内部致密层的耐蚀性;适量的主成膜剂含量是获得致密耐蚀膜层的关键。 相似文献