大功率金属陶瓷四极管的负阻振荡

文章对四极管的二次电子放射进行了阐释,分析了产生负阻振荡的机理,并结合DF-100A PSM短波广播发射机发生的负阻振荡故障实例,阐述了负阻振荡的危害及防止负阻振荡的方法。     

基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性

介绍了-种新型硅磁电负阻-振荡器件--S型负阻-振荡硅磁敏三极管.该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件,采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作.实验结果表明,集电极电流随外加磁场的变化而变化;在基极注入电流一定时,出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻-振荡特性,且集电极电流振荡随外加磁场而变化.对该器件负阻-振荡特性的形成机理进行了讨论,结果表明,在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下,当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时,该磁敏三极管伏-安特性曲线中的Vp+x偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻-振荡特性.在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻-振荡特性进行调制.     

基于MEMS技术新型硅磁敏三极管负阻-振荡特性

介绍了一种新型硅磁电负阻振荡器件——S型负阻-振荡硅磁敏三极管．该器件是基于MEMS技术在p型高阻单晶硅片上制作的具有立体结构的新型磁电转换器件，采用KOH各向异性腐蚀技术实现发射区及引线的制作．实验结果表明，集电极电流随外加磁场的变化而变化；在基极注入电流一定时，出现集电极电流受外加偏压VCE调制的负阻-振荡特性，且集电极电流振荡随外加磁场而变化．对该器件负阻振荡特性的形成机理进行了讨论，结果表明，在集电区n+π结和基区与π区形成的p+π结均处于反偏条件下，当π区满足雪崩倍增效应产生的条件时，该磁敏三极管伏-安特性曲线中的Vp+π偏压相对应的基极注入条件下的集电极电流出现S型负阻-振荡特性．在发射极和基极间的n+π结和p+π结附近存在的大量深能级杂质将对负阻-振荡特性进行调制．     

双管S型负阻器件的研究

模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）。本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。     

频率负阻效应与复合振荡器

本文利用转动变换推导出五种典型放大电路的负阻条件;利用负阻效应特有的复合振荡现象取得了扩展振荡频带、增强振幅的效果;从而表明,在反馈振荡器与负阻振荡器之间存在可供实用的第三种振荡形式。     

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管（ＰＤＵＢＡＴ）是一种能产生“Ｎ”型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现ＰＤＵＢＡＴ在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振由减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。     

三端电压控制型负阻器件（7）

三端电压控制型负阻器件（７）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第八章电压控制负阻ＭＯＳ器件［２’ｊ电压控制负阻ＭＯＳ器件（Ｖｏｌｔａｇｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｇａｔｉ、ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＭＯＳＤｅｖｉｃｅ）也称作“Ａ”微分负阻ＭＯＳＦＥＴ...     

光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究

光电双向负阻晶体管(PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件.本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究,给出了器件等效电路.PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性.模拟和实验结果均表明:光照强度增大,维持电压基本保持不变,转折电压减小,负阻电压摆幅减小;而增大控制电压,维持电压和转折电压均增大,输出负阻特性曲线右移.上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景.     

光电双基区晶体管中的光控电流开关效应

光电双基区晶体管体在光电混合模式工作条件下具有光控“Ｓ”型负阻特及其光控电流开关效应。测量了光照时ＩＢＥ－ＶＢＥ特性,Ｉｔｈ－Ｒｃ特性等曲线。并利用用电注入双基区晶体管的“Ｓ”型负阻产生机理解释了测得的结果。     

负阻元件的设计与应用实验

在电路理论中,负阻元件在电子电路中主要用来产生振荡,其特性曲线都是严重非线性的。负阻元件典型的应用是间歇振荡,在缺乏高效供电时尤其有用。负阻振荡器结构简单、体积小、成本低,所以在一些需要初始触发时经常使用。     

变容管调谐微波压控振荡器

本文从晶体管等效电路入手,利用负阻法分析振荡器,导出了振荡管最佳反馈电容和最大等效负阻。指出了变容管串联及并联电调时等效电路及谐振频率的计算公式,提供了变容管调谐微波晶体管压控振荡器的设计步骤及方法。     

高纯GaAs的非线性伏安特性

报道了４．２Ｋ下Ｎ型高纯ＭＢＥＧａＡｓ的非线性伏安（Ｉ－Ｖ）特性．在第一个Ｓ形负阻区的高场侧，发现了另外三个Ｓ形负阻区．建立了新的产生－复合模型，给出了多个负阻现象的微观物理机制．进一步的实验结果表明，非线性Ｉ－Ｖ特性的滞后现象与外电场变化的历史有关．     

金属/绝缘层/硅(MIS)隧道二极管的发光机理

金属／绝缘层／硅（ＭＩＳ）隧道发光二极管的发光机理可以归结为表面等离极化激元（ＳＰＰ）与界面粗糙度的耦合．电流－电压特性曲线中６．５Ｖ附近的一个负阻和发射光谱中４７５ｎｍ的峰显示,在硅／二氧化硅界面激发起了与之相应的等离子体振荡．     

三端电压控制型负阻器件（2）

三端电压控制型负阻器件（２）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第二章表面控制负阻晶体管（ＮＥＧＩＴ）［５］表面控制负阻晶体管（Ｓｕｒｆａｃｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｓａｔｉｖｅＩｍｐｅｄａｎｄｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＥＧＩＴ是在栅控晶...     

光电负阻晶体管的初步研究

本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管，首次给出了完整的等效电路，并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟程序，对ＰＬＢＴ的Ｉｐｈ－ＶｃＥ特性进行了模拟。模拟结果与从ＰＬＢＴ实验性器件实测的Ｉｐｈ－ＶＣＥ特性吻合得很好，初步研究还表明，此器件除了作为光探测器外，还具有光生振荡和光控调频等功能。     

DPLBT型高频硅光电负阻器件的研制

研制出特征频率fT≥220MHz,且具有较高光电灵敏度和最大峰值电流的光电负阻器件--达林顿光电λ型双极晶体管(DPLBT),并首先用发光二极管(LED)和光电负阻器件(DPLBT)封装成一种和常规光电耦合器不同的具有光电流开关、光控电流双稳态和光控正弦波振荡多种功能的新型光电耦合器(PCDPLBT).     

单运放RC正弦振荡电路系列

RC文氏桥及T型桥式振荡电路是目前广泛使用的正弦振荡电路。仅用一个运放构成的这种类型的振荡电路的常见形式如本文末系列表中第一列所示。其振荡条件及振荡频率的推导则采用环路增益AF≥1或等效负阻gd≥gL的方法[1、2]。本文则介绍利用相同的元件,经过一系列有规律的电路变换,     

RC相移式振荡器的负阻法分析

利用负阻法推出了RC相移式振荡器的振荡条件和振荡频率公式，其结果与传统法推出的完全一致，且其物理概念更为清晰。     

隧道二极管串联谐振放大器

隧道二极管是一种新型的半导体负阻元件,与一般晶体管相比,它具有许多优点,如:频率高、噪声低、特性随温度变化小、对核辐射不敏感、耗能少及制造工艺简单等,近年来已广泛地应用于放大、振荡、变频及脉冲开关等电路.隧道二极管放大器是利用它的负阻特性,因此是一种负阻放大器.该类放大器的优点是噪声低、灵敏度高、耗能少等,能作为高灵敏度接收     

超敏感负阻开关组合晶体管

以往的负阻研究工计者,对S型负阻的研究仅局限于显型负阻,因此,其触发灵敏度受限制.1.两种S型负阻(1)显型负阻 其负阻曲线能够从晶体管图示仪上直接观察到的负阻,叫显型负阻,由两只β值为1的互补晶体管进行组合,就可得到显型负阻,如图1所示.