掺杂PZT压电陶瓷材料的研制

本文在介绍掺杂ＰＺＴ压电陶瓷材料制备及其性能测试基础上，总结出生产掺杂ＰＺＴ材料的最佳烧成条件，研究表明，本文所研制的样品已达到或超过压电点火材料的水平，但所选系统仍有潜力可挖，只要工艺合适，性能完全能再提高。     

MgO掺杂对功率型PZT压电陶瓷性能的影响

通过掺入不同比例的MgO,采用固相烧结法,制备出一种Pb0.95 Sr0.05(Zr0.525 Ti0.475)O3+1.1 mol％ CaFeO5/2+0.3mol％ Fe2O3+0.2mol％ Li2CO3+xmol％ MgO压电陶瓷材料.实验表明:适量MgO掺杂可以改善材料压电介电性能,在保持较高压电性能基本不变的前提下,提高机械品质因数Qm,降低介电损耗tanδ.当x=0.2时,陶瓷的综合性能最佳,具体性能参数为:压电应变常数d33=254 pC/N,平面机电耦合系数Kp=54.5％,相对介电常数εT33/ε0=960,介电损耗tanδ=0.34％,机械品质因子Qm=822.其性能满足大功率压电器件的要求,能较好地应用于压电变压器、超声换能器等器件中.     

压电报警器PZT压电陶瓷的制备研究

本文采用传统的固相法制备PZT二元系压电陶瓷。研究了掺杂不同含量为0.1%,0.15%,0.2%,0.25%,0.3%和0.35%的MnO_2和CeO_2对PZT压电陶瓷的结构、介电性能、压电性能和介电损耗的影响。并对其微观组织进行了研究。当锰的掺杂量为0.15%时,压电陶瓷的性能得到最佳的优化:tgδ=0.0095;kp=0.634p C/N;d33=611;ε=2523。铈的掺杂使陶瓷的烧结温度升高,当铈的掺杂量为0.15%时,压电陶瓷的性能也得到了最佳的优化:tgδ=0.017;kp=0.623;d33=563p C/N,ε=3310。在原配方材料的基础上压电常数和机电耦合系数都有所增加。这对压电报警器的声压的提高、体积的减小有着重要的意义。     

WO3掺杂PMS—PNN—PZT压电陶瓷的压电性能的研究

用固相反应法制备了掺杂WO3的PMS—PNN—PZT压电陶瓷,研究了WO3对PMS—PNN—PZT陶瓷的相结构与压电性能的影响。WO3的加入促进了PMS—PNN—PZT压电陶瓷的烧结致密化。掺杂0．5wt％时,在1100℃下烧结具有最佳压电性能：d33=381pC·N^-1,Qm=1040,Kp=0．53,εr=1448,tanδ=0．0052。     

PZT二元系压电陶瓷的掺杂改性

锆钛酸铅系的压电陶瓷应用较广泛，不同的用途对材料性能的要求不同，因此必须寻找获得不同性能的途径。本文叙述了材料组成的改变和添加物的加入对材料性能的影响。其中着重就掺杂改性作了一些研究和探讨。通过实验总结出等价离子和不等价离子置换Ｐｂ＾２＋引起材料性能改变的一般规律，其中不等价离子包括“硬性”添加物和“软性”添加物，以及其它一些添加物。同时实验还表明，单独加入一种添加物往往不能满足性能的要求。为了取     

PZT压电陶瓷粉体合成的研究进展

本文介绍了固相法和液相法合成PZT压电陶瓷粉体的研究现状，分析了各种合成方法的特点，指出了PZT粉体合成研究中存在的问题和发展方向。     

NBT基无铅压电陶瓷的研究进展

由于环境保护的要求，无铅压电材料越来越受到关注，NBT基压电陶瓷是目前研究较多的一种无铅压电材料，采取各种掺杂措施可以提高其压电性能，获得具有实用价值的无铅压电陶瓷材料。     

碱式碳酸钴掺杂量对BCZT无铅压电陶瓷性能和结构的影响

采用传统固相法制备了碱式碳酸钴掺杂不同量的Ba0.85Ca0.15Ti0.9Zr0.1O3(简称BCZT)系列无铅压电陶瓷,借助扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)等研究了不同碱式碳酸钴掺杂量(x=0,0.55,0.89,1.3,1.8 wt.％)对BCZT无铅压电陶瓷的物相组成、显微结构及压电性能和介电性能的影响.结果表明:碱式碳酸钴的加入并没有改变所制备陶瓷的相结构,仍为单一斜方相钙钛矿,当x=1.8wt.％时,出现杂相.随着碱式碳酸钴掺杂量(x)的增大,BCZT无铅压电陶瓷的压电系数(d33)、平面机电耦合系数(kp)先增大后减小,介质损耗(tan δ)先减小后增大,而相对介电常数(εr)一直增大.当碱式碳酸钴(x)为1.3wt.％时,BCZT无铅压电陶瓷的综合性能最佳:d33=135 pC/N,εr=3399,kp=0.38,tanδ =0.029.     

钨铜酸钡掺杂对PZT压电陶瓷性能影响的研究

制备了 ( 1-xmol %)PZT -xmol?(Cu1 / 2 W1 / 2 )O3 三元体系压电陶瓷 ,研究了钨铜酸钡的掺杂比例和烧结制度对材料性能的影响 ;分析了Ba2 、Cu2 、W6 离子对PZT压电陶瓷进行改性的作用机理 ;利用XRD和SEM分析了物相组成和微观结构与材料性能的关系 ,研究表明 ,钨铜酸钡对PZT材料具有较好的改性作用     

高温压电陶瓷掺杂研究现状

高温压电陶瓷应用广泛,掺杂是提高材料性能的重要手段之一。从离子取代(A位、B位及A/B位复合掺杂)、多元复合和助烧剂掺杂等方面阐述了高温压电陶瓷掺杂改性的研究现状,并提出了今后可能的发展方向。     

Sr(Cu1/2W1/2)O3改性PZT压电陶瓷的性能研究

制备了钨铜酸锶掺杂PZT三元体系压电陶瓷,测量了不同烧结温度和不同组成的材料的压电常数值,以压电常数为依据,确定了不同组成的材料的最优烧结温度及在最优烧结温度下材料的压电常数.研究了钨铜酸锶的掺杂量对材料机电耦合系数和机械品质因数的影响.并对不同组成的材料进行了XRD和SEM分析,研究了材料的物相组成和微观结构对材料性能的影响.讨论了Sr2+,W6+,Cu2+离子对PZT压电陶瓷进行改性的作用机理.实验结果表明,钨铜酸锶可对PZT材料进行较好的改性作用,使材料的压电常数提高到570pC/N.     

压电陶瓷材料的研究进展与发展趋势

介绍了压电陶瓷材料的研究现状及发展历程,探讨了掺杂元素对压电陶瓷性能的影响,概述了压电陶瓷材料的发展趋势及研究方向。     

大功率铅基压电陶瓷材料的研究进展

本文综述了大功率压电陶瓷材料的研究进展,介绍了其体系结构、应用和制备方法,最后指出掺杂改性、探索新的材料体系和制备工艺是改进其制备的有效途径。     

PZT压电厚膜的研究现状与进展

PZT压电厚膜材料具有良好的压电性能,它兼顾了块体材料和薄膜的优点,近年来得到了广泛的研究与应用.本文简述了制备PZT压电厚膜的制备方法及基板、电极材料的研究情况,讨论了目前制造PZT压电厚膜所存在的基板与厚膜之间的高温扩散以及丝网印刷用厚膜浆料难以分散均匀等共性问题,同时,就如何解决这些问题进行了评述.     

添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响

对添加剂按电价进行了分类，讨论了各类添加剂对锫钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响，分析了各类添加剂能对锆钛酸铅二元系压电陶瓷进行改性的原因。研究表明各种添加剂的加入量都有一个适宜的范围。     

压电陶瓷材料的研究现状与发展趋势

本主要概述了国内外关于压电陶瓷材料的发展历史进程和研究现状,探讨了其发展趋势和应用前景：指出了现代压电陶瓷材料正在向着复合化、薄膜化、无铅化及纳米化方向发展．应用前景广阔．是一种极有发展潜力的材料。     

压电变压器用锆钛酸铅压电陶瓷材料的研究

综述了压电变压器的原理、其材料的研究进展,分析了其在现阶段存在的问题,并展望了其发展方向.     

Bi0.5Na0.5TiO3基无铅压电陶瓷的研究进展

随着经济的发展和人们环保意识的增强,无铅压电陶瓷的研究和开发越来越引起人们的重视.由于钛酸铋钠(Bi0.5Na0.5TiO3,简称为BNT)基无铅压电陶瓷具有良好的铁电性和高的剩余极化引起了广大学者的关注.本文分析了BNT基无铅压电陶瓷的研究进展,其中晶粒取向生长技术是提高其压电性能的一个重要途径.本文还介绍了一种溶剂热法制备织构化BNT基无铅压电陶瓷的方法.     

添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响

对添加剂按电价进行了分类，讨论了各类添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的影响，分析了各类添加剂对锆钛酸铅二元系压电陶瓷性能的原因。研究表明，各种添加剂的加入量都有一个适宜的范围。     

BNBMT无铅压电陶瓷的制备及性能研究

本文采用新型溶胶-凝胶制粉技术和传统陶瓷生产工艺制备了0.93Bi0.5Na0.5TiO3-0.07Ba1-xMgxTiO3（简称BNBMT100x）体系无铅压电陶瓷,并对BNBMT陶瓷的晶相特征及其介电和压电性能进行了讨论。XRD分析表明,陶瓷样品均形成了单一的钙钛矿结构固溶体;Mg的加入对陶瓷的介电、压电性能有显著影响;陶瓷的铁电-顺电相变峰显著降低、展宽;介电损耗在室温至200℃范围内较平缓。当x=0.04时,机电耦合系数kp和kt最大,分别为16%和19%,压电常数d33值为111pC/N。