AgOx顶电极对WOx阻变性能的改善

采用脉冲激光沉积技术在不同的氧气氛围下制备了Ag/WO_x/Pt、Ag/AgO_x/Pt和Ag/AgO_x/WO_x/Pt异质结。分别对异质结进行了电流-电压特性曲线测试。通过对测试结果进行分析,系统研究Ag顶电极氧化后对器件阻变性能的影响。     

Ti纳米颗粒对Ag/ZnO/Pt异质结电阻转变的影响

采用脉冲激光沉积技术制备了Ag/ZnO/Pt和Ag/ZnO-Ti/Pt阻变存储器。与Ag/ZnO/Pt相比,Ag/ZnO-Ti/Pt的阻变性能得到了显著的改善。对Ti纳米颗粒改善器件电致电阻转变特性的机理进行了定性的分析。     

两种衬底对La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜的性能影响研究

采用脉冲激光溅射法分别在Sr Ti O3(STO)和Si(001)衬底上制备出La0.7Sr0.3Mn O3(LSMO)薄膜。通过X射线衍射仪、原子力显微镜、能谱仪以及磁性测量系统研究了薄膜晶体结构、表面形貌、成分以及电阻-温度特性。结果表明:STO衬底上的LSMO薄膜比Si衬底上的LSMO薄膜电阻低,金属-绝缘转变温度高。     

Ba(Zr0.3Ti0.7)O3薄膜的结构及性能

用溶胶-凝胶法分别在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了锆钛酸钡[Ba(Zr0.3Ti0.7)O3,BZT]薄膜.相结构及介电性能研究表明:衬底和薄膜厚度对BZT薄膜性能具有显著影响.制备在LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的BZT薄膜具有(100)面的择优取向,其介电常数及介电损耗则随着薄膜厚度的增加而降低.对制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的BZT薄膜,在薄膜厚度低于500nm时,其介电常数随薄膜厚度增加而增加,大于500nm时又有所减小.     

Ca_(2.7)Sr_(0.3)Co_4O_9 和 Ca_(0.95)Sm_(0.05)MnO_3 热电材料的性能及器件(英文)

为了构造具有一定实用性能的氧化物热电器件,对 p 型 Ca3Co4O9和 n 型 CaMnO3过渡金属氧化物半导体进行研究,结果表明:Ca2.7Sr0.3Co4O9和 Ca0.95Sm0.05MnO3的热电性能良好。Ca2.7Sr0.3Co4O9陶瓷的微观形貌呈片层状及尖锐的(00?)相,说明具有高度织构,Ca0.95Sm0.05MnO3陶瓷为单一相正交晶系。分析了样品形成的化学反应过程。热电参数测试结果表明:Ca2.7Sr0.3Co4O9为 p 型半导体,空穴导电机制,Ca0.95Sm0.05MnO3为 n 型半导体,电子导电机制。两种材料的电阻均较低,在 870 K,Seebeck 系数分别为 170 μV/K 和–167 μV/K。在测量温度范围内,热导率变化很小,并计算出热电优值。利用此两种材料构造热电器件,并对其性能进行测试。     

Co~(3+)掺杂对La_(0.7)Sr_(0.3)Mn_(1-x)Co_xO_3的结构及光催化性能的影响

本文采用溶胶-凝胶法制备了钙钛矿型复合氧化物La0.7Sr0.3Mn1-xCoxO3。利用XRD,SEM对纳米颗粒的结构、形貌进行了表征。结果表明,合成的样品为钙钛矿型,呈立方颗粒状,粒径均匀,边长约为1μm。根据甲基橙的降解情况对其光催化活性进行了研究。结果表明,经过B位Co3+离子掺杂的La0.7Sr0.3Mn1-xCoxO3样品,光催化活性明显提高。     

Ti对(La2/3Ca1/3)(Mn1-yTiy)O3体系巨磁电阻效应和电特性的影响

通过测量（Ｌａ２／３Ｃａ１／３）（Ｍｎ１－ｈＴｉｙ）Ｏ３体系样品的率－温度关系以及一定温度下磁电阻率与磁场的关系,发现随ｙ的增加其磁电阻率峰和电阻率峰匀向低温位移,磁电阻率峰值增大,并伴生磁电阻率峰展宽效应。     

复合烧结助剂对Ca_(0.3)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.7)TiO_3微波介质陶瓷低温烧结与性能研究

研究了以Ca_(0.3)(Li_(0.5)Sm_(0.5))_(0.7)TiO_3(CLST-0.7)为基料,复合添加10 wt%CaO-B_2O_3-SiO_2(CBS)、4 wt%Li_2O-B_2O_3-SiO_2-CaO-Al_2O_3(LBSCA)和0～2 wt%CuO氧化物为烧结助剂的微波介质陶瓷的低温烧结行为及微波介电特性.结果表明:随着CuO添加量的增加,陶瓷体积密度、介电常数ε_r、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值,都呈先增加后降低,频率温度系数τ_f呈降低的趋势.添加10 wt%CBS、4.0 wt% LBSCA和1.0 wt%CuO的CLST-0.7微波介质陶瓷,在900 ℃烧结5 h具有较佳的微波介电性能:ε_r ＝ 67.31,Qf ＝ 2197 GHz,τ_f＝40.28 ppm/℃.     

生长温度对单晶衬底上生长Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3薄膜微结构和介电性能的影响(英文)

采用脉冲激光沉积方法,在制备有LaNiO3(LNO)底电极的LaAlO3(LAO)衬底上,分别在500,600℃和700℃的沉积温度下制备了锆钛酸钡Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(BZT)薄膜.通过X射线衍射表征薄膜的结构特性,原子力显微镜和扫描电子显微镜分别用来表征样品的表面和断面形貌.结果表明:BZT薄膜与LNO具有c轴取向,并以cube-on-cube方式排列生长.BZT薄膜表面致密无裂缝,具有柱状生长的晶粒.薄膜的介电性能测试显示:600℃下沉积的BZT薄膜具有较高的介电可调性(49.1%)和较低的介电损耗(2.5%).在600℃下沉积的BZT薄膜的优值因子(figure of merit,FOM)达到19.8.