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SiC薄膜制备工艺进展 总被引:6,自引:0,他引:6
本文综述了SiC薄膜的制备工艺及进展,介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各处SiC薄膜的制备方法,简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响,评述了各种制备工艺的优缺点。 相似文献
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低温生长硅基碳化硅薄膜研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在850℃的低温下,在Si(100)衬底上生长了3C-SiC薄膜,气源为SiH4和C2H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的3C-SiC结晶层,其中的Si/C比约为1.2。 相似文献
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本文综述了纳米硅薄膜制备新技术的进展。着重介绍了高氢稀释硅烷蚀刻法,微波氢基团增强化学气相沉积,逐层法和高频数值等离子体化学气相沉积技术制备纳米硅薄膜的沉积过程和生长机制.本文指出氢基团为各项新技术发展的关键并将在今后纳米硅薄膜制备技术发展中起重要作用。 相似文献
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简述了氮化硼的优异性能和广阔的应用前景,概述了氮化硼薄膜的制备方法,分析了薄膜制备过程中的影响因素,最后对氮化硼薄膜今后的研究方向提出展望. 相似文献
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特种化学气相沉积法制备大面积纳米硅薄膜的微结构和电学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜.高分辨率电子显微镜和选区电子衍射分析表明,成膜温度对薄膜微结构有关键影响,衬底温度的升高促进了薄膜晶态率的提高和Si晶粒的长大.660℃成膜时非晶Si薄膜基体中镶嵌了尺寸为8~12nm,晶态率为50%的纳米Si晶粒,具有明显的纳米Si薄膜微结构特征.用变温薄膜暗电导率测试系统研究表明,随成膜温度的升高,薄膜的晶态率提高、室温暗电导率提高而相应的电导激活能降低,用热激活隧道击穿机制解释了纳米Si薄膜微结构与特殊电学性能的关系.研究了原位后续热处理对薄膜微结构和电学性能的影响,发现延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法能有效提高纳米Si薄膜的晶态率,进而提高其室温暗电导率. 相似文献
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化学气相沉积法制备SiC纳米粉 总被引:11,自引:0,他引:11
本工作采用二甲基二氮硅烷和氢气为原料,在1100-1400℃温度条件下,通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米SiC粉体,实验结果指出,在1100-1300℃,制备得到的粉体颗粒由于锭型相和β-SiC微晶组成;而在1400℃则粉体颗粒主要由β-SiC微晶无序取向组成,随反应条件的改变,粉体平均粒径和β-SiC微晶的平均尺寸分别在40-70nm和1.8-7.3nm范围内变化,同时,产物粉体的C 相似文献
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硅基太阳能电池占据着光伏发电的最大份额, 但是在阳光下其工作温度过高会降低电池效率和功率输出, 因此降低硅基太阳能电池在阳光下的工作温度具有重要意义。本研究以氯化亚锡和三氯化锑为原料, 通过简单的溶胶-凝胶法制备锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜, 将其作为硅电池盖板, 研究了锑(Sb)掺杂量和薄膜厚度对薄膜红外阻隔性能和硅电池降温性能的影响。研究表明, ATO薄膜的红外遮蔽性能随薄膜厚度增加而提高, 但可见光透过率随之降低。用AM1.5太阳光持续照射30 min后, 使用旋涂1~4层ATO薄膜盖板的硅电池温度比使用普通玻璃盖板的电池最大降低2.7 ℃, 晶硅电池效率可以保持在10.79%以上。此外, 使用10mol%锑掺杂的3层ATO薄膜盖板的硅电池在连续光照30 min后, 温度比使用普通玻璃盖板最大降低1.5 ℃, 效率提高了0.43%。 相似文献
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本对气相沉积技术的发展与最新趋势给出了述评,重点强调了等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)的优势,进展及其在工模具领域的应用。 相似文献
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利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜。不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明 ,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加 ,相应的电导激活能降低。热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能。原位后续热处理研究表明 ,延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率。 相似文献
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纳米硅薄膜的低压化学气相沉积和电学性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜。不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明,薄膜的室温暗电导率随成膜温度的升高而增加,相应的电导激活能降低。热激活隧道击空机制可以较好地解释纳米硅薄膜特殊的电学性能。原位后续热处理研究表明,延长热处理时间以及采用低温成膜、高温后续退火的热处理方法均能有效提高其室温暗电导率。 相似文献
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氮氧化硅薄膜综合了SiO2膜和Si3N4膜的优点,具有优秀的光电性能,力学性能和稳定性能,已经在光电领域获得了广泛地应用,此外在材料改性方面也有广阔的应用前景。本文综合评述了几种氮氧化硅薄膜的制备方法,比较了各自的优缺点,并指出了今后制备方法的发展趋势。 相似文献