大功率激光器阵列

日本夏普公司已开发比以前大4～5倍大功率半导体激光器阵列,并确立实用化技术。所开发的激光器阵列采用和以前MOCVD不同的液相处延生长法,适合于批量生产。器件需要在GaAs衬底上淀积Al,Ga,As的六层薄膜,每层的厚度为0.05μm必须在稳定反应中进行晶体生长,以往用MOCVD法制造,很费时间。     

用MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体

1.引言1958年Rcuhrwein提出了用金属烷基化合物制成薄膜的技术称为MOCVD法(金属有机化学汽相沉积),或称MOVPE(有机金属汽相外延)。1968年英国Hansevit开始对化合物半导体单晶的生长进行了多次试验,证实这种方法是一种高精度的薄膜生长技术。1971年Manasevit和Simpson最先报导了采用MOCVD法生长Ⅱ-Ⅵ化合物晶体     

LED价格大幅度降低

<正> 东芝最近声称,他们通过改进 MOCVD 技术,把光通讯用的 LED 价格降低到现在的1/5。现在,半导体激光制备中已开始使用 MOCVD 法,而对光通讯用 LED 来说,由于形成薄膜的质量不好,得不到满意的输出功率,所以一般仍采用 LPE 技术。LPE 技术生产性不好,而且工艺复杂,因而价格比较贵。东芝公司为了降低价格,采取     

硫化镉薄膜的制备新技术

CdS 是用于制作太阳电池和光电探测器等的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料之一。CdS薄膜制备方法有蒸发,溅射,化学汽相淀积等。实验证明其特性与制备方法有关,本文重点介绍 MOCVD 和离化淀积法制备 CdS 薄膜及其特性分析。     

电子工艺

N99-06305 0003826电子情报通信学会技术研究报告:电子器件 ED98-246～256(信学技报,Vol.98,No.591)[汇,日]/日本电子情报通信学会.—1999.02.—76P.(L)本文集为强介质薄膜与存储器的应用专辑,收录的11篇论文主要涉及:Bi_4Ti_3O_(12)、SrBi_2Ta_2O_9等薄膜的制作与低温制作,MOCVD 法在薄膜工艺中的应用,MOCVD(Zr,Ti)O_3薄膜以及强介质薄膜的电气特性,200nmPLZT 溅射薄膜、MFMISFET 的强介质特性,ZnO:X 薄膜的制作与介质特性,宽禁带半导体 Si 衬底上的薄膜形成及其强介质特性,异质外延(100)In 以及(001)PZT 薄膜的膜质特性,MFIS 结构的电气特性,Y_2O_3/Si的 C-V 特性的分析等。     

波长可变的半导体激光器

据《学会志》报道，NEC公司采用MOCVD法选择生长技术，研制成简单连续改变振荡波长的半导体激光器。用选择MOCVD法把波导的组成和厚度变成缓缓的阶梯状，制成及个改变波长的控制电极初级连续波可变激光器，在1.55μm，3．8nm的范围内连续改变波长。若应用于波长多路光通信用的光源，不但可变波长数的容量扩大几倍，而且可简单实现可控波长的半导体激光器，可开发新的高性能光波网络系统等。该激光器是具有连续波长可变型控制波导（TSG）结构的分布反馈反射型（DBR）半导体激光器，与三个电极DBR激光器相同，具有激活，相位控制DBR…     

日本公司使MOCVD法面目一新

作为釆用III-V族化合物半导体晶片制作光电器件时费用上最上算的一种方法，即金属有机物化学汽相沉积（MOCVD)法，正在加入半导体生产技术的主要行列。MOCVD法除有控制性好及生产率高等优点外，还能比现在流行的液相外延法制作出更大的晶片。虽然分子束外延法控制性更好，但其设备费用较高，产量也较低。     

高性能ZnS：MnEL显示器制作新技术

为了制得高性能 ZnS:Mn EL 显示器,国外研究人员作了不少努力,下面介绍几种技术。1.用 MOCVD 技术生长高亮度 ZnS:Mn 层MOCVD 优点是能大面积淀积优质薄膜,淀积温度低,适合碱玻璃基片。还有,荧光层和介电膜可相继连续淀积,可省掉退火工艺,显示板生产率大为提高。日本用 MOCVD 技术     

简讯

日本的高亮度光科学研究中心声称，在兵库县播磨科学公园都市建设的世界最高性能大型放射光设施“Spring－8”，于1997年10月8日开始利用。Spting－8可设置61条束线，其中的9条于10月8日开始利用。（思源）群马工业高等专科学校渡边宽副教授与麻生福冈短期大学对马国即教授，利用脉冲激光堆积法，共同制诈具有强磁光效应的钛置换利铁石榴石薄膜获得成功。试制薄膜的磁光效应与不置换铰的薄膜相比．约增大70倍。（思源）A日本的理化学研究所制作可用作蓝光半导体激光光源的氨化称钢量子点获得成功。对作为衬底的氨化镇铝表面，使用硅的有机…     

薄膜砷化镓太阳能电池

最近,日本电气通信研究所研制出一种薄膜砷化镓(GaAs)太阳能电池,用来代替目前广泛使用的硅太阳能电池和砷化镓晶体基极太阳能电池,以解决硅太阳能电池光电转换效率低、耐宇宙环境条件特性差和砷化镓晶体基极太阳能电池重量重、成本价格高等缺陷。日本电气通信研究所综合硅材料比重轻、机械强度高以及砷化镓材料光电转换效率高、耐宇宙环境条件特性好的优点,采用金属有机化学气相淀积法(MOCVD),在硅晶体上生成一层砷化镓薄膜,形成薄膜砷化镓太阳能电池。模拟10年以上使用期的试验结果表明,该新     

使用溅射AlN成核层实现大规模生产深紫外LED

高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜.采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN外延层质量的影响.通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对成核层AlN薄膜的表面形貌进行表征;使用高分辨X射线衍射仪对AlN外延层晶体质量进行表征,结果表明:在溅射成核层上生长的AlN外延层的晶体质量有显著提高.使用大型工业MOCVD在蓝宝石衬底上成功制备出中心波长为282 nm的可商用深紫外LED,在注入电流为20 mA时,单颗深紫外LED芯片的光输出功率达到了1.65 mW,对应的外量子效率为1.87%,饱和光输出功率达到4.31 mW.     

用分子束外延技术生长蓝紫激光二极管

日本在欧洲的Sharp实验室(SharpLaboratoriesofEurope雪研制成功了世界上第1个用分子束外延(MBE)生长技术生长的蓝-紫激光二极管。采用氮化物半导体材料制作的这种器件可用于下一代Blu-ray标准数字视频光盘(DVD)存储和视频读放装置。在蓝宝石基质上生长的量子阱脊形波导激光器以脉冲模式在室温下工作,阈值电流密度大约为30kA/cm2。据参加此项研究工作的研究人员介绍,该激光器的性能可与用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法生长的第1个蓝-紫激光器相媲美。很长时间以来,人们采用MOCVD法生长蓝-紫InGaN激光器,而用MBE法生长低功率蓝-…     

消息拾零

<正> 日本国际电信电话公司研制成功1.55μm 光通信系统用的半导体接收器件 HAPD(异质结雪崩光电二极管)。东芝在世界上最先采用 MOCVD 技术作为光通信 LED 的生产方法,得到了优于液相生产法的 LED 性能,今年上半年开始出售样品。日本电气使长距离光通信用的激光器和监控激光器振荡状态的接收器件单片化获得成     

用硫属化合物玻璃作为电流控制层的高对比度、高稳定性的ZnS:Mn薄膜显示器

采用MOCVD技术生长了高亮度的znS∶Mn薄膜。采用电子束蒸发法沉积了硫属化合物玻璃(CG)层。由于这种玻璃的电学开关特性,可将DC激发下ZnS∶Mn薄膜的击穿降至最低限度。用这种器件可获得高对比度和稳定的60ft—L以上的亮度。     

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜.对薄膜进行了X射线衍射和光致发光谱(PL)测试,(0002)X射线摇摆曲线和PL谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善.实验结果表明改进的缓冲层法能提高MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量.     

可测定直到10层薄膜厚度的椭圆仪

日本红外线工业公司(NiiC)，研制出一种测定半导体薄膜厚度的仪器，即椭圆仪。     

基于工业控制计算机的MOCVD控制系统设计

金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术是当前研制和生产先进化合物半导体材料的最主要技术。本文结合GaN材料生长的MOCVD系统研制，给出了MOCVD计算机控制系统，该系统采用工业控制计算机实现了整个系统的控制和管理，取得了满意的研究结果。     

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结果表明改进的缓冲层法能提高 MOCVD生长的氮化镓外延膜晶体质量     

制造第二代薄膜固体激光器的研制途径

制造第二代薄膜固体激光器的研制途径日本东北大学金属材料研究所与创立基础研究小组共同研究，采用分子束外延法成功地生长优质掺Ｅｒ’”的ＣａＦ。和ＥｒＦ。单晶薄膜（照片１），在世界上首次观察到由振荡波长８０８ｕｒｎ的ＧａＡｓ半导体激光泵浦产生波长５３８ｕｒ...     

化学束外延及其在半导体材料与器件中的应用

本文介绍了薄膜晶体生长的最新技术--化学束外延(CBE),通过与分子束外延(MBE)和金属有机化学汽相沉积(MOCVD)技术的比较,说明了这一新技术的基本概念,生长动力学以及在半导体材料和激光器件方面的应用.