硅化物／变形Si_（1－x）Ge_x肖特基势垒红外检波器

硅化物／变形Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ肖特基势垒红外检波器＝Ｓｉｌｉｃｉｄｅ／ｓｔｒａｉｎｅｄＳｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘｓｃｈｏｔｔｋｙ－ｂａｒｒｉｅｒｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒｓ［刊，英］／Ｘｉａｏ，Ｘ，…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃ...     

双基极Si／Si_（1－x）Ge_x／Si异质结双极晶体管的电特性

双基极Ｓｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉ异质结双极晶体管的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｄｏｕｂｌｅ－ｂａｓｅＳｉ／Ｓｉ＿（１－ｘ）Ｇｅ＿ｘ／Ｓｉｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｂｉｐｏｌａｒｔｒａｎｓｉｓ－ｔｏｒｓ［刊...     

Si／Ge_xSi_（1－x）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤

Ｓｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤＝Ｈｉｇｈ－ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｄａｍａｇｅｅｆｆｅｃｔｓｉｎｔｈｅＳｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｙｓｔｅｍ［刊，英］／Ｃｈｅ－ｕｎｇ．Ｒ．…...     

高压氧化Ge_xSi_（1－x）／si过程中Ge分凝和陷阱之间的转换

高压氧化Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／ｓｉ过程中Ｇｅ分凝和陷阱之间的转换＝ＴｒａｎｓｉｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎＧｅｓｅｇｒｅｇａｔｉｏｎａｎｄｔｒａｐｐｉｎｇｄｕｒｉｎｇｈｉｇｈ－ｐｒｅｓｓｕｒｅｏｘｌｄａｔｉｏｎｏｆＧｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ［刊．英...     

Ge＿xSi＿（1－x）／Si应变层超晶格的LACBED研究

Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格的ＬＡＣＢＥＤ研究段晓峰（中国科学院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）／Ｓｉ应变层超晶格是一种新的能带工程材料。人们可以通过调整合金层的合金成分等结构参数，来调整应变层超晶格的能...     

Electron Mobility of Doped Strained Si_(1-x)Ge_x Alloys Grown on Si(100) Substrate

ＥｌｅｃｔｒｏｎＭｏｂｉｌｉｔｙｏｆＤｏｐｅｄＳｔｒａｉｎｅｄＳｉ１－ｘＧｅｘＡｌｏｙｓＧｒｏｗｎｏｎＳｉ（１００）Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ①②ＬＩＢａｏｊｕｎ，ＬＩＧｕｏｚｈｅｎｇ，ＬＩＵＥｎｋｅ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ...     

解析SiGe基极HBT模型及其对BiCMOS倒相器电路的影响

解析ＳｉＧｅ基极ＨＢＴ模型及其对ＢｉＣＭＯＳ倒相器电路的影响＝ＡｎＡｎａｌｙｔｌｃａｌＳｉＧｅ－ｂａｓｅＨＢＴｍｏｄｅｌａｎｄｉｔｓｅｆｆｅｃｔｓｏｎａＢｉＣＭＱＳｉｎｖｅｒｔｅｒｃｉｒｃｕｉｔ［刊．英］／Ｌｕ，Ｔ．Ｃ．…／ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅ...     

As~＋注入Si_（1－x）Ge_x的快速退火行为

用二次离子质谱对Ａｓ＋注入Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ的快速退火行为进行了研究．Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ样品中Ｇｅ组分分别为ｘ＝０．０９，０．２７和０．４３．Ａｓ＋注入剂量为２×１０（１６）ｃｍ（－２），注入能量为１００ｋｅＶ．快速退火温度分别为９５０℃和１０５０℃，时间均为１８秒．实验结果表明，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ中Ａｓ的扩散与Ｇｅ组分密切相关，Ｇｅ组分越大，Ａｓ扩散越快．对于Ｇｅ组分较大的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品，Ａｓ浓度分布呈现“盒形”（ｂｏｘ－ｓｈａｐｅｄ），表明扩散与Ａｓ浓度有关．Ｓｉ１－ｘＧｅｘ样品中Ａｓ的快     

Impedance Analysis of Grain Barrier Potential in SnO_2 Gas Sensors

ＩｍｐｅｄａｎｃｅＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＧｒａｉｎＢａｒｉｅｒＰｏｔｅｎｔｉａｌｉｎＳｎＯ２ＧａｓＳｅｎｓｏｒｓ①ＣＨＥＮＺｈｏｎｇ②，Ｓ．Ｂｉｒｌａｓｅｋａｒａｎ（ＳｃｈｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ...     

1994年亚太微波国际会议

１９９４年亚太微波国际会议１９９４Ａｓｉａ－ＰａｃｉｆｉｃＭｉｃｒｏｗａｖｅＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ￥（ＳｕｎＺａｉｊｉＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，２１００１６）ＡＰＭＣ是三个国际性微波会议之一，它的第一届会议比Ｉ...     

用选择氧化物沉淀的7次掩模CMOS工艺

用选择氧化物沉淀的７次掩模ＣＭＯＳ工艺＝Ａ７－ｍａｓｋＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈｓｅｌｅｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｈｏｒｉｕｅｈｉ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，１９９３．４０（８），－１４５５～～...     

在Si衬底上生长高跨导p型Ge沟MODFET

在Ｓｉ衬底上生长高跨导ｐ型Ｇｅ沟ＭＯＤＦＥＴ＝ｐ－ＴｙｐｅＧｅ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＤＦＥＴ’ｓｗｉｔｈｈｉｇｈｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｇｒｏｗｎｏｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［刊，英］／Ｋｏｎｉｇ，Ｕ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ...     

NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

用低压化学汽相淀积制备TiO_2薄膜

用低压化学汽相淀积制备ＴｉＯ＿２薄膜＝ＴｈｉｎＴｉＯ＿２ｆｉｌｍｓｐｒｅｐａｒｅｄｂｙｌｏｗｐｒｅｓｓｕｒｅｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｒａｕｓｃｈ，Ｎ．…Ｊ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３，１４０（１）．...     

Electroluminescent Excitation Mechanism of Erbium－activated Zinc Sulfide Semiconductor Thin Film Devices

ＥｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔＥｘｃｉｔａｔｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｓｍｏｆＥｒｂｉｕｍ－ａｃｔｉｖａｔｅｄＺｉｎｃＳｕｌｆｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＴｈｉｎＦｉｌｍＤｅｖｉｃｅｓ￥ＬＩＵＺｈａｏｈｏｎｇ；ＷＡＮＧＹｕｊｉａｎｇ；ＣＨＥＮＺｈ...     

北京图书馆新书

北京图书馆新书１．电子设备波形分析Ｃｒａｉｇ，ＢｄｗｉｎＣ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓｖｉａｗａｖｅｆｏｒｍａｎａｌｙｓｉｓ，－ＮｅｗＹｏｒｋ：Ｓｐｒｉｎｇｅｒ－Ｖｅｒｌａｇ，１９９３．４２０Ｐ，北图书号：２－９４／ＴＮ１４１·１／Ｃ８８２．模拟电路设计...     

光刻胶图形塌陷机理

光刻胶图形塌陷机理＝Ｍｅｃｈａｎｉｓｍｏｆｒｅｓｉｓｔｐａｔｔｅｒｎｃｏｌｌａｐｓｅ［刊，英］／Ｔａｎａｋａ，Ｔ，…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ，Ｓｏｃ，－１９９３，１４０（７）．－１１５～１１６采用原子力显微镜对清洗液中的图形进行测量来研究光刻胶...     

热氮化对SiO_2／Si界面辐照加固强度的影响

热氮化对ＳｉＯ＿２／Ｓｉ界面辐照加固强度的影响＝Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎｏｎｔｈｅｒａｄｉａ－ｔｉｏｎｈａｒｄｎｅｓｓｏｆｔｈｅＳｉＯ＿２／Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅ［刊．英］／ｄｅ－ｃａｓｔｒｏ，Ａ．Ｊ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．...     

p型和n型硅中SF_6等离子刻蚀引起的电子缺陷

ｐ型和ｎ型硅中ＳＦ＿６等离子刻蚀引起的电子缺陷＝Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｆｅｃｔｓｉｎｄｕｃｅｄｉｎｐ－ａｎｄｎ－ｔｙｐｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙＳＦ＿６ｐｌａｓｍａｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｂｅｌｋａ－ｃｅｍ，Ａ．…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．...     

Gas Source Molecular Beam Epitaxy of High-Quality Strained Si_(1-x)Ge_x/Si Superlatice Materilas

ＧａｓＳｏｕｒｃｅＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙｏｆＨｉｇｈＱｕａｌｉｔｙＳｔｒａｉｎｅｄＳｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅＭａｔｅｒｉｌａｓＬ．Ｆ．ＺｏｕＺ．Ｇ．ＷａｎｇＤ．Ｚ．ＳｕｎＸ．Ｆ．ＬｉｕＪ．Ｗ．ＺｈａｎｇＪ．Ｐ．Ｌ...