钛酸钡半导体陶瓷的低温介电特性

在80—320K温度范围内,研究了两种组份BaTiO_3半导体陶瓷的介电特性,发现其介电常数温度曲线不再明显有反映不同铁电相变的两个介电峰,但介电常数实部和虚部的极大值位置分别与mm2—3m和4mm—mm2铁电相变的温度有关。这可能是由于其铁电相变高度弥散、mm2—3m铁电相变温度与Sr~(2-)的取代量基本无关以及4mm相出现PTCR效应的结果。     

TiCN对钛酸钡基PTC热敏陶瓷性能的影响

采用固相反应法制备了TiCN掺杂的(Ba0.85Sr0.11Pb0.04)TiO3 PTC热敏陶瓷。研究了TiCN加入量对其显微结构和PTC性能的影响。结果表明:添加x(TiCN)为0.006时,可使晶粒结构均匀,PTC性能得到改善。所获样品的体积电阻率ρv为31.2Ω.cm,电阻温度系数αR为21%℃–1,升阻比lg(Rmax/Rmin)为5.7,居里温度tC为97℃,耐电压强度Vb为280 V.mm–1。     

陶瓷金属化方法和金属化机理

随着电子管、半导体的发展,在高频特性、热的机械的特性以及气体放出特性等方面都很优越的陶瓷作为它们的保护器、微波输出窗或是集成电路用衬底、管壳等而被采用,因此陶瓷和金属的许多封接方法均被研制出来了。但是陶瓷和金属的封接仍是非常困难的,因为它要受封接时各种条件的影响,例如气氛、温度、各种材料的表面状况。     

陶瓷金属化的方法和金属化机理

1.序言随着电子管、半导体的发展,具有优良的高频、热机械特性以及除气性能的陶瓷被用作为电子管和半导体外壳、微波输出窗或集成电路基板、密封引出线等,同时还研制了许多陶瓷和金属的封接方法。另外,联系到金属陶瓷等复合材料的发展,与氧化物和金属之界面反应有关的研究工作也在活跃开展。然而陶瓷与金属的封接非常困难,而且受封接时的各种条件如气围、温度、各种材料的表面状态等的影响很大。     

PTC陶瓷用钛酸钡粉体材料的质量要求：《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范〉…

根据我国最近制定的《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》规定的钛酸钡粉体材料预定用途和理化性能指标，评述了各种质量等级的钛酸钡粉体材料在ＰＴＣ陶瓷方面的应用范围，解释了某些理化性能指标的ＰＴＣ陶瓷配方设计和工艺中的实用意义。     

PTC陶瓷用钛酸钡粉体材料的质量要求──《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》评述

根据我国最近制定的《电子陶瓷用钛酸钡粉体材料规范》规定的钛酸钡粉体材料预定用途和理化性能指标，评述了各类质量等级的钛酸钡粉体材料在ＰＴＣ陶瓷方面的应用范围，解释了某些理化性能指标在ＰＴＣ陶瓷配方设计和工艺中的实用意义。     

陶瓷的钨金属化

实验测定了钨金属化陶瓷的封接特性。纯钨粉成功地用于金属化94％氧化铝瓷。获得的平均封接强度为12000磅/吋~2。对金属化层进行了分析,发现钨没有扩散到陶瓷中去。陶瓷-金属封接最常采用烧结金属粉末法。此工艺所用的金属化配方之主要成份是钼和一些为增加封接强度而用的种种附加物,这些附加物我们都熟悉,常用金属氧化物来代替其纯金属。除某些临界条件应用外,如果涂层厚度和密度能保持各片都均匀,则用这些金属化混合物会得到良好的效果。而在某些条件下,钼-锰或钼-钛金属化的性能反而不利。虽然所用的钼本身并不向陶瓷扩散,但共它成分如锰,     

PTC陶瓷恒温器

给出了ＨＺ９１型恒温器的设计和制作方法。该恒温器的主要性能是，稳定工作温度为８０±５℃，交流或直流工作电压为２４±４Ｖ，常温下功率消耗为０．９Ｗ左右，调整系数不小于１０（环境温度－５５℃～＋６０℃）。此外，还给出了恒温器用ＰＴＣ热敏电阻的制备工艺．     

显微结构与陶瓷金属化

综述了陶瓷的显微结构对陶瓷金属化的影响,从金属化机理出发,叙述了对Al2O3陶瓷的特殊要求.以经验数据为基础,提出了陶瓷的典型显微结构和陶瓷金属化的工艺参数.     

陶瓷纳米金属化技术

在陶瓷金属化层中加入α Al2O3等超微复合粉体,取得了金属化层致密、封接强度提高和金属化温度降低的明显效果。     

氮化铝陶瓷的金属化技术

AlN陶瓷具有优良的综合性能,在微电子和微波真空管等电子工业领域中,将有广泛的应用。着重介绍了近期国内外有关AlN陶瓷金属化的配方和工艺及其气密封接方法。     

半导体金属化处理技术的进步

在半导体器件制造中,需将金属薄膜沉积到晶片上去,采用得比较早的方法是“蒸发”。蒸发是一种物理性气相淀积法。固体的金属靶由一块热板(“闪蒸”法)或一束从热丝气化的电子(“电子束”法)激发,产生的金属蒸气便淀积到固定在真空室行星传动夹具的晶片上。     

掺Sb、Mn钛酸钡系陶瓷的组成显微结构和PTC性能间的关系

本文阐述了关于掺Sb、Mn钛酸钡系陶瓷的组成、显微结构和PTC性能间的关系的实验和研究结果。阐明了当Sb、Mn的掺入量变动时,该系材料存在三个组成区(即I_1,S,I_2);其外观颜色、电性能及显微结构间存在确定的规律性关系;在ρ_(RT)最小、ρ_(max)/ρ_(min)最大的材料中,Mn和Sb的掺入量之间存在经验公式为[Sb]=A+B[Mn]的线性关系;S区内存在PTC性能较好的B组成区,以B区配方配制的材料,其ρ_(max)/ρ_(min)大于10~6,α_(min)大于60％/℃,可达100％/℃。     

高温PTC陶瓷研究进展

概述了高温ＰＴＣ陶瓷近几年来的研究进展，着重介绍了（Ｂａ、Ｐｂ）ＴｉＯ３高温ＰＴＣ陶瓷体系中Ｐｂ对居里点移动的影响，以及掺杂种类和陶瓷制备工艺等方面的研究进展，简要论述了ＰＴＣＲ的唯象分析理论，展望了高温ＰＴＣ陶瓷的研究前景。     

钛酸钡系陶瓷研究近况

本文报道了钛酸钡系陶瓷近几年来在粉料制备和特征、单晶、薄膜和陶瓷应用方面的进展。着重论述了微乳胶体炭化法和介质调整沉淀结合热液转化法制粉，纳米材料表征，晶体取向和晶界对性能的作用，溶胶－凝胶和热液工艺制备薄膜，施主掺杂的PTCR陶瓷和缺陷孪晶。     

钛酸钡陶瓷补偿缺陷分析

:研究了施主杂质 Nb的含量 ,x (Nb)在 1.0 %～ 7.0 %范围变化时对 Ba Ti O3半导陶瓷的晶粒尺寸、铁电相变和电特性的影响 ,x (Nb)在 4.0 %左右时观察到了掺杂效应的转变。阻抗行为揭示出高、低施主含量样品在晶粒边界和晶粒体内载流子导电的激发能不同 ,可由随施主含量增加 ,从纯钡空位到晶界处钡空位和晶粒内部钛空位相结合的补偿缺陷模式的转变来解释。     

影响半导体钛酸钡PTCR效应的因素

<正> 一、引言 大家知道,在作为强电介质的钛酸钡中添加了微量的稀土元素或者三氧化二锑、三氧化二钇、五氧化二铌等而半导体化了的钛酸钡陶瓷,在其居里点(约120℃)以上,显示出异常的正电阻温度系数(PTCR)。这种PTCR材料因具有的特殊的电阻一温度系数、电流一电压、电流一时间等特性,所以被用来制作定温度发热体、温度检测、延迟元件等。半导体化钛酸钡现巳成为一种重要的电子陶瓷材料。     

碳酸锰和纳米钛酸钡的添加对钛酸钡陶瓷的影响

以钛酸丁酯和乙酸钡为起始原料,采用液相法制备了纳米钛酸钡。研究了纳米钛酸钡和碳酸锰的掺杂对普通亚微米级钛酸钡的形貌及介电性能的影响。结果表明,在普通钛酸钡中加入一定量的纳米钛酸钡可以促进晶粒的生长,同时提高陶瓷的介电常数。而在普通钛酸钡中加入一定量的碳酸锰则可以抑制晶粒的生长。但同时添加碳酸锰和纳米钛酸钡,碳酸锰对晶粒生长的抑制作用将居于主导地位,并且此时钛酸钡陶瓷的介电常数温度特性曲线与单独添加锰离子时的走势基本相同,室温附近的介电常数峰将由于钛酸钡陶瓷的细晶效应而弥散。     

陶瓷金属化批量生产实用工艺技术

本文叙述了陶瓷金属化批量生产实用工艺技术。重点介绍了涂膏工艺、绕结工艺及镀镍工艺。经过实践验证,工艺的适应范围较广,在科研和生产中具有实用性。     

AlN陶瓷活性法金属化

对AlN陶瓷活性金属化Ag-Cu-Ti钎料配方及工艺进行了研究,发现该钎料浸润AlN陶瓷是活性组元Ti与AlN发生化学反应的结果.要获得良好的金属化质量,钎料中Ti含量应高于2.0%(质量比),金属化层与AlN反应界面厚度应控制在10～15 μm范围内.