新型Sb掺杂SnO_2基NTC热敏材料的研制

为了提高SnO2基NTC热敏材料的电学性能稳定性,采用共沉淀法合成了Sb掺杂SnO2材料,[Sn1-xSbxO2+δ(x=0.02,0.04,0.05和0.07)]。利用XRD对其进行了相分析,利用电阻–温度特性测试仪研究其电阻温度特性。结果表明:500℃煅烧后获得了具有高纯四方相、晶粒尺寸小于10nm的Sb掺杂SnO2材料;x(Sb)为2%、4%、5%和7%的热敏电阻的材料常数B分别为6616,6207,5730和2197K。     

BaSnO_3/BaBiO_3复相陶瓷的显微结构及电性能

以BaCO3、SnO2和Bi2O3为原料,采用传统固相反应法制备了具有NTC特性的BaSnO3/BaBiO3复相陶瓷。借助XRD、SEM和R-t特性测试仪,研究了该陶瓷的相结构、断面形貌及n(BaBiO3)对其电性能的影响。结果表明:随着r(BaBiO3∶BaSnO3)从0.1∶1.0增大到0.9∶1.0,样品的B25/85值从4400K降低到3000K,同时室温电阻率ρ25从106Ω·cm降低到103Ω·cm。     

A12O3掺杂对MnCONi系NTC热敏电阻材料性能的影响

采用传统固相法制备了Co1.5-xMn1.2Ni0.3AlxO4(x=0,0.02,0.04,0.06)NTC热敏电阻材料。借助XRD、SEM和几种电性能测试手段,研究了Al2O3掺杂对MnCoNi热敏电阻材料相结构及电性能的影响。结果表明：随着Al2O3掺杂量的增加,MnCoNi热敏电阻材料的晶体结构不变,晶粒减小,...     

Mn掺杂对BaSnO3陶瓷的NTC特性的影响

以BaCO3和SnO2为主要原料,以Mn为受主掺杂,再掺入其它微量的烧结助剂和施受主杂质,用固相法制备出具有NTC特性的BaSnO3陶瓷。在30~190℃的测试温区内,x(Mn)为1.0%~1.8%的掺杂BaSnO3陶瓷材料,其电阻–温度特性呈现良好的线性关系;B值和电阻随着Mn掺杂量的增加而变大,B值的变化范围为5200~6100K;30℃时样品的电阻率变化范围为1.16×106~1.11×107·cm。     

掺杂纳米SnO2气敏传感器的研究进展

介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO2气敏传感器的特性与应用;详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO2气敏性的影响,通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数;利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理;展望了SnO2气敏传感器的发展前景.     

掺Sm2O3的SnO2纳米粉体对C2H2气敏特性的研究

用化学沉淀法制备了SnO2纳米材料,利用XRD和SEM对合成产物进行了表征.采用旁热式结构制成了以SnO2为基体材料,掺杂Sm2O3的气体传感器.通过元件对C2H2气敏特性的测试表明:Sm2O3的掺杂可以明显地提高SnO2气敏材料对C2H2气体的灵敏度,当工作温度为180℃,C2H2浓度为1000ppm时,元件的灵敏度为64,响应恢复时间分别为3和20s.讨论了不同相对湿度对元件气敏特性的影响.     

掺杂纳米SnO2气敏传感器的研究进展

介绍了半导体气敏传感器的发展历史和掺杂纳米SnO2气敏传感器的特性与应用；详细分析了掺杂金属单质、金属氧化物和稀土元素对SnO2气敏性的影响，通过掺杂可以显著改善其对特定气体的灵敏度、稳定性和选择性等参数；利用元件表面的氧吸附理论分析掺杂纳米SnO2的气敏机理；展望了SnO2气敏传感器的发展前景。     

掺Sm2O3的SnO2纳米粉体对C2H2气敏特性的研究

用化学沉淀法制备了SnO2纳米材料,利用XRD和SEM对合成产物进行了表征.采用旁热式结构制成了以SnO2为基体材料,掺杂Sm2O3的气体传感器.通过元件对C2H2气敏特性的测试表明:Sm2O3的掺杂可以明显地提高SnO2气敏材料对C2H2气体的灵敏度,当工作温度为180℃,C2H2浓度为1000ppm时,元件的灵敏度为64,响应恢复时间分别为3和20s.讨论了不同相对湿度对元件气敏特性的影响.     

SnO2-LiZnVO4系湿敏材料湿敏特性及介电特性

采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4对其湿敏性能的影响,测试了材料的电抗特性、电容量特性和响应–恢复特性。结果表明,采用尿素共沉淀法制备SnO2纳米粉体,液相掺杂x(LiZnVO4)为10%时,可使材料具有较好的湿敏性能和响应–恢复特性,响应时间和恢复时间都为55s左右。测试频率对材料的电抗和电容量影响很大。     

ZnO薄膜的丙酮气敏特性研究

用直流磁控反应溅射法,分别在Si(111)基片及Al2O3陶瓷基片上制备了ZnO薄膜,并进行TiO2、SnO2、Al2O3或CuO的掺杂和退火处理。用XRD分析了退火前后晶型的变化,利用气敏测试系统对各样品进行了气敏特性测试。结果表明:经过700℃退火后的样品,在最佳工作温度为220℃时,对丙酮有很好的选择性和很高的灵敏度(34.794)。掺杂TiO2或SnO2,可提高ZnO薄膜传感器对丙酮的灵敏度(57.963)。     

CuO-ZnO敏感材料气敏机理的研究

以四种CuO含量不同的CuO-ZnO敏感材料对不同浓度的H2S和CH3CH2OH的反应为例,测试了CuO-ZnO敏感材料的阻–温特性及灵敏度与CuO含量的关系,分析了该材料的敏感机理。它的阻–温特性及灵敏度与氧吸附及隧道效应有关。     

添加剂对SnO_2系湿敏陶瓷影响的研究进展

SnO2是一种优良的气湿敏陶瓷材料,应用十分广泛,是一类十分有前途的湿敏材料。综述了添加剂对SnO2系湿敏陶瓷的微结构和电性能的影响之研究现状。结果表明:添加适量的LiZnVO4和碱金属,可使材料获得规则的棒状晶粒微结构,低湿电阻较小,灵敏度适中等良好的湿敏性能。并阐明了SnO2系湿敏陶瓷未来的研究方向可以结合TiO2,制备TiO2,SnO2,LiZnVO4和碱金属复合材料。     

无团聚纳米级SnO_2粉末及其气敏元件的制备

用液相沉淀法在结晶五水四氯化锡的水溶液中滴加浓氨水，通过在沉淀时加入高分子有机分散剂，剧烈搅拌，控制反应结束时ｐＨ值，用无水乙醇洗涤、冷冻干燥及选取适当的煅烧温度等一系列工艺手段来制取ＳｎＯ２粉末。将得到的粉末用ＴＥＭ、ＢＥＴ及ＸＲＤ半峰宽法测定其粒径大小，证明粉末最小平均粒径可至３．７９ｎｍ且无团聚存在，ＸＲＤ分析表明所得的ＳｎＯ２为四方相。将此粉末制成气敏元件，经测试表明气敏性能有很大提高。     

SnO2与ZnO压敏电阻特性比较分析

采用电子扫描显微镜对SnO2压敏电阻和ZnO压敏电阻内部结构进行了综合比较,并结合离子迁移理论,利用冲击发生器和热稳定仪器进行了大量实验,结果表明:SnO2压敏电阻较ZnO压敏电阻内部相态更简单、结构更均匀,在冲击老化和工频老化中表现更好;在大电流冲击时,SnO2压敏电阻的残压远远高于ZnO压敏电阻,这一缺陷限制了其在...     

SnO_2-ZnO的乙醇气敏特性研究

为了解决乙醇传感器灵敏度不够高和选择性较差的问题,使用稀土金属氧化物代替贵金属及其化合物作为催化剂和添加剂制成了以SnO2-ZnO为主体的气敏材料,并对其气敏性能进行了研究。结果表明,此方法可有效提高SnO2-ZnO气敏材料对乙醇气体的灵敏度及选择性;利用制成的SnO2-ZnO气敏材料,可以生产出高灵敏度、高选择性的乙醇传感器。     

SAPS法沉积Ni-Mn-Mg-Al-O系负温度系数热敏厚膜及其性能研究

首次采用超音速等离子喷涂(SAPS)方法在氧化铝基板上沉积了Ni0.6Mg0.3Mn1.3Al0.8O4厚膜,利用扫描电子显微镜、X射线衍射和电阻–温度特性测试仪研究了热处理温度对沉积厚膜性能的影响规律。结果表明:随热处理温度的升高,沉积厚膜的平均晶粒尺寸增大,尖晶石相增多;当热处理温度低于500℃时,所制厚膜的电阻–温度曲线在室温到80℃的温度范围内呈现V型特征,而在800℃和1 200℃处理后,厚膜的电阻在室温至200℃的温度区间内呈现良好的负温度特性。     

用正交法优化BST/MTO铁电移相器材料性能

利用正交试验方法研究了Bi2O3、MnCO3、SnO2等添加剂对钛酸锶钡/钛酸镁(BST/MTO)复合铁电移相器材料介电常数r、介质损耗tg以及调谐性T等性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。实验结果表明选择合适种类与数量的添加剂能有效提高铁电移相器材料的性能。通过正交试验获得综合性能优异的移相器材料性能:r=315,tg=0.002 8,T=14.27%。     

纳米SnO_2粉体的制备与掺杂研究

利用液相沉淀法制备了一系列掺杂型SnO2纳米粉体,晶粒度小于20 nm。研究了Ni2+、Co2+、Cu2+掺杂对SnO2粉体物相结构、晶化行为及晶粒度的影响。分析认为,各SnO2粉体样品都属于金红石结构,掺杂离子以类质同象方式进入SnO2晶格,对SnO2晶胞参数、结晶度、晶粒度等方面产生影响,其中Ni2+和Cu2+的掺入影响较大,可对SnO2晶粒生长有明显的抑制作用,大大降低其晶粒度。