PAR薄膜阻抗转变规律的研究

采用真空蒸发的方法制备了PAR薄膜，研究了不同外电路参数下薄膜的电双稳特性。发现薄膜在从高阻向低阻转变时会经历一个短暂的具有非线性阻抗的中间态，并且在整个转变过程中存在一种能量效应，即当外加电压超过某一值时，完成转变所需的能量不变。     

制备工艺对PAR电双稳薄膜电特性的影响

采用真空蒸发的方法将有机电双稳材料PAR制成Al/PAR/Al夹层结构.详细研究了薄膜厚度、电极面积、退火处理和自然放置等因素对薄膜电性能的影响.结果表明,采用适当的工艺,能够获得性质均匀、电特性良好的电双稳薄膜(转变电压的分散性小于10%,延迟时间基本小于5μs,转变时间在20ns左右).Al/PAR/Al结构可以简单等效为电阻与电容的并联,而退火与自然放置将使薄膜结构趋于稳定.     

电双稳薄膜阻抗转变机理研究

采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag-TCNQ金属—有机络合物薄膜，并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应，即当外电压超过某一阈值后，完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排，致使电导率发生跃变。     

PAR薄膜中由STM诱导的库仑岛研究

单有机材料PAR的薄膜在三明治结构中，在电场作用下有电双稳性质。利用这一性质，在STM针尖强电场作用下，PAR可形成纳米尺寸的导电的库仑岛，从而通过电流-电压特性的测量，在室温下观察到了库仑阻塞现象。估算了库仑岛的尺寸和所形成的双势垒隧道结构的参数，理论计算与实验结果相一致，本研究结果提供了一种新的室温单电子晶体管的设计思路。     

一种具有电双稳特性的聚合物薄膜

发现了在室温下具有电双稳特性的聚合物材料聚对萘二甲酸乙二酯(PEN)。通过真空蒸发方法制备的PEN薄膜,其表面晶粒尺寸小于100nm,粗糙度也为纳米量级,而且具有较高的热稳定性。在3．5V电压作用下,PEN薄膜可从高阻状态跃变到低阻状态,跃迁时间小于20ns。该材料有可能用于大容量存储器的制作。     

一种制备金属有机电双稳薄膜的新方法

提出了一种真空蒸发和电化学反应相结合的技术来制备金属有机络合物电双稳薄膜的新方法。利用该方法制备的Ag—TCNQ薄膜具有均匀的电双稳特性,其跃迁闽值电压4．5V,跃迁时间小于20ns。同时该方法还兼顾了真空反应蒸发方法表面平整度高和化学溶液法化学配比严格的优点。因而该方法在微电子器件、分子电子器件和海量存贮器的制备中有着广泛的应用前景。     

电双稳薄膜阻抗转变机理研究

采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag TCNQ金属 有机络合物薄膜 ,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应 ,即当外电压超过某一阈值后 ,完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排 ,致使电导率发生跃变     

纳米晶粒Ag-TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性

以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜,在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为40nm左右,粗糙度也为纳米量级。同时在大气及室温条件下,在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态,作用点的直径约为70nm。     

非晶态铁电薄膜的铁电相转变

用ＡｒＦ脉冲激光在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上合成了非晶态ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９铁电薄膜,研究了铁电相转变。采用常规热退火、激光诱导和低温高压水热法使非晶态ＳＢＴ薄膜发生铁电相转变。     

常压MOCVD制备MgO薄膜的研究

本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积（ＡＰ－ＭＯＣＶＤ）在Ｓｉ（１００），ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上外延高质量的ＭｇＯ薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和ＭｇＯ薄膜的潮解特性。高纯ｍａｇｎｅｓｉｕｍａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ［ｂｉｓ（２，４－ｐｅｎｔａｎｅｔａｎｅ－ｄｉｏｎｏ）ｍａｇｎｅｓｉｕｍ］［Ｍｇ（ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２］作为金属有机源，扫描电镜（ＳＥＭ），透射电镜（ＴＥＭ）和Ｘ－ＲＡＹ衍射实验显示，在较低的衬底温度（～４８０℃）下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀，致密，结晶性和取向性很好，衬底温度（Ｔｓ）在４００℃到６８０℃之间，在Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜都具有［１００］取向，在Ｓｉ（１００）、ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）和Ｐｔ／Ｓｉ（１００）衬底上生长的ＭｇＯ薄膜也都具有［１００］取向。     

薄膜润滑研究的回顾与展望

薄膜润滑是20世纪90年代以来广泛研究的新型润滑状态。它是界于弹流润滑和边界润滑之间的一种过渡润滑状态，有着自己独特的润滑规律。文章回顾了薄膜润滑的研究历史，包括薄膜润滑概念的提出、测试技术的发展、薄膜润滑的膜厚特性、润滑机理探索以及计算理论等方面的研究成果与主要进展。     

非晶LiSiON薄膜电解质的全固态薄膜锂电池性能

全固态薄膜锂电池(TFLB)是理想的微电子系统电源.目前报道的固态非晶电解质存在离子电导率偏低的问题,限制了TFLB性能的提升.本工作采用磁控溅射法制备了一种新型非晶锂硅氧氮(LiSiON)薄膜用作TFLB的固态电解质.结果表明,优化制备条件后的LiSiON薄膜具有6.3×10–6 S·cm–1的高离子电导率以及超过5...     

薄膜型电致发蓝光材料的研究

通过对无机、有机薄膜型电致发蓝光材料的综述,表明在大面积平板显示方面,有机高分子薄膜型电致发蓝光材料具有独特的技术优势;纳米级电致发蓝光材料有着巨大的发展潜力.     

薄膜太阳能电池

薄膜太阳能电池作为一种新的能源材料正在得到迅速的发展和进步,主要介绍了非晶硅、多晶硅薄膜太阳能电池以及CIGS薄膜太阳能电池,通过比较这几种薄膜太阳能电池各自的特点阐述了各种薄膜太阳能电池的发展状况.     

晶粒尺寸对氧化钒薄膜电学与光学相变特性的影响

采用直流对靶磁控溅射方法制备氧化钒薄膜,通过改变热处理温度获得了具有不同晶粒尺寸的相变特性氧化钒薄膜,对氧化钒薄膜相变过程中电阻和红外光透射率随温度的突变性能进行研究.结果表明:经300℃和360℃热处理后,薄膜内二氧化钒原子分数达到40%,氧化钒薄膜具有绝缘体-金属相变特性,薄膜的晶粒尺寸分别为50nm和100nm;...     

弹性薄层反辐射隔热涂料的研究

对纳米氧化钇、纳米氧化锡、远红外陶瓷粉、改性空心玻璃微珠、金红石型氧化钛、云母为填料制备的涂层及硅丙、纯丙等乳液涂层进行了紫外-可见-近红外反射率测试,选取了近红外反射率较高的改性空心玻璃微珠、金红石型氧化钛,可见光反射率较高的远红外陶瓷粉为填料,与纯丙、硅丙等弹性乳液共混,制备了环保型弹性反辐射隔热涂料,并对其隔热效果、基本性能进行了研究.结果表明,该涂料具有良好的隔热效果和施工、使用性能,应用前景十分广阔.     

ZnO薄膜及其性能研究进展

ＺｎＯ薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料,在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换器、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途．ＺｎＯ 薄膜的制备方法多样,各具优缺点;而薄膜性质的差异则取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关．本文综述了ＺｎＯ薄膜的制备及性质特征,并对其发展趋势及前景进行了探讨．     

利用射频磁控溅射制作高性能铁磁性薄膜的研究

讨论了用射频（ＲＦ）磁控溅射制作铁磁性薄膜工艺，合适的工艺参数能够获得较低的矫顽力Ｈｃ＝６Ｏｅ。用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）研究膜表面情况及氧化深度。     

聚合物复合材料薄膜极化及性能的研究

制取了ＰｂＴｉＯ３纳米微晶与高透明度的聚合物ＰＥＫ－Ｃ组成的复合材料薄膜,从介电性和有效场理论出发,对极化条件的优化进行了研究,通过测量极化后的复合材料的Ｘ－ｒａｙ衍射,得知ＰｂＴｉＯ３微晶的ｃ轴取向度达到６８％,测量了３８０ｎｍ－９００ｎｍ的透过光谱,估算了极化前后光学带隙能量。