SnO_2薄膜气敏元件

<正> 我们利用自制的S枪溅射系统,在微晶玻璃衬底上运用磁控反应溅射技术制备掺Pd的SnO_2薄膜。S枪是一种高速低温的磁控溅射源,又称锥形环状磁控溅射源。它具有体积小、靶形小、换靶易、靶材料利用率高、功率密度大、溅射速率高等特点。而且金属、高熔点材料、合金、陶瓷等均可作为镀膜材料。在反应气氛     

常温振荡式CO气敏元件的研制

采用掺有Ｐｄ的活性ＳｎＯ２—Ｉｎ２Ｏ３敏感材料，再掺入ＭｇＯ等金属氧化物，制成复合基本材料，采用直热式气敏元件制造工艺，经表面修饰改性，研制成功常温振荡式ＣＯ气敏元件，给出了常温下的气敏特性，并探讨其振荡机理。     

常温CeO2气敏元件的气敏性

研制成功了一种新型以 SnO_2为基质材料的常温 CeO_2气敏元件(简称 CeO_2元件).CeO_2元件无需要加热器也无需贵金属,该元件结构和制备工艺简单。CeO_2元件对烟和某些可燃性气体灵敏度高、稳定、响应快、恢复快。本文对已获结果进行了简单地讨论。     

常温半导体气敏元件的研究

常温元件与加热元件比,它突出特点是不需要加热,由此带来一系列优点,如工艺简单、成本低、耗电少、灵敏、稳定、安装使用方便、减少了引起火灾的不安全因素等优点。它投资少、效益高。我们开展了常温元件的研究,并且在煤气检漏、火灾报警等方面进行了初步应用。一、常温元件的工作原理简述     

低功耗常温CO气敏元件

采用超细SnO2粉体为材料基体，MQ-Y1元件生产工艺制成超细CO元件。在考察了工作温度、选择性、灵敏度、稳定性、响应及恢复时间等器件参数后认为，此元件可以在稍高于室温条件（25～30℃）下工作，是一种具有重要开发应用前途的气敏元件。     

常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件 ,需要最佳的制备方法和最好的添加剂     

常温α-Fe_2O_3气敏元件

研制成功一种新型常温α—Fe_2O_3~-气敏元件。该元件是在 SnO_2基质材料中加入适量的α—Fe_2O_3~-,而不加任何贵金属。该元件具有大的比表面积,142m~2/g,以及具有微晶和无定型结构,因此对 H_2、LPG、煤气有较高的灵敏度。然而,对 CO 和 CH_4不敏感,所以该元件有一定的选择性。该元件还有一个特点就是不需要加热,这样具有低功耗、工艺结构简单、成本低、稳定等优点。对元件机理进行简单讨论。     

系列常温气敏元件的研制

本文简述了常温气敏陶瓷材料及高分子材料的制备方法、常温电阻型及振荡型元件的制造工艺及其气敏特性，最后探讨了元件的工作机理及今后的改进方法。     

SnO_2气敏元件中无机粘接剂的作用和影响

研究SnO2气敏材料中起粘接剂作用的Bi和Si掺杂对器件电阻、灵敏度及长期稳定性的影响。研究表明:与Bi掺杂相比,添加富含Si的无机粘接剂能大大提高敏感膜的粘接强度,器件电阻适中,对灵敏度的影响不大,而且材料在820℃下烧结2h,仍能获得10nm以下的晶粒尺寸,说明Si不仅起粘接剂作用,也能明显抑制SnO2晶粒长大,高温烧结将有利于改善器件的长期稳定性。     

BaTiO_3对SnO_2基CO气敏元件性能影响

通过掺入BaTiO3来调整SnO2基CO气敏元件的温度系数,进而改善气敏元件的长期稳定性。元件的各种性能与BaTiO3的性质和含量密切相关。当掺入质量分数为2%的含YCl3摩尔分数为0.4%的BaTiO3时,元件的烧结温度升高,抗酒精的干扰能力增强,元件的长期稳定性得到了改善。     

表面覆膜SnO_2半导体氢敏元件

在制备烧结体SnO_2半导体气敏元件的基础上,对元件表面进行了覆膜处理,得到具有高选择性的氢气敏感元件。     

SnO_2—Al_2O_3氧敏元件

<正> 一、前言 随着汽车电子化的迅速发展,为了减少汽车排气中的有害成份和减少燃料消耗,要求在汽车上使用调整空燃比的控制系统,利用氧敏元件控制供油,把空燃比     

超微粒SnO_2气敏材料研制现状

介绍了超微粒SnO2材料的几种主要制备方法及由相应材料制成的气敏元件性能特点，探讨了SnO2气敏特性与粉体粒度的关系。     

TiO_2SnO_2系新型湿敏元件的研制

本文提出了一种新型TiO_2-SnO_2系湿敏元件.文中介绍了该器件的主要结构工艺,对感湿机理进行了探讨,并研究其特性.研究结果表明,这种湿敏器件具有良好的湿敏特性,制造工艺简单、成本低等特点.     

磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性

采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。     

厚膜型SnO_2系气敏机理研究

一、前言金属氧化物半导体气敏传感器,由于其灵敏度高、寿命长、价格低、重量轻等优点,显示出广泛应用的潜力。到目前为止气敏材料的研究已逐渐从单纯的实验室配方的研究进入了有一定理论指导的、能适当进行材料设计的阶段,特别是出现了微处理机与敏感元件相结合的新趋势,促进了传感器日益趋于集成化、叠层化、多功能化和智能化。气敏元件的种类也越来越多,最常见的有三种类型,即烧结型、薄膜型和厚膜型。厚膜型     

掺锆SnO_2陶瓷的乙醇气敏特性研究

在研究SnO_2乙醇气体敏感陶瓷中,比较添加物,发现ZrO_2对乙醇气体有较高的灵敏度。进而从工艺上研究了添加ZrO_2时的最佳烧结温度和预烧温度。分析了烧结温度与测试初始电阻的关系。总结出不同条件下乙醇的分解物不同。提出ZrO_2的催化机理是活化表面羟基,释放占有的电子,释放表面的吸附位,从而提高氧离子的效率。     

非加热TiO2气敏元件

本文首次报道了非加热SnO_2—TiO_2气敏元件。该元件不掺任何贵金属,不加热,对 H_2、煤气、LPG有较高灵敏度,响应时间7秒左右,恢复时间小于19秒,老化实验11个月,气敏性不变,低功耗,0.1瓦左右。对CO和CH_4不敏感,有一定选择性。通过IR、BET、以及温度与元件电阻的关系,探讨了元件的机理。     

稀土La掺杂SnO_2薄膜气敏特性

用真空热蒸发两步法在玻璃衬底制备SnO2和La掺杂SnO2薄膜。研究氧化、热处理工艺和La掺杂含量对SnO2薄膜结构、气敏特性的影响。结果显示:经T=550℃,t=45 min氧化、热处理后,得到n型金红石结构SnO2薄膜。适当掺La可改善SnO2薄膜结晶状况,掺La后SnO2薄膜对气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善,在气体体积分数为1×10-2时,掺La(5%)的SnO2薄膜对乙醇的灵敏度为12;掺La(3%)的SnO薄膜对丙酮的灵敏度可达到14。     

Pd掺杂对SnO_2气敏性能的影响

在气体传感器中金属Pd被广泛用作的催化剂,利用直流溅射和浆料涂覆的方法制备出SnO2气敏元件,在氧气氛中通过直流溅射对SnO2元件进行Pd掺杂,并对用不同制备方法所得元件的电导、灵敏度等进行比较。结果表明:Pd掺杂降低了元件的电导,并使得电导峰出现的位置从460℃转移到260℃和180℃,这和样品的制备方法有关。Pd掺杂有利于提高SnO2元件的灵敏度,特别在低温区(100~250℃)对不同气体的灵敏度有几十倍提高。