氯羟磷灰石固溶体的XRD研究

采用固相法合成一系列氯羟磷灰石固溶体,通过XRD表征手段进行晶体化学分析,结果发现:随着Cl-含量增加,晶胞参数α增大,c减小.且二者呈线性关系:α=0.149x+9.433 6,c=-0.062x+6.902 6,符合Vegard定律.由Vegard定律计算的晶胞参数,与实测值比较发现,α与Cl-含量更符合理论关系,而c相差较大,说明通道离子的半径、位置和电负性对晶胞参数α影响较小、c影响较大.     

氟羟磷灰石固溶体比较晶体化学FT-IR研究

采用单相共沉淀法和隋性气体保护下的固相反应法制备了端元羟基磷灰石(HAP)及氟磷灰石(FAP)或氟-羟磷灰石固溶体[F-OHAP].利用FT-IR对其进行了比较晶体化学研究.结果表明:F-OHAP 中OH-的非对称伸缩振动峰[ρ]分裂为双峰(ρ:3 573 cm-1、ρ1 :3 543 cm-1),证实了通道中同时存在氧氢键(OH…OH…OH)和氟氢键[-OH…F],据此首次提出了测定通道中F、OH相对含量的S-J经验公式.     

氟羟磷灰石固溶体比较晶体化学FT—IR研究

采用单相共沉淀法和隋性气体保护下的固相反应法制备了端元羟基磷灰石（HAP）及氟磷灰石（FAP）或氟－羟磷灰石固溶体[F-OHAP]。利用FT－IR对其进行了比较晶体化学研究。结果表明:F-OHAP中OH^-的非对称伸缩振动峰[ρ]分裂为双峰（ρ：3573cm^-1、ρ1：3543cm^-1），证实了通道中同时存在氧氢键（OH…OH…OH）和氟氢键[-OH…F]，据此首次提出了测定通道中F、OH相对含量的S－J经验公式。     

碳羟磷灰石吸附水溶性F-的影响因素研究

对碳羟磷灰石(CHAP)固定水溶性F- 的影响因素进行了较为系统的实验研究.结果表明:除F- 率与F- 的初始浓度、pH值、温度(T ≤0 ℃或T ≥40 ℃)显负相关,与作用时间、CHAP用量、温度(0 ℃≤T≤40 ℃)显正相关.通过正交实验确定了最佳吸附条件:CHAP用量1.5 g/L ,pH值为7 ,体系温度20～40 ℃ , 作用时间为120 min ,F- 初始浓度小于300 mg/L时.     

XRD在固溶体固溶度测定中的应用

用X射线衍射分析的方法，通过精确测定点阵参数，对陶瓷颜料固溶体的固溶度进行了测定，并取得了满意的效果。结果表明：X射线衍射分析方法是一种测定固溶度的理想方法，这种方法还可以广泛用于无机材料固溶度的准确测定。     

碳羟磷灰石吸附水溶性F^—的影响因素研究

驿羰羟磷灰石（CHAP）固定水溶性F^-的影响因素进行了较为系统的实验研究，结果表明：除F^-率与F^-的初始浓度，pH(温度（T≤0℃或T≥40℃）为负相关，与作用时间，CHAP用量，温度（0℃≤T≤40℃）显正相关。通过正交实验确定了最佳吸附条件，CHAP用量1.5g/L,pH值为7 ，体系温度20－40℃，作用时间为120min,F^-初始浓度小于300mg/L时。     

氟-氯磷灰石固溶体比较晶体化学FT-IR研究

采用惰性气体保护下的固相反应法制备端员氟磷灰石(FAP)及氯磷灰石(ClAP)或氟-氯磷灰石固溶体[F—ClAP(Ca10(PO4)6(F)2—xClx)]．利用FT—IR对该固溶体进行比较晶体化学研究．结果表明：F—ClAP中F^—和Cl^-的量变化使固溶体中[PO4]四面体产生形状畸变，可用四面体畸变指数(DI＝Ly3-2/Ly3-1)来表征，当x＝1时，畸变程度最大，向两端员畸变程度减弱。     

水热合成羟基磷灰石固溶体中镉离子的优先占位

在水热条件下利用高温混合法和低温混合法分别在200℃ 12h条件下成功合成出了钙和镉的羟基磷灰石连续系列固溶体。两种方法合成出的固溶体的晶胞参数对于镉的组成呈线性变化。Rietveld分析表明在两种方法合成出的固溶体中镉离子都有优先占据M(2)位置的轻微趋势。     

TiCx固溶体的价电子结构及其性能研究

根据固体与分子经验电子理论，对TiCx固溶体不同X值的价电子结构进行了分析，通过键距差（BLD）方法，计算了TiCx固溶体中各键上的共价电子数，结果表明：固溶体中最强键Ti-C键上的共价n∧随X的减小而减小，从而解释了固溶体的硬度、熔点、稳定性、烧结特性随X变化的原因。     

BZT系列固溶体直接湿化学法的合成与表征

在95℃下用直接湿化学法，合成了系列BaTi1-xZrxO3固溶体粉体，XRD物相分析表明，产品为完全互溶取代固溶体，SEM和AFM观察．粒子为均匀球形，粒径大约为250nm，BZT固溶体晶相均为立方相．且分析了产品合成的影响因素，初步探讨了锆钛酸钡直接湿化学法合成机理．     

用改进的CSA法计算多元固溶体混合熵

CSA法在估算多元固溶体的混合料,骨比CVM法计算简单的优点,所以,CSA法特别适合于利用实验数据优化计算多元合金体系的相图,采用相同的能量参数及结构,比较了用蒙特卡罗（MC）法、CVM法及CSA法计算的结果,由此可知,由于CSA法引入了1个参数,增强了实用性,计算得到的Cu-Au相图与用蒙特卡罗（MC）法及CMV法计算的结果一致。     

XRD STUDY ON PIEZOELECTRIC CERAMIC OF PZSN SYSTEM

The structure of piezoelectric ceramic in Pb[(Zn_(1/3)Nb_(2/3)(Sn_(1/2)Nb_2/3](Zr,Ti)O_3 system is studiedthrough XRD and TEM analysis.The effects of substitutionof Ba~(2 ), Sr~(2 ).for Pb~(2 )and small amount of dopants such asMnO_2 and Sb_2O_3 on the structure are investigated.The dif-ference between unpolarized and polarized XRD patternsand the structure of ferroelectric domains is emphaticallystudied.The result shows that the samples are of the tetrago-nal pertovskite-type structure.The dopants change the tetrago-nallty of samples and grain size but have no effect on thecrystal phase.The effects of polarizing on the structure canbe proved from the deformation of unit cell in microscopicstate and rotation of 90°ferroelectric domains in microscopicstate.     

陶瓷体和粉末XRD差别

采用日本理学Rint 2200型和丹东皓元DX-2700型两种型号的X射线衍射仪,采集具有立方结构的BL3TC5和四方结构的BaTiO3陶瓷体和粉末XRD谱.研究表明:相对于粉末XRD衍射峰,陶瓷体XRD峰向低角端移动,晶体的单胞体积增加.先进国外仪器的量化结果提供了校正国产仪器变温XRD测试的科学依据.     

YbBi2单晶的合成及其X射线衍射的实验研究

利用 flux法成功合成了高纯的 Yb Bi2 单晶 .实验发现本文合成的 Yb Bi2 单晶是片状晶体 ,平均面积为 4 8mm2 ,厚度 1 mm,在常温下处于亚稳态 ,容易氧化 .利用粉末法仅有一个衍射峰可以明确判定为 Yb Bi2 的衍射峰 ;利用 Yb Bi2 单晶进行射线衍射实验 ,仅能获得 ( 0 1 0 )面的一系列衍射峰 ,其它衍射峰却很难获得 .本文首次采用了对尺度逐渐减小的晶粒进行 X射线衍射的方法 ,成功获得 Yb Bi2 的 XRD谱 .     

XRD分峰拟合法测定炭材料的石墨化度和结晶度

以标准Si粉为内标相,采用内标法测定了5个石墨化炭材料的XRD图谱,用Profit软件对其进行分峰拟合,并计算出每个材料的石墨化度和结晶度指标。结果表明,两个指标联合使用对炭材料结构表征更为充分。用Profit软件拟合分峰之前预先剔除kα2,在拟合过程中,采用手动取切线扣除背底的方式是提高试验重现性的较好方法。     

高硫煤电化学调浆浮选脱硫XRD谱研究

对山东兖州,内蒙乌达高硫煤进行了电化学调浆处理,运用X－射线衍射（XRD）测试技术从定性,定量两个方面对高硫煤电化学调浆浮选脱硫进行了研究,实证了煤中黄铁矿被氧化作为多硫化铁的事实。结果表明,电化学调浆不破坏煤的结构,经过电化学调浆浮选,能有效的脱除煤中硫,尤其是黄铁矿硫,它是一种温和,无污染,高效的脱硫新方法。