天合光能IBC电池效率超过24%

正常州天合光能有限公司光伏科学与技术国家重点实验室自主研发的大面积6英寸全背电极太阳电池(IBC)效率超过24%,达到2 4.1 3%,开路电压超过700m V,标志着天合光能高效电池的研发达到了新的里程碑,使世界领先水平的IBC电池产品向产业化又迈进了一步。     

氧对多晶硅太阳电池磷铝吸杂效应的影响

对不同氧含量的太阳电池用多晶硅片进行了磷扩散吸杂,铝吸杂及磷铝联合吸杂的研究,用准稳态光电导衰减法 (QSSPCD) 和太阳电池效率测试系统测试了吸杂前后多晶硅片的少子寿命和Ⅰ-Ⅴ曲线.发现3种吸杂方式对于多晶硅片的少子寿命和电池效率都有提高,而磷铝联合吸杂的效果最佳;实验发现[Oi]＜10ppma的低氧样品有利于促进吸杂.     

益阳市典型天气条件下3种硅太阳能电池的光电效率测试比较

测试了益阳市4种典型天气（晴天、少云、多云、阴雨）条件下的太阳能单晶硅电池、多晶硅电池、非晶硅薄膜电池的性能参数,比较了3种太阳能电池的光电转换效率,测试结果表明：在晴天和少云的天气下,单晶硅太阳能电池效率最高,约为10.0%左右,多晶硅电池次之,为9.0%左右,非晶硅电池的光电效率最低,为4.5%左右,随着云层的增厚,单晶硅、多晶硅电池光电效率下降,而非晶硅薄膜电池光电效率略有上升,该测试结果对长江中游地区应用太阳能光伏系统具有一定的参考价值.     

能源与环保

效率达22.1%的晶体硅光伏电池片德国博世太阳能公司与德国哈梅林太阳能研究所采用离子注入交叉背结背接触(IBC)技术,成功制成了一款转换效率达22.1%的晶体硅太阳能光伏电池片。该电池片为近正方形,边长约为156mm,具有较为美观的外形。其峰值功率达5.32W,这是单结晶硅光伏电池片所公布的最高功率,而研究人员预计,采用IBC技术,还可实现更高的输出功率;其光电转换效率可达到22.1%,开路     

光伏电池最大功率点跟踪芯片的设计

为提高光伏电池的光电转换效率,设计一种基于开路电压法的光伏电池最大功率点跟踪（MPPT）控制芯片.利用光伏电池开路电压与最大功率点电压存在近似线性关系的特性,周期性采样光伏电池的开路电压,计算得到最大功率点电压.所设计的芯片结构简单、成本低、稳定性好,除能够较精确地控制实现光伏电池的MPPT外,还能周期采样、定时更新当前MPPT电压,并实时监测光伏电池的输出电压,使环境条件变化时系统具有快速的动态响应.芯片除包含参考基准、电压调节器、振荡器及误差放大器等基本模块外,还集成了采用自举技术的驱动电路,提高了输出电压.电路采用1.5 μm双极型-CMOS-DMOS （BCD）工艺设计制造,优化后的芯片面积约为3.0 mm×2.6 mm.测试结果表明,预期的电路功能已经基本实现.     

磷锗锌(ZnGeP2)单晶体生长研究

以高纯(6N) Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%～0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料.以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的 ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹.对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3 ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550～600 ℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2～12 μm波段内红外透过率可达55%以上.     

PbTe薄膜及单晶的电磁特性研究

采用布里奇曼法在 Ar气气氛中于石英坩锅内合成了 Pb Te单晶 ,并运用真空蒸镀法制成了其多晶薄膜 ,测试了它们的伏安特性、热电特性、光电导效应 .实验发现 :所合成的 Pb Te单晶是 P型半导体 ,对可见光较敏感 ;Pb Te薄膜及单晶的温差电动势具有相同的数量级 ,均具有显著的热电效应 .     

华为中央研究院锂离子电池研究获重大突破

正华为中央研究院瓦特实验室在锂离子电池领域实现重大研究突破,推出了业界首个高温长寿命石墨烯基锂离子电池。测试结果显示,该实验室研发的以石墨烯为基础的新型耐高温锂离子电池技术可使锂离子电池的上限使用温度提高10℃,使用寿命达到普通锂离子电池的2倍。该项性能突破主要来自于3个方面:在电解液中加入特殊添加剂,除去痕量水,避免了电解液的高温分解;电池正极选用改性的大单晶三元材料,提高了材料的热稳定性;另外,采用新型材料石墨烯,可实现锂离子电池与环境间的高效散热。     

染料敏化太阳能电池的研究进展

近年来,染料敏化太阳电池由于具有低价格、易于制造成大面积和可接受的转换效率的潜力等优点而倍受关注.介绍了类似于植物光合作用的染料敏化太阳电池的工作原理,描述了主要由导电玻璃,半导体氧化物纳米薄膜,敏化染料,电解质和对电极组成的染料敏化太阳电池结构.对阳极材料改性技术、染料对DSSC性能的影响和电解质的研究新进展进行了综述.最后展望了染料敏化的电池的应用前景和今后的研究重点.     

Si基薄膜太阳电池绒面ZGO透明导电膜的研究

采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。     

不忘初心,再造硅业——中国恩菲研发民族多晶硅产业之路

“这是最好的时代,也是最有竞争性的时代。” 很长一段时间以来,伴随世界范围内能源竞争的加剧,“新能源或将引发‘第四次工业革命’”的研判为行业所广泛认同。中国恩菲工程技术有限公司（以下简称中国恩菲）自主研发的多晶硅生产技术问世后,民族多晶硅产业开拓者一举冲破国外光伏强国技术封锁,登上了全球太阳能开发利用的制高点。     

多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究

用等离子体化学气相沉积（PECYD）法,通过改变[SiH4：N2]/[NH3]的流量比沉积SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法（QSSPCD）、X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（IR）、反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现：沉积温度350℃,沉积时间5 min,[SiH4：N2]/[NH3]=4：1时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低.     

n-i-p型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能的影响。结果表明,在合适晶化率的p层上沉积ITO薄膜有利于优化p/ITO界面的接触特性,将其应用于n-i-p型a-Si太阳电池,能够显著改善电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF),最终,在不锈钢(SS)衬底上获得了转换效率为6.57%的单结a-Si太阳电池。     

太阳能发电跟踪系统丝杠传动装置设计选型分析

太阳能光伏发电装置是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术.太阳能电池板能够时刻正对太阳,发电效率才会达到最佳,通过跟踪传动系统能增加30％～80％的发电输出功率.由此提出光伏太阳能大电池组件发电跟踪系统设计中,跟踪传动装置关键零部件需要注意的几个的问题,并对问题的解决提出了几点设计的理念,对关键零部件的材料选用、设计等提出了一些解决办法和思路,通过实际制造的检验,有一定的通用性.     

添加剂对MH-Ni电池高温电化学性能的影响

用恒电流充放电和循环伏安方法研究了含Ce和Y的混合添加剂对镍电极和MH-N i电池高温电化学性能的影响,循环后的N i(OH)2粉末经XRD测试为β型.恒电流充放电结果表明,在高温下含有添加剂的MH-N i电池的库仑效率明显高于不含添加剂的MH-N i电池.镍电极的循环伏安实验表明,在高温条件下,在阳极区内不含添加剂的镍电极的N i(OH)2氧化峰与析氧峰重叠在一起,而含有添加剂的镍电极上N i(OH)2的氧化峰和析氧峰峰值电压差明显增加,镍电极和MH-N i电池在高温下的充放电性能明显提高.     

基于RFID的阀控式铅酸蓄电池测试维护系统

采用射频识别（RFID）技术、蓄电池在线内阻测试技术、虚拟仪器技术和数据库技术,构建了全新的阀控式铅酸蓄电池测试及维护系统,并完成了系统的软、硬件设计．该系统解决了阀控式铅酸蓄电池容量测试费时费工、不易管理电池和判断劣化电池的问题．实验表明,该系统有效提高了阀控式铅酸蓄电池测试和维护的效率,提高了电池判断的准确度,节省了电池测试和维护的成本．     

我国首支CIOS薄膜太阳能集电管面世

河南燕垣光伏能源有限公司依托北京大学的科研力量研发的我国首支铜铟镓硒（CIGS）太阳能集电管面世。 太阳能集电管是太阳能集热管和太阳能电池片结合的产物，是CIGS薄膜太阳能电池应用的一种崭新形式，减少了传统意义上以硅为基础材料造成的污染和高能耗问题，具有成本低廉、耗能低、效率高的特点。北京大学研发的这项技术，具有我国自主知识产权，虽与世界上美国、德国等少数国家相比尚处于中等水平，但只是工艺上的差距。     

悬臂梁单晶压电振子发电的理论建模与仿真

为了解决电池为低功耗电子产品供能存在的诸多问题,对悬臂梁单晶压电振子的发电能力进行了研究.根据压电理论和热平衡原理,建立悬臂型单晶压电振子发电能力的数学模型,并对金属基板材料、基板厚度与压电片厚度对压电梁发电能力的影响进行了数值模拟与有限元仿真分析.研究结果表明,建立的数学模型与有限元仿真分析结果一致,压电片与基板材料存在一个最佳厚度比使得压电振子的输出电压达到最优,且最佳厚度比随着基板材料弹性模量的增大而增大,当基板材料分别为铝、磷青铜、多晶硅和钢时,单晶压电振子所对应的最佳厚度比分别为0.4、0.5、0.55和0.65,最后对以磷青铜为基板材料的压电振子进行了实验测试.实验结果表明,当压电片与基板厚度比为0.5时,压电振子输出功率最大,验证了理论分析的正确性.     

Pb1-xSnxTe晶体的合成及电磁特性研究

:利用布里奇曼法合成了 Pb1 - x Snx Te单晶 ,测试了其密度、阻温特性、霍尔效应 .实验测得其载流子浓度和霍尔迁移率大约在 ( 3～ 1 6)× 1 0 1 7/ cm3和 1 0 2 cm2 /Vs;随着 x的增加晶体从 P型半导体向 n型半导体转变     

反应磁控溅射法制备Zn3N2薄膜的工艺研究

制备和研究高质量的Zn3N2薄膜有助于拓展新型薄膜材料体系。文章采用反应磁控溅射技术,研究不同的溅射功率、N2-Ar流量比、衬底类型和衬底温度等沉膜工艺对Zn3N2薄膜结晶质量的影响;采用XRD、SEM和AFM等测试手段,分析Zn3N2薄膜的微结构和表面形貌。结果表明:几种衬底上,以石英玻璃作衬底沉积的Zn3N2薄膜晶粒尺寸较大,衍射峰较强,且为多晶向薄膜;当N2-Ar流量比提高时,Zn3N2薄膜为单一择优取向的结晶薄膜;衬底温度升高后,Zn3N2薄膜晶粒尺寸减小,但是单一择优取向不变;溅射功率提高后,薄膜晶粒尺寸增大,择优取向改变,由单一晶向变为多晶向,以<100>晶向单晶硅作衬底可获得单一晶向Zn3N2薄膜,而以<111>单晶硅作衬底制备的Zn3N2薄膜经XRD测试,未检测到Zn3N2晶体。