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天津鞍钢天铁冷轧薄板有限公司新建冷轧薄板一期工程,生产规模为150×10^4t/a,其中冷轧商品卷50×10^4t/a、冷轧热镀锌卷30×10^4t/a冷硬卷70×10^4t/a,新建废水处理站一座,用于处理冷轧薄板排放的废水、废液。新建的废水处理站包括含酸废水处理系统、含铬废水处理系统、含油及乳化液废水处理系统、稀碱含油废水处理系统、湿平整液废水处理系统和污泥处置系统等。 相似文献
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杨中文 《精细与专用化学品》2008,16(16):11-14
主链结构由-Si-O-重复单元组成的有机硅材料是一种介于有机和无机之间的特种高分子材料。硅氧键的键能为422.5kJ/mol。它的耐高低温性能非常好,一般可在-70-250℃长期工作。由于硅原子上连接了甲基,使大分子非常柔软,很容易加工。它具有非常优越的电绝缘性能。一般体积电阻率在1×10^16Ω·cm以上,此外主链的饱和结构使硅橡胶的耐候性能(户外老化性能)非常好。 相似文献
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针对古云集、卫53块等区块难动用油藏开发难度大的难题,按照“分类研究,分类治理,整体配套,综合提高”治理的原则,应用水平井采油工艺技术、难动用油层改造技术、周期注水、分层注水等注水配套技术、三级降压混输技术,进行了地面工程的整体配套,形成了完善的油气计量、集输、注水、动力系统,优选相应的工艺配套技术,改善难动用油藏的开发效果。实施油水井措施51井次,与2005年底相比,油水井开井数由15口增加到28口;日产油量由31.3t上升到86.8t;年产油量由1.199×10^4t增加2.659×10^4t;区块动用储量增加110×10^4t;动用程度由15.0%提高到33.8%;年注水量由16.6×10^4m^3增加到24.5×10^4m^3;采油速度由0.23%提高到0.518%,总体开发效果全面改善。 相似文献
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《建筑玻璃与工业玻璃》2008,(12)
本实用新型公开的透明的高导电近红外反射镀膜玻璃由衬底和镀在衬底上的近红外反射膜层组成,近红外反射膜层的电子载流子浓度在1.0×10^21cm^-3-6.0×10^21cm^-3。该近红外反射镀膜玻璃具有高透明高红外反射的特点,电子载流子浓度在1.0×10^21cm^-3. 相似文献
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采用硅烷偶联剂对氮化硼(BN)微米粒子进行表面处理,并在酚醛树脂(PF)的聚合反应过程中将其加入,制备出一种新型的有机/无机BN杂化环保型PF。采用红外光谱(FT—IR)、扫描电镜(SEM)和热重分析(TGA)等手段对杂化树脂的结构与性能进行了研究,并运用Kissinger、Ozawa和Crane方法计算其热分解反应的动力学参数。结果表明:杂化树脂的活化能和频率因子分别为126.1kJ/mol和1.64×10^8S^-1(Kissinger法),反应级数为0.929(Crane法),其热分解反应机理比较复杂;经偶联剂处理过的BN粒子在PF中的分散性较好,BN杂化PF的耐热性略有提高;采用玻璃纤维增强杂化树脂制备BN杂化PF复合材料,其力学强度和电性能明显提高,拉伸强度由476.6MPa提高到610.5MPa,表面电阻率由2.88×10^12Ω增加到1.92×10^15Ω。 相似文献
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采用投加聚合硫酸铝铁(PAFS)的方法来缓解SMBR中的膜污染速率。试验结果表明,投加PAFS后,SMBR中污泥的平均粒径从80μm增大到400μm,过滤总阻力从496.49×10^10 m^-1减为138.25×10^10 m^-1, 相似文献
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研究了碳纤维(CF)不同的表面处理方法对PE—HD/EVA/CF复合材料导电性能的影响,包括硝酸液相氧化处理和硅烷偶联剂KH560、KH550包覆处理。结果表明,用偶联剂处理的复合体系,其体积电阻率随着CF的用量增加呈下降趋势。KH560包覆处理体系的最低体积电阻率为3.63×10^9Ω·cm,KH550处理体系为7.94×10^9Ω·cm。KH560的偶联处理效果总体较佳,导电渗阈值出现在5份,而且KH560最佳使用量为0.8份。硝酸液相氧化处理效果比偶联剂好,随着氧化时间的延长,复合体系的导电性能随之改善,最佳氧化时间为7h,其导电渗阈值在3.5份左右,体积电阻率从10^13Ω·cm下降到5.75×10^8Ω·cm。 相似文献
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通过对20×10^4t/a低压甲醇系统开车技术总结,简述了其合成原理、开车程序,着重对正常控制要点要求及异常情况处理进行简述,以供参考。 相似文献
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以硅橡胶(MVQ)/氟橡胶(FKM)并用胶为基相、碳纤维(CF)为增强相制备CK/MVQ/FKM复合材料。最佳配方为:FKM混炼胶 90,MVQ混炼胶 10,白炭黑 20,硅烷偶联剂KH590 2.5,碳纤维(纤维长度为12 mm) 8;其中FKM混炼胶配方为FKM 100,氢氧化钙 6,氧化镁 3,3#硫化剂 3;MVQ混炼胶配方为硅橡胶 100,氧化锌 3,三氧化二铁 1,防老剂D 1,促进剂M 1.5,硫化剂DCP 5。最佳一段和二段硫化条件分别为170 ℃/10 MPa×30 min和200 ℃(常压)×2 h。 相似文献