浅电子陷阱掺杂剂——Ru(Ⅱ)的应用研究

研究了浅电子陷阱掺杂剂———钌盐Ru (Ⅱ )加入纯溴立方体乳剂中 ,对感光度的影响 ,结果表明在乳剂颗粒的一定位置 ,掺杂一定量钌盐能明显提高乳剂感光度。     

浅电子陷阱掺杂剂

介绍如何选择浅电子陷阱掺杂剂，用以提高卤化银乳剂的感光度、改善互易律失效等性能。     

浅电子陷阱技术

浅电子陷阱技术是掺杂技术的一个分支,近年来有关它的研究和应用又开始受到人们的重视。本文简单介绍了照相乳剂颗粒中浅电子陷阱的形成及原理,并对可形成浅电子陷阱的掺杂剂的类型及其在卤化银乳剂颗粒中掺杂的部位、使用量和所起的作用进行了初步的分析。在卤化银乳剂制备过程中使用浅电子陷阱剂可有效地提高照相感光度。     

溴碘化银T-颗粒晶体中的电子和空穴行为研究

利用Wagner极化法研究了掺杂K4[Fe(CN)6]浅电子陷阱掺杂剂的溴碘化银T-颗粒晶体的电子电导率和空穴电导率，并与未掺杂的晶体样品进行对比，分别考察了实验温度、掺杂剂用量、掺杂位置等因素对实验结果的影响。结果表明，随掺杂剂用量的增加，晶体的电子电导率和空穴电导率都相应增加，这说明浅电子陷阱掺杂剂的掺杂有效地抑制了电子和空穴的复合、但其抑制作用却因掺杂位置的不同而不同，当掺杂量一定，掺杂剂掺在碘区附近时，晶体的电子电导率和空穴电导率的变化较明显。随着实验温度的增加，乳剂晶体的电子电导率和空穴电导率都下降。     

[Ru(CN)_6]~(4-)在溴化银立方体乳剂中的应用

研究了 [Ru (CN) 6]4-在溴化银立方体乳剂中的掺杂 ,[Ru4(CN) 6]4-作为 1种浅电子陷阱掺杂剂可有效地改善乳剂的感光性能。通过实验确定了最佳掺杂位置和用量 ,并从理论上进行了初步探讨。     

[Ru(CN)_6]~(3-)在溴碘化银T-颗粒乳剂中的掺杂

研究了K4犤Ru(CN)6犦掺杂剂对溴碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响,结果表明掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响。当K4犤Ru(CN)6犦的掺杂量为3.1×10-8～3.1×10-9mol/g乳剂之间时,掺杂剂掺杂在乳剂的任意位置,乳剂感光度都有提高,表明K4犤Ru(CN)6犦是浅电子陷阱掺杂剂。掺杂位置接近表面或接近内核时效果相对较好,最佳的掺杂量为3.1×10-8mol/g乳剂。当掺杂剂的掺杂量小于3.1×10-10mol/g乳剂,且掺杂位置接近富碘区时,乳剂的感光度反而下降。     

[Fe（CN）6]^4—在溴碘化银T—颗粒乳剂中的掺杂

本文研究了K4[Fe(CN)6]掺杂对溴碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响.结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响.K4[Fe(CN)6]的掺杂量在每克乳剂3.1×10-93.1×10-11mol之间时,乳剂感光度都有提高.最佳掺杂量为每克乳剂3.1×10-10mol.掺杂位置接近表面时效果相对较好,表明K4[Fe(CN)6]是浅电子陷阱掺杂剂.当掺杂剂的掺杂量大于每克乳剂3.1×10-8mol,且掺杂位置在乳剂颗粒较深内部时,乳剂的感光度反而下降.     

利用变分法对卤化银微晶中掺杂中心参数的估算

从量子力学出发利用变分原理采用尝试波函数,探讨了不同情况下卤化银微晶中掺杂中心的势阱深度和捕获半径之间的对应关系。利用得出的结论估算了室温下浅电子陷阱掺杂剂[Fe(CN)6]4-引入的电子陷阱捕获截面为70 A2,而掺杂剂[IrBr6]3-引入的电子陷阱势阱深度为1.07eV。     

[Ru(CN)_6]~(4-)在溴碘化银立方体乳剂中的应用

研究了[Ru(CN)6]4-在溴碘化银立方体乳剂中的掺杂,[Ru4(CN)6]4-作为1种浅电子陷阱掺 杂剂可有效地改善乳剂的感光性能。通过实验确定了最佳掺杂位置和用量,并从理论上进行了初步探讨。     

卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应

依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型 ,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况 ,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论 ,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据。     

金属离子及其配合物作为卤化银乳剂掺杂剂的研究进展

对近年来文献中关于金属离子及其配合物作为掺杂剂影响卤化银乳剂照相性能的研究作了总结。根据它们在周期表中的位置主要将其归纳为铂系金属离子 ,铁系金属离子 ,锌、镉、铜盐以及稀土金属离子及其配合物四部分 ,并对其作用机理做了简要的评述。     

新型中空卤化银颗粒乳剂的制备和性能研究：V.中空卤化银T颗粒 …

８０年代以来,许多新型的卤化银微晶已在新开发的各种高质量感光材料中得到应用。近十年来在国内外文献中又出现新型中空卤化银微晶制备方法的报道。本文着重研究一种表面有许多小孔及凹坑的中空卤化银Ｔ颗粒的制备方法和感光性能。由于其独特的孔洞结构,使位错、缺陷增加,填隙银离子浓度增加和电子陷阱增多,潜影形成效率提高,从而达到提高乳剂感光性能的目的。     

金属离子对溴碘化银乳剂微晶体的掺杂效应——Ⅳ.铋离子Bi~(5+)的掺杂与光电子寿命

利用电镜法。介电损耗法和微发光导法,对铋离子Bi~(5+)在卤化银乳剂微晶体中的掺杂效应,做了较深入的研究。试验结果表明:铋Bi~(5+)的掺杂使卤化银的颗粒变小,使介电损耗峰向高频方向移动。随着铋离子Bi~(5+)的掺杂量的增加,乳剂微晶体的光电导在极短的时间内急剧下降,而光电子的寿命不断增加。看来铋离子的掺杂提供了大量的浅电子陷阱,造成潜影中心分散度增加和活性降低,这是造成减感的主要原因。     

用计算机模拟技术研究潜影形成机理 Ⅲ.化学增感对潜影形成的作用

继前文的潜影形成模型,对化学增感乳剂进行了计算机模拟研究。结果如下:(1)硫增感引入大的浅陷阱,可增加敏度与改善低照互易律失效;其空穴陷阱的作用则不是很有效。(2)金增感除了减小可显影中心的尺寸和增加抗氧化能力外,还应有另外的增感机理。Ag_2经金强化可以部分地转化为可显影中心。(3)还原增感斑与尺寸相同的曝光产生的银斑性质相同,曝光时大部分还原增感斑被破坏掉了,只有极少数有机会长大。还原增感斑的两个重要作用:提高了形成潜影的概率;消耗空穴或光解溴,使颗粒中的净剩电子增多。二者对潜影形成都有重要贡献。     

微波照射下的卤化银感光材料

研究了微波照射对卤化银感光材料照相性能的影响。微波照射下不会导致卤化银乳剂自发光解。通过量子化学计算可知 :卤化银乳剂的照相性能和整个卤化银晶体中静电势的分布有关 ;微波照射可以改变卤化银晶体中的静电势分布 ,从而使卤化银感光材料的照相性能发生变化。微波照射对于硫增感卤化银乳剂照相性能的影响大于对未经硫增感的卤化银乳剂。微波照射对于卤化银乳剂照相性能的影响有一定的“弛豫时间”。     

金属离子对溴碘化银乳剂微晶体的掺杂效应 III.Cu~(2+)的掺杂

在本工作中,用电镜法、介电损耗法和微波光导法研究了铜离子的掺杂对于卤化银乳剂微晶体的掺杂效应。试验结果表明,铜离子的掺杂使卤化银乳剂微晶体的颗粒变小,使微晶体的介电损耗峰向高频方向稍微移动0.3对数单位。使微晶体的光电导急剧地降低。实验证明,铜离子吸附在卤化银乳剂微晶体的表面,起着深电子陷阱的作用,是导致铜离子的掺杂使乳剂的感光度降低的主要原因。     

纳米科技的发展对卤化银技术进步的影响

纳米科技和纳米材料在过去的十几年得到了迅速的发展,并将继续发展并渗透到各个领域,给世界和人类生活带来不可估量的影响。“纳米技术”真的是一个新的概念？事实上,某些材料的制备和使用早已经涉及了这个长度范围,卤化银照相技术就是“老”的纳米技术之一,在早期,从事卤化银照相的人们凭经验和有限的能力控制材料的某些结构在纳米级范畴,随着纳米科学的发展,纳米技术在卤化银照相领域的使用走过了从无意识到有目的的过程,促进了照相科学的发展。本论文将结合卤化银技术在21世纪的发展趋势,从三个方面（在纳米级研究卤化银照相,卤化银微晶上的纳米结构,纳米卤化银微粒）探讨纳米科学对卤化银技术进步的影响。     

银盐照相乳剂制备最新动向

通过分析《美国化学文摘》中关于银盐照相材料的乳剂制备专利,了解到近几年柯达、富士等公司申请的专利主要涉及富氯卤化银 T－颗粒乳剂的制备、在 T－颗粒上引入线性位错和碘化银补加方法。