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Ｃ波段ＧａＡｓ单片有源环行器岑元飞，林金庭，陈克金，樊晓龙（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＣ－ＢａｎｄＧａＡｓＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＡｃｔｉｖｅＣｉｒｃｕｌａｔｏｒ￥ＣｅｎＹｕａｎｆｅｉ；ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ；ＦａｎＸｉａｏｌ... 相似文献
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１０ＷＱＣＷｏｐｅｒａｔｉｏｎｏｆａｐｒｏｔｏｎｉｍｐｌａｎｔｅｄＧａＡｌＡｓｄｉｏｄｅｌａｓｅｒａｒｒａｙＺＨＡＮＧＤａｏｙｉｎ；ＨＵＳｉｑｉａｎｇ；ＭＨＯＱｉｎｇｆｅｎｇ（ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉ... 相似文献
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ＩｍｐｌａｎｔＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｌＤｉｓｏｒｄｅｒｉｎｇｏｎＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰＭＱＷＳｔｒｕｃｔｕｒｅｓ￥ＺＨＡＯＪｉｅ；ＬＩＵＢａｏｊｕｎ；ＷＡＮＧＹｕｆａｎｇ；ＷＡＮＧＹｕｏｎｇｃｈｅｎ；ＴｈｏｍｐｓｏｎＤＡ（ＴｉａｎｊｉｎＮｏｒｍａｌＵ... 相似文献
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ＤｉｆｆｕｓｉｏｎｏｆＺｉｎｃｉｎＩｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ，ＩｎＰａｎｄＧａＡｓ￥ＺＨＵＡＮＧＷａｎｒｕ；ＺＯＵＺｈｅｎｇｚｈｏｎｇ；ＷＡＮＧＦｅｎｇ；ＳＵＮＦｕｒｏｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，ＡｃａｄｅｍｉａＳｉｎｉ... 相似文献
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硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究 总被引：1，自引：0，他引：1
分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。 相似文献
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本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄膜及界面特性进行了细致的研究．结果表明：热退大处理后，Ｃｏ／Ｓｉ经化学反应形成了较均匀的ＣｏＳｉ２单相，其薄膜电阻率约为３０μΩｃｍ．即使经９００℃的快速返火处理后，ＧａＡｓ界面仍保持相当的完整性，同时薄膜形貌也很理想．此外，采用Ｉ－Ｖ电学测试法对经７５０℃恒温退火处理后形成的ＣｏＳｉ２／Ｇａ 相似文献
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ＶＬＳＩＳｔｒｕｃｔｕｒｅｆｏｒａｎＡｌｌＤｉｇｉｔａｌＲｅｃｅｉｖｅｒｆｏｒＣＤＭＡＰＡＢＸＨａｎｄｓｅｔＺｈｏｕＳｈｉｄｏｎｇ；ＢｉＧｕａｎｇｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００１８）（Ｐｈ．Ｄｓｔｕｄｅｎｔａｔ... 相似文献
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Yang Guowen Xu Junying Xiao Jianwei Xu Zuntu Zhang Jingmin Zhang Wanhu Zeng Yiping Chen Lianhui 《半导体学报》1994,15(8):565-568
ＥｘｔｒｅｍｅｌｙｌｏｗｔｈｒｅｓｈｏｌｄｃｕｒｒｅｎｔｄｅｎｓｉｔｙｓｔｒａｉｎｅｄＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓｑｕａｎｔｕｍｗｅｌｌｌａｓｅｒｓｂｙｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ￥ＹａｎｇＧｕｏｗｅｎ；ＸｕＪｕｎｙｉｎｇ；ＸｉａｏＪｉａｎ... 相似文献