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四硫富瓦烯基二硫纶及其配合物的合成 总被引:3,自引:0,他引:3
四硫富瓦烯-1,2-二硫纶(TTFDT)在有机金属导体领域有着良好的应用前景,通过恰当的分子设计可以开发出具有良好电导率的衍生物和配合物。设计、合成和表征了一种可作为配体前体的TTFDT衍生物,并且改进了其合成方法。 相似文献
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以二硫化碳、二甲基甲酰胺等为起始原料,合成了3种新的非对称双稠合四硫富瓦烯(TTF)衍生物:2-(4′,5′-二烷硫基-1′,3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-5-(4′,5′-二腈乙硫基-1′,3′-二硫代环戊烯-2′-叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯。通过元素分析、IR1、HNMR对产物结构进行了鉴定。系统地研究了这类非对称双稠合四硫富瓦烯衍生物的导电性能和电化学性质,结果表明除乙基和丙基取代的衍生物呈现半导体性质外,其他取代基的衍生物均为绝缘体。循环伏安研究显示所有化合物的电荷迁移分两步进行,但不是严格的电化学可逆。 相似文献
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扩展TTF衍生物的π共轭体系,可以增进分子导体中分子间的S…S相互作用,改善分子导电性。基于这个目的,以二硫化碳、二甲基甲酰胺为起始原料,合成了二种双稠合的四硫富瓦烯衍生物2.(4′,5′-二甲硫基-1′,3′,二硫代环戊烯-2′叉)-5-(4′,5′-二腈乙硫基.1′,3′-二硫代环戊烯-2′叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯和2,5-二(4′,5′-二甲硫基-1′,3′-二硫:、己环戊烯-2′-叉)-1,3,4,6-四硫并环戊烯。这两种化合物具有更为伸展的π共轭体系,因此有可能成为优良的电子给体。中间物及锄物经IR和元素分析进行了结构鉴定。同时讨论了取代基性质对双稠合四硫富瓦烯衍生物的合成收率的影响。 相似文献
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四硫富瓦烯及其衍生物是性能优良的电子给体.本文利用Sonogashira反应将吡啶基团连接在四硫富瓦烯单元上,合成了"A-C≡C-TTF-C≡C-A"型四硫富瓦烯共轭体系衍生物4,4′(5′)-二-(4-吡啶乙炔基)-四硫富瓦烯(TTF4N).吸收光谱、电化学和Pb2+配位键合研究表明,三键作为桥基能够有效实现分子内的电荷转移.金属Pb2+离子与吡啶基团的配位能够引起TTF4N的吸收光谱、核磁氢谱和电化学性质的显著变化. 相似文献
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利用Wittig反应将高荧光量子产率的蒽基团通过双键连接在四硫富瓦烯单元上,合成了二元共轭体系化合物TTFan.在氧化作用的控制下,四硫富瓦烯单元的给电子能力降低,TTFan的荧光发射强度增大至原来的十几倍,实现了荧光的“off-on”过程. 相似文献
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一种非对称的双稠合四硫富瓦烯衍生物的合成 总被引:6,自引:0,他引:6
以二硫化碳、二甲基甲酰胺为起始原料,亚磷酸三甲酯和亚磷酸三乙酯为偶联剂,利用多步Wittig交叉偶合反应,合成了一种双稠合的四硫富瓦烯衍生物2 (4′,5′ 二甲硫基 1′,3′二硫代环戊烯 2′叉) 5 (4′,5′ 二腈乙硫基 1′,3′二硫代环戊烯 2′叉) 1,3,4,6 四硫并环戊烯,该衍生物具有更为伸展的π共轭体系,因此有可能成为一种优良的电子给体。各步偶合反应的收率51 4%~82 4%。由于采用了交叉偶合反应及具有吸电子取代基,目的产物的收率高达82 4%。中间物及产物经IR和元素分析进行了结构鉴定。其中目标产物元素分析的实测值w(C)=33 59%,w(H)=2 30%,w(N)=4 18%与计算值w(C)=33 64%,w(H)=2 18%,w(N)=4 36%非常吻合,说明合成路线合理可行。 相似文献
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利用Wittig反应将高荧光量子产率的蒽基团通过双键连接在四硫富瓦烯单元上,合成了二元共轭体系化合物TTFan.在氧化作用的控制下,四硫富瓦烯单元的给电子能力降低,TTFan的荧光发射强度增大至原来的十几倍,实现了荧光的“off-on”过程. 相似文献
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描述了1,3-二硫杂环戊二烯基团的基本性质和特点,对其在现代材料科学中应用的最新进展作了简要的概括和评述。 相似文献