用MMIC构成的W波段振荡源组件

用ＭＭＩＣ构成的Ｗ波段振荡源组件据《１９９４ＥＥＥＥＭＴＴ－ｓＤｉｇｅｓｔ》报道，Ｈ．Ｗａｎｇ等用三块ＭＭＩＣ芯片研制成一种Ｗ波段（７５～１１０ＧＨＺ）的振荡源组件。第一块ＭＭＩＣ芯片为异质结双极晶体管（ＨＢＴ）压控振荡器（ＶＣＯ），频率为２３．５Ｇ...     

Ku波段GaAs单片集成移相器

本文报道了一种工作在16.0～17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.80×0.2mm芯片上的移相器其参数为:插损小于4.03dB,输入电压驻波比小于1.66,输出电压驻波比小于1.71,相移偏差在12.5°以内.     

GaAs单片集成激光器驱动电路

设计和制造了一个GaAs单片集成激光器驱动电路。描述了电路的设计考虑,制作过程和器件与激光器驱动电路的静态特性。该电路具有大于30mA的电流驱动能力。     

Ku波段2W单片GaAs FET放大器

设计并制造出一种单片三级Ku波段GaAs FET功率放大器。外延层是用分子束外延生长的,FET具有源覆盖的几何结构和带n~+边缘的沟道。放大器在16.5GHz下,以12dB的增益和20％的效率获得了高达2W的输出功率。     

X波段0.7W单片集成功率放大器

<正>南京电子器件研究所在微波单片集成电路研制方面获得了新的进展。1991年研制成的两级功率放大器测试结果表明,最大增益11 dB,1 dB带宽600MHz,7GHz频率下P_(-1)>550mW,Pa_(sat)为770mW,与设计值基本吻合。     

GaAs单片集成X波段低噪声放大器

<正> 1986年我们研制了GaAs单片集成X波段低噪声放大器。GaAs基片采用南京电子器件研究所高压单晶炉拉制的大直径非掺杂半绝缘单晶,其电阻率大于10~7Ω·cm,利用汽相外延生长出低噪声MESFET所需的缓冲层、有源层和n~+欧姆接触层。低噪声MESFET采用了凹槽铝栅结构,栅长为0.6μm,栅宽为150μm。利用器件的结构参数,计算出其等效电路参数、散射参数和最佳噪声参数,电路的输入和输出匹配网络均采用典型的“Г”型网络,既能有效地减小电路的驻波比,又便于施加直流偏置。由于电路为小信号工作,微带线导带采用     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针,对GaAs单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选,测得芯片频率响应带宽为3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪.检测了GaAs单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形.     

GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量

用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .     

GaAs探测器与放大电路的单片集成

本文介绍一种结构简单且与GaAs MESFET的制备工艺相容的GaAs MSM-PD器件,它可用作探测短波长激光。文中介绍了MSM—PD的特性,还叙述了它与MESFET放大电路的单片集成工艺。最后给出了集成芯片测试的初步结果。     

X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。     

W波段微带集成混频组件

本文介绍三毫米波混频组件，包括密封波导－微带过渡，集成混频器及低噪声中放。设计重点在于满足军用要求。并给出一些实验结果。     

X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器

<正>功率GaAs PIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出X波段100 W GaAs单片大功率PIN限幅器。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的工层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,在Φ50mm外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。该限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~11.0GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65 dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉沖功率(9.5 GHz,脉宽8 ms、占空比40%)达50 dBm(100 W)时,保持壳温     

4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器

采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。     

高灵敏度单片集成W 波段功率检波器*

介绍了一款高灵敏度W 波段功率检波器芯片的设计及其封装测试结果。该检波器电路采用标准0. 1 μm GaAs pHEMT 工艺设计加工制造完成。封装测试结果显示,当射频输入信号功率为-15dBm 时,检波电路在90 ~ 95GHz 频率范围内的电压灵敏度大于6000mV/ mW。该电路具有很好的宽带特性,可以工作在86 ~ 100GHz 频率范 围内,几乎覆盖了W 波段的所有常用频率。此外,该检波器电路芯片结构紧凑,面积仅为2×1mm² ,适合高密度的射 频前端集成。     

C波段输出8W的GaAs准单片集成电路

<正>南京电子器件研究所在φ50mm半绝缘GaAs晶片上,采用全离子注入、0.5/μm自对准栅,平面工艺,背面通孔热沉等先进工艺技术,在大大提高单位栅宽的功率密度和增益的基础上,采用CAD设计和内匹配功率合成技术,在C波段(5.5～5.8GHz)测得1dB压缩输出功率大于8W,功率增益大于5dB的准单片功率MMIC。管壳外形尺寸为13mm×12mm;内腔尺寸为6.4mm×8.4mm,远小于富士通公司输出8W产品的内腔尺寸(9.2mm×9.6mm)。 设计中采用微波非线性电路大信号分析方法,使用自行研制的谐波平衡模拟器软件包,进行计算机辅助优化设计,大大缩短了实验周期,减少了实验次数,并通过实验验证了软件的可行性。     

Ku波段GaAs单片功率放大器

基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器。简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器。经过精准测试,两款电路呈现的性能如下:在13～14GHz频带内,其中第一款电路的饱和输出功率Po>38dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>20dB,典型功率附加效率PAE>28%;第二款电路的饱和输出功率Po>40dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>19dB,典型功率附加效率PAE>28%。结果表明,基于PHEMT的GaAs单片功率放大器在Ku波段可以实现优良的性能。     

GaAs单片电路封装

简述了微波在封装中的传输特性，以及不同封装型式和材料的ＧａＡｓＭＭＩＣ封装，介绍了多层共烧陶瓷在ＭＭＩＣ封装中的应用。最后，综述了国外ＧａＡｓＭＭＩＣ的最新封装与互连技术。     

Ku波段GaAs单片接收机

报道了工作频率分别为10.7-11．6GHz和11．7－12．2GHzGaAs单片接收机的研制结果。接收机并包括四种电路，即低噪声效大器、介质稳频振荡器、混频器和中频放大器。电路均采用GaAs全离子注入平面工艺创作，并封装在金属管壳内测试．10．7－11．6GHz接收机的噪声系数达到3．5dB，增益大于35dB；11．7－12.2GHz接收机的噪声系数可达到4dB，增益大于31dB。     

双芯片GaAs单片集成Ku波段锁相环微波合成器

为了获得一种体积小、重量很轻的微波合成器,已研制了两种新型多功能单片GaAs MMIC和LSI。MMIC(单片微波集成电路)包括压控振荡器、双输出缓冲放大器、平衡一不平衡变换器和动态/静态预定标器。为了把这些功能集成在一个单片上,利用一种单面MMIC结构,就使每个电路的尺寸大大减小。LSI(大规模集成电路)包括双模预定标器、可编程计数器和相位/频率比较器。通过将这两个单片并入到一个结构上,一种Ku波段微波合成器便成功地制造在一个11×23mm~2的平面封装内。