IGBT平面高压终端结构的研究

耐压是IGBT的一个重要参数，所以其高压终端结构的研究一直受到人们的重视。针对常规采用的场限制保护环法和场板法高压终端结构的缺陷，本文提出了场板混合终端结构。此结构结合了场限制环和场板的各自优点，可使得击穿电压对环间距、氧化层厚度及氧化层电荷的敏感程度大大降低，从而简化了工艺的复杂性，并可获得最佳的耐压效果。本文首先对场板混合终端结构的优化设计进行了解析研究，提出了一套完整的设计理论，然后通过实验验证了此理论的正确性。     

高压大功率VDMOSFET终端技术的研究

对实现ＶＤＭＯＳＦＥＴ高耐压水平的场限环结合场板的结终端技术进行了研究。分析了表面电荷密度对耐压水平和优化环间距的影响。计算结果与文献中的数值模拟结果相符合。     

高压IGBT芯片换流运行的热稳定性分析

为保证高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)器件换流运行时的热稳定性,需要根据IGBT芯片的电热特性和器件的散热设计,确定芯片运行的热稳定工作区,从而指导器件的运行条件控制。虽然针对芯片动静态损耗的热稳定性分析已经发展了许多年,但目前针对高压芯片的相关研究还较少。首先,通过实验测量了3.3 kV非穿通(Non-Punch Through, NPT)型和场截止(Field Stop, FS)型IGBT芯片的动静态特性,获得并分析了温度、电流及电压对动静态损耗特性的影响规律。在此基础上,给出了IGBT芯片的损耗拟合公式,通过对器件内部的热反馈过程进行分析,提出了具有解析形式且包含占空比、换流频率及电压电流等器件运行工况的IGBT芯片的热稳定性判据。根据所提的判据,分析了高压NPT型和FS型IGBT芯片的换流运行的热稳定性,可方便确定IGBT芯片在不同的换流条件下的最大工作频率和最大工作电流,简化了高压IGBT芯片的热稳定性分析,并可为高压器件的选型和损耗评估提供依据。     

高压功率器件特性的数值分析

在求解高压功率(HV/P)器件的泊松方程与连续性方程中,将与注入和掺杂有关的因子引入物理参数模型。针对HV/P器件分析程序特有的收敛与溢出问题,采用从低电压到高电压的分段解法和归一化的模拟方法。利用此程序对HV/P器件具有场限环和场板结构的特性进行了模拟。     

提高雪崩击穿电压新技术——深阱终端结构

研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理,模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明,带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的90%。同时,深阱终端结构在不减小散热面积的情况下,还大大减小了结面积,减小了漏电流,有助于改善器件的频率特性,提高器件的稳定性。     

一种三电平高压变频器IGBT驱动电路的实现

三电平高压变频器对绝缘门极双极性晶体管（IGBT）驱动电路有特殊的要求，比如：高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求，采用美国UNITRODE公司生产的UC3726／3727驱动IGBT芯片对，两芯片可组合使用，从而可以达到理想的驱动效果。测试结果表明了该方法的可行性。     

工程测量平面混合控制网的优化设计研究

在Ｗｉｎｄｏｗｓ操作系统平台上，将Ｆｏｘｐｏｒ２．５ｆｏｒＷｉｎｄｏｗｓ和ＴｕｒｂｏＣ语言有机的结合起来，对工程测量平面混合控制网的工和优化设计进行研究，从中分析了混合网中某些特定网形的点位精度及变化规律，提出了工程测量平面混合控制网的整体平差方法、优化设计方法、布网原则和技术要求并附有实例分析。     

IGBT驱动保护电路的研究

介绍了 IGBT驱动集成电路的过流保护原理 ,讨论了 IGBT保护电路的设计思路 ,同时 ,对几种 IGBT驱动集成电路的性能进行了比较     

平面应力问题的结构拓扑优化

研究了结构拓扑优化设计问题,研究对象是二维平面结构。利用线弹性总理２的进化方法（ＥＳＯ）,针对结构拓扑优化设计所需单元网络密度较大,且优化过程需反复组建刚度矩阵的特点,提出了利用虚拟层合单元进行拓扑优化的方法。数值算例表明,此法简单有效,能够用于结构拓扑优化设计。     

高压断路器断流容量校验诌议

文章分析了高压断路器断流能力的校验条件,通过对常用校验方法比较,提出了取消校验断路器断流容量的建议。     

Analysis of cutting-edge techniques in the high voltage and high power adjustable speed drive systems

The high voltage and high power adjustable speed drive (ASD) system is one of the most attractive fields in power electronics, and it is also a very crucial technique for energy saving and emission reduction. This paper discussed and analyzed the main cutting-edge knowledge and issues in the process of exploiting the high voltage and high power ASD system.     

高压输电线路工频过电压机理分析

对产生高压输电线路过电压的原因之一——工频过电压进行了详细的分析.利用长输电线路模型,分别对单端电源与长线相连的工频过电压、不对称短路引起的工频过电压和双端电源与长线相连的工频过电压的产生机理作了分析,并提出了相应的抑制措施.     

高压输电线路工频过电压机理分析

对产生高压输电线路过电压的原因之一——工频过电压进行了详细的分析.利用长输电线路模型，分别对单端电源与长线相连的工频过电压、不对称短路引起的工频过电压和双端电源与长线相连的工频过电压的产生机理作了分析，并提出了相应的抑制措施.     

高压电能表在反窃电领域的应用

文章分析10kV配网系统电能计量的特点,容易发生窃电的根源在于计量是在二次侧完成,而目前的反窃电措施都是治标不治本,收效甚微。10kV高压电能表突破传统计量装置,采用高压侧直接计量技术,电能的计量、数据的存储皆在高压完成,从源头上消除了窃电的可能性。     

An IGBT Model Based on Study of Nonlinear Capacitances

somNWiththefastdeveloPmentofthepowrelecbonictechnology,Inannewpowrsedriconductordeviceshadbeendevelopedandused.Inthesedevices,IGBT(Insu-latedGateBiPOlarTamsistor)isanewpowrdevicede-signedtoovercomethelowtum-onresistanceandthehighon-stateloosofthepowrMOSm.Inaddition,theIG-BThastheadvantagesofbothpowrMOSFcrandthepowerbipolartIanSistor.So,IGThhavebeenwidelyac-ceptedbycireuitdesignersasanaltemativetopowertran-sistorsandDarlingtontransistorsinavchetyofpowercon-verterandmotOrdriveaPplic…     

550 kV超高压SF6断路器喷口研究

开断与关合性能是高压断路器的最基本性能，也是最为重要的研究内容.断路器喷口对开断与关合性能影响很大，喷口是决定特高压断路器开断性能的关键部件，也是特高压断路器设计的核心.以550 kV SF₆断路器为研究对象，对超高压断路器喷口制造工艺进行深入研究，实现超高压断路器用喷口的制造.     

基于HL402的IGBT高频逆变焊机的可行性研究

根据逆变焊机中ＩＧＢＴ对其驱动器的具体要求，对ＨＬ４０２用于驱动逆变管ＩＧＢＴ进行了全面的可行性分析，分析结论是可行的。     

一种适用于高压变频器的光纤电流检测系统

高电压大功率变频器中，功率器件引起的强电磁干扰环境以及绝缘的问题始终是变频器研究中影响测量信号准确性、器件运行安全性的一个问题.鉴于光纤传感可以解决上述问题，基于偏振态调制的光纤电流传感器原理，研究一种适用于高压变频器的小巧的，基于法拉第磁光效应的高圆双折射光纤电流检测系统，用Jones矩阵对光纤系统进行分析.通过线性度、实时测量等具体实验，验证研制的高圆双折射光纤电流检测系统能够满足高压变频器对电流检测的需要.