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为了研究基片的表面状态对金刚石成核密度的影响,采用了抛光清洁的基片、对样品划痕、基片加热脱附等不同的表面处理方法,对样品表面进行预处理,得到了不同表面处理条件下的金刚石成核密度。尝试了在低真空(10-1Pa量级)条件下,去除表面的氧化硅及吸附活性的含碳原子,以提高金刚石的成被密度,得到了较理想的结果,成核密度为109/cm2。 相似文献
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CVD法生长金刚石薄膜中基片表面形貌对成核密度的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
本文首次提出用分形理论研究CVD方法生长金刚石薄膜中基片表面形貌对成核密度的影响,发现:成核密度n与基片表面分形维数D之间存在一定关系;在D介于2~3时,n有峰值存存。 相似文献
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通过用电化学法预先沉积一层碳膜的方法,利用热丝化学汽相沉积法使金刚石顺光滑硅片上的成核密度达到10^7cm^-2左右,与未镀碳膜相比提高了近3个数量级。文中还分析了可能的原因。 相似文献
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基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。 相似文献
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在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。 相似文献
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利用调节基底表面碳流量的方法促进了丝CVD中硬质合金YG8上金刚石薄膜的成核,使成核期大为缩短,根据扫描电镜和拉曼光谱对沉积结果的分析,研究了YG8上金刚石薄膜成核的机理。 相似文献
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利用调节基底表面碳流量的方法促进了热丝CVD中硬质合金YG8上金刚石薄膜的成核,使成核期大为缩短,根据扫描电镜和拉曼光谱对沉积结果的分析,研究了YG8上金刚石薄膜成核的机理。 相似文献
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CVD生长金刚石薄膜衬底负偏压增强成核效应 总被引:1,自引:0,他引:1
基于已经得到的实验结果的分析,本文较详细地讨论了低压化学气相沉积(CVD)金刚石薄膜过程中,衬底负偏压对金刚石成核的增强效应,明确阐述了负偏压增强成核的作用机理,并且讨论了这种效应作为提高金刚石在非金刚石衬底表面成核密度的一种方法所具有的优点以及存在的不足。 相似文献
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CVD金刚石成核的最新研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了化学气相条件下金刚石在非均匀研磨硅基底表面及镜面基底和均匀研磨基底边缘及角域处的成核行为。发现CVD金刚石成核不仅依赖于沉积区缺陷,更主要由缺陷的锐度决定,即缺陷加强CVD金刚石成核的锐度效应。在对无序碳上CVD金刚石成核研究的基础上,讨论了CVD金刚石成核的机理,并由此阐明了各种表面预处理及负偏压等增强CVD金刚石成核的微观过程。 相似文献
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MPCVD法在氧化铝陶瓷上的金刚石膜沉积及其成核分析 总被引:7,自引:0,他引:7
用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在氧化铝陶瓷基片上沉积了金刚石薄膜。实验表明,对基片进行适当的预处理,包括用金刚石研磨膏仔细研磨和沉积前原位沉积一层无定形碳层,可显著提高成核密度;对硅衬底和氧化铝基片上金刚石膜的成核过程进行了对比分析,并提出了提高氧化铝基片上沉积金刚石的成核的措施。 相似文献
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CVD金则石薄膜的成核机理研究 总被引:2,自引:0,他引:2
利用热丝化学气相沉积,在预觉 无定形碳的硅镜面基底及表面研磨预处理的铜基底上,实现了金刚石膜的沉积,并由此讨论了金刚石的成核机理。研究表明,无定形碳是金刚石成核的前驱态;成核密度不仅与基底材料有关,更主要由基底的表面状态决定,基底表面状态的设计进改善成核密度的最有效的方法。 相似文献
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利用化学气相沉积技术在预沉积的SP^2乱层碳上实现了金铡石薄膜的成核和生长,分析研究了成核的特征和机制。 相似文献
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利用自行研制的石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置,研究了硅基片的不同预处理方式对沉积结果的影响。通过扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,基片预处理能提高形核密度;用于预处理的金刚石研磨膏的粒度不同,影响金刚石薄膜沉积时的形核密度,晶形和薄膜的质量;表面划痕对沉积金刚石薄膜的影响具有双重性。 相似文献