电子轰击下Ag_(1-β)(TCNQ)薄膜的相变

在类似于光导摄像管的真空器件中，用Ag1－β（TCNQ）薄膜置换光敏靶，原则上可以做成用电子束写入和读出的高密度存贮器，它的寻址可以用磁偏转或静电偏转系统。本文用实验方法确定了电子束的写入条件，进一步证明这种设想的合理性和可行性。     

Ag—TCNQ薄膜电双稳态特性的XPS研究

本采用X光电子谱仪(XPS)研究了Ag-TCNQ薄膜的电双稳态特性。对TCNQ粉末、热处理前后的TCNQ薄膜及Ag-TCNQ薄膜作了分析。结果发现，真空蒸镀及大气环境中热处理不会引起TCNQ化学状态的变化，而热处理会促使Ag与TCNQ发生反应，薄膜电双稳态特性的优劣则与反应程度有关。最后讨论了这一现象的可能机理。     

纳米晶粒Ag—TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性

以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜，在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为40nm左右，粗糙度也为纳米量级，同时在大气及室温条件下，在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态作用点的直径为为70nm.     

纳米尺度的Ag（TCNQ）薄膜的电特性

研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ）在STM针尖下的电特性，观察在纳米尺度下Ag(TCNQ）从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象，阻态间的跃迁可以重复进行，其阈值电压比交叉电极“三明治”结构的情况要低得多。另外，研究了Ag(TCNQ）电存储特性，包括写入，读出和擦除特性，结果表明Ag(TCNQ）可以作为超高密度的随机存储器的材料。     

基于Ag（TCNQ）热透镜效应的全光型开关

Ａｇ（ＴＣＮＱ）是一种电荷转移型金属有机络合物,用真空蒸发与真空热压相结合的方法使它分散到ＰＭＭＡ,ＰＨＰＭＡ,ＰＣ等高分子树脂中,制成了不含任何有机溶剂的透明光学薄膜,并证实了它具有光热透镜效应。     

真空蒸发沉积聚苯胺—TCNQ复合薄膜的STM研究

利用扫描隧道显微镜对真空蒸发沉积的聚苯胺－ＴＣＮＱ（ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ）复合薄膜、纯聚苯胺薄膜及纯ＴＣＮＱ薄膜试样进行了对比分析。研究发现,纯ＰＡＮＩ薄膜和纯ＴＣＮＱ薄膜都是绝缘膜,而用ＴＣＮＱ挽杂获得具有较高导电特性的ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ复合薄膜。而且与表面粗糙不连续的ＰＡＮＩ薄膜和ＴＣＮＱ薄膜相比,ＰＡＮＩ－ＴＣＮＱ复合薄膜易形成较大面积的表面结构完善的连续膜。傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）分析     

K（TCNQ）薄膜的制备及其电双稳特性

在真空环境下，首次利用固态化学置换反应制备了K（TCNQ）薄膜，其分子结构与已报道过的K（TCNQ）单晶、多晶相同。但不同的是，在300K以上，K（TCNQ）薄膜具有可逆的双稳特性。因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景。     

Met.（Cu,Ag）TCNQ有机功能薄膜

简要回顾了对Met.—TCNQ薄膜研究的历史。归纳出形成Met.—TCNQ薄膜的四类方法,即溶液生长法、真空沉积法、电化学法和粉末法。总结了Met.—TCNQ薄膜所具有的重要的光、电特性,以及目前对这类薄膜的功能性研究的现状。对今后的主要工作方向也略作讨论。     

Ag—MgF2金属陶瓷薄膜氧化的XPS研究

报道了对Ａｇ－ＭｇＦ２金属陶瓷薄膜在具空中退火时氧化现象的ＸＰＳ分析结果。在低真空中（ｐ〈３０ｐａ）,当退火温度为８００℃时,ＭｇＩｓ光电子结合能为１３０５．４０ｅＶ,属于ＭｇＦ２结构,当退火温度达到１１００℃时,Ｍｇ１ｓ光电子结合能国１３０３．７５ｅＶ,属于ＭｇＯ结构。从Ａｇ－ＭｇＦ２体系转变为Ａｇ－ＭｇＯ体系Ｍｇ１ｓ光电子结合能向低能一侧位移了１．６５ｅＶ。     

Ag—MgF2金属陶瓷薄膜的制备及其微观结构研究

用真空双蒸发源交替蒸发法和单蒸发源混合瞬时蒸发法制备了Ａｇ－ＭｇＦ２金属陶瓷薄膜。透射电镜，电子衍射，Ｘ射线衍射以及Ｘ射线光电子能谱分析结果表明，薄膜由晶态超微粒Ａｇ镶嵌于主要为非晶态的ＭｇＦ２中构成。Ａｇ－ＭｇＦ２形成的金属陶瓷复合晶体结构所对应的主要谱峰为ｄ＝０．２６１０－２，０．２３５４０，０．２０３９３ｎｍ。     

SnO2和SnO2—Ag薄膜的电学特性

用磁控溅射法在集成了铂加热电极的Si基膜片型微结构单元上制备了SnO2和SnO2-Ag敏感薄膜。用温度调制方式和锯齿波加热方式研究了薄膜的电学特性，讨论了银催化、温度及氧分压对SnO2电学特性的影响。从温度调制方式下测得的电阻-温度曲线可以区分由热激发过程和由表面反应过程引起的膜电阻变化。这种方法为研究气敏薄膜表面反应过程和气敏响应机理开辟了新的途径。     

Ag—MgF2纳米金属陶瓷薄膜的光吸收特性

测量了真空热蒸发沉积法制备的Ag-MgF2纳米金属陶瓷薄膜在近紫外到可见光区的吸收光谱、光学常数和介电函数，观察到在427nm处有明显的表面等离子激元共振吸收峰。消光系数与介电函数的虚部谱形类似。讨论了共振吸收峰位置与金属微粒尺寸的关系。     

Ag—BaO纳米复合薄膜在红外超短激光脉冲作用下的内场助…

Ａｇ－ＢａＯ薄膜是一种新型光电发射薄膜材料。制备出ＩＴＯ／Ａｇ－ＢａＯ／ＡＵ三明治电极结构,在红外超短激光脉冲（ｈｖ＝１．１７ｅＶ）作用下,借助内场辅助方法,使得Ａｇ－ＢａＯ薄膜的光电发射量子效率提高了一个数量级,由钠场时的１０＾－７量级提高到内场偏压为１０Ｖ时遥２．２×１０＾－６量级;样品的阈值光强由６０ＫＷ／ｃｍ＾２降为４０ＫＷ／ｃｍ＾２,约降低了３０％。这些结果表明：内场辅助方法确实是降低Ａ     

热处理对Ag—Cu—Zn（-Sn）系925银合金力学性能和显微组织的影响

采用氩气保护水冷铜坩埚非自耗电极电弧熔炼制备了5种Ag-Cu-Zn（-Sn）系925银合金，并系统研究了热处理工艺对其力学性能和显微组织的影响。结果表明：含适量Zn、或Zn和Sn的925银合金，经700℃固溶0．5h后，硬度显著高于925Ag75Cu合金，且显微组织中出现大量退火孪晶；在200～250℃温度区间时效，硬度明显提高，且显微组织中出现浮凸状组织。     

Ag—BaO光电发射薄膜表面结构的STM研究

利用真空沉积方法制备了Ag-BaO光电发射薄膜，第一次用扫描隧道显微镜（STM）研究了Ag-BaO薄膜的表面结构，得到了高分辨的表面形貌像，介绍了Ag-BaO薄膜微区表面复杂的形态结构，并将测量结果和Ag-BaO薄膜的TEM像作了比较，分析了这些结构对光电发射的影响。     

a—C：H（N）薄膜的慢正电子分析

采用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２的混合气体在单晶Ｓｉ衬底上用射频－直流等离子化学气相沉积法制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用Ｆｏｕｒｉｅｒ红外谱研究了ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的结构。用慢正电子湮没技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布以及Ｎ的百分含量对薄膜中缺陷浓度和缺陷类型的影响。Ｆｏｕｒｉｅｒ红外测试结果表明,ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜中氮含量随混合气体中Ｎ２百分含量的升高而增大,薄膜中碳氮原子形成Ｃ≡Ｎ键。慢正电子分析表     

M_(1—β)(TCNQ):用于可擦式高密度存贮器的信息薄膜材料

利用我们自己开发的新型分子电子材料的光致变色性能可制成可擦写的光盘,它的特点是可用任意波长的激光写入,用热、电或光擦除。已经做到Ag_(1-β)(TCNQ)的写擦循环次数N>1000,反差系数K>50%。利用它的电开关性能则预计可在cm~2的基片上用“5μm平面工艺”制成两种1兆位(MB)存贮器。第一种称为“金属有机存贮器(OMM)”,是全固态的电擦除可编程只读存贮器(E~2 PROM),可做在硅片上并与硅器件兼容;另一种称为“可擦式存取存贮管(EAST)”,是一个特殊的电子管,可用作随机存取存贮器(RAM),用电子束进行信息的写入、读出、擦除。这两种存贮器的存贮密度都可接近于光盘存贮器而存取时间相当于半导体存贮器。它们都不用半导体单晶,没有p-n结;器件面积小、工艺简单。可以认为是分子电子学方面真正有实用价值的一些工作的开端。     

“冷”“热”沉积的Ag—BaO薄膜在红外超短脉冲激光作用下光电发…

“冷”、“热”沉积不同制备方式得到Ａｇ－ＢａＯ薄膜的光电发射性能显示出不同的特点。在０．５３μｍ超短光脉冲作用下，这两种薄膜的光电发射没有显著差别：在１．０６μｍ超短红外光脉冲作用一的光电发射却表现出较大的差异。