二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用

介绍了二次离子发射的局部热平衡（LTE）模型的发展过程及其在GaAs样品SIMS定量分析中的应用，并尝试了用GaAs基体元素作内标的定量分析方法，取得了较好的结果。     

注氧条件下GaAs中Ga~ 二次离子发射的研究

在有与没有Ar 同时轰击的条件下，研究了GaAs中Ga 2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga 二次离子产额增强效应进行了实验研究，同时测量了氧分压强对Ga 二次离子能量分布的影响。实验结果表明：注氧后Ga 二次离子能量分布变窄且最可见能量向低能端移动2～3eV，说明氧对低能Ga 二次离子的增强作用更强，这可以用断键模型来解释。     

GaAs二次离子发射的氧和铯效应

在二次离子质谱学中，氧和铯效应是影响二次离子发射最重要和复杂的现象。概括地总结了自９０年代以来对ＧａＡｓ二次离子发射氧和铯效应基础研究的主要成果。在准静态条件下，解决了用惰性气体Ａｒ＾＋源注氧研究复杂ＧａＡｓ基体上二次离子发射氧效应的主要困难，得到了表面注氧和覆铯使ＧａＡｓ二次离子产额和能量分布变化的实验规律，用ＴＯＦ－ＳＩＭＳ研究了砷化镓中ＭＣｓ＾＋ ＭＣｓ２＾＋等原子团离子的发射特性，对其发射     

覆氧条件下砷化镓表面二次离子发射机理的研究

研究了高真空分析室中砷化镓表面覆氧对二次离子产额的影响。通过 X 射线光电子谱(XPS)、二次离子质谱(SIMS)、俄歇电子谱(AES)研究比较了室温下长期暴露大气的砷化镓、高真空分析室中充氧后砷化镓表面以及离子轰击条件下砷化镓表面上氧的化学状态。并对覆氧对二次离子产额的作用机理进行了探讨。     

砷化镓的二次离子质谱定量分析方法

化合物半导体由于其复杂的基体效应,给表面定量分析带来了很大困难。如何提高分析精度,对痕量元素作出定量分析,是定量分析的一个难点。近年来,随着半导体集成电路工业的发展和表面分析技术的进一步提高,出现了一些适用于砷化镓及其它半导体材料二次离子质谱定量分析的新方法。这里简要介绍了它们的特点、分析计算步骤和分析精度。根据不同情况,有选择地运用这些方法,可对砷化镓材料的背景杂质浓度及掺杂元素分布进行定量分析,可获得较好的精度,从而实现对材料制备和器件制作等工艺过程的监控。     

GaAs中Si的二次离子质谱定量分析

评述砷化镓中硅SIMS定量分析的进展，讨论了相对灵敏度因子法。对此种GaAs的原始参考物质，用实验确认了其可靠性。为常规定量分析研制了二次参考物质。对一些关键实验因素，如样品装载、仪器参数以及离子选择等进行了仔细研究，并评价它们对定量重复性、精确性、检测限和基体效应的影响。Cs 源入射时GaAs中Si定量分析精度在15％内；检测AsSi二次离子时，29Si的检测限达5×1014atoms／cm3。     

功能化离子液体在锂二次离子电池中的应用

离子液体由于具有热稳定性好、电导率高、质材料在不同电池体系中的应用成为当前研究的热点。面的阐述,并对其应用前景进行了展望。电化学窗口宽、不挥发、不燃烧等特点,其作为新一代功能化电解本文对功能化的离子液体在电池体系中的最新研究进展作了较为全     

二次离子质谱分析

一、引言 二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry)是一种用于分析固体材料表面组分和杂质的分析手段。通过一次离子溅射,SIMS可以对样品进行质谱分析、深度剖析或成二次离子像。SIMS具有很高的元素检测灵敏度以及在表面和纵深两个方向上的高空间分辨本领,所以其应用范围也相当广泛,涉及化学、生物学和物理学等基础研究领域及微电子、催化、新材     

二次离子质谱在HL—1M聚变装置中的应用

将ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪改成研究第一壁材料及其涂层，新材料性能的重要实验设备。在ＨＬ－１Ｍ装置设计，安装和物理实验过程中，我们用该设备对ＨＬ－１Ｍ装置真空室用ＡＩＳＩ３０４Ｌ不锈钢，第一壁用ＳＭＦ－８００石墨材料及ＨＬ－１Ｍ装置原位硼化，硅化涂层和ＳｉＣ等涂层材料的真空热解释性能，吸氧性能和化学溅射性能以进行了实验研究，并对装置主轴气扁管内壁的清洁度进行了监测。实验证明了原位硼化，硅化和锂     

Ge／Pd／n—GaAs低阻欧姆接触的SIMS分析

采用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火在ｎ－ＧａＡｓ上形成了低阻欧姆接触，利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用Ｘ＾＋和ＧｓＸ＾＋信号检测的Ｇｅ，Ｐｄ，Ｇａ和Ａｓ的深度分布。结果表明采用ＣｓＸ＾＋可以提供更准确的结果和成分信息。     

二次离子质谱法（SIMS）在生物医学上的应用

一、引言由Ｒ .Ｃａｓｔａｉｎｇ和Ｇ .Ｓｌｏｄｚｉａｎ在 1 962年提出的一种新的微分析方法———二次离子质谱法 (ＳＩＭＳ)在现代科学的许多领域已有不少应用。随着仪器的逐步改进 ,此方法也开始用于一些生物组织的研究[1]。据发现 ,此方法为生物研究提供了许多新的可能。二次离子质谱法之所以为各国所重视 ,主要是因为它具有下列优点 :1 )灵敏度高 ,相对灵敏度为 1 0 - 6 ～ 1 0 - 9(原子比 ) ,绝对灵敏度为 1 0 - 15 ～ 1 0 - 19;2 )可进行全元素分析 (即周期表上的元素均能分析 ) ;3)空间分辨本领可达 1微米。深度分辨本领为50～ 1 0…     

二次离子质谱学的新进展

简要回顾了二次离子质谱学的形成和发展,从原始概念出发概括分析了学科的特点,据此评述了其领域的拓宽和现状。结合近5年来国内外的最新进展,以微电子学和光电子学为重点,兼顾生物和医学、地质和天体学科、纳米科技和环境监测等领域,讨论了其前沿在世纪之交对SIMS提出的挑战,介绍了定量分析和仪器的发展现状。有重点地结合一些实例,包括我国的一些实例展开了讨论。     

新竹清华大学二次离子质谱技术的研发和应用

新竹清华大学位于台北市南方７０公里处，紧邻台湾矽半导体工业集中地之新竹科学工业园区。１９９１年新竹清华大学购入一台Ｃａｍｅｃａ ＩＭＳ－４ｆ二次离子质谱仪，为台湾地区第一部开放供学术研究和工业服务用之二次离子质谱仪。本论文报道如何建立二次离子质谱分析技术以符合各种不同的需求，包括人员训练、标准品制备、研发分析方法和仪器维修。应用二次离子质谱分析技术于基础和应用研究，强调群队合作推广二次离子质谱分析     

二次离子质谱仪离子枪溅射速率的能量依赖关系

本文给出了ＭＩＱ－１５６型ＳＩＭＳ仪器中离子枪溅射速率和一次束能量及扫描档次的数学表达式，并且通过实验测量加以证实；同时还得到了一次束直径和束流强度的线性关系，为ＳＩＭＳ实验参数选择提供了有力依据。     

TOF-SIMS二次离子光学系统仿真研究

为实现飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS)对二次离子束的提取并提高仪器的调试效率,采用离子光学仿真软件SIMION 8.0对TOF-SIMS二次离子光学系统进行仿真。以稳定同位素铜离子为对象,通过仿真,研究二次离子光学系统中二次离子提取系统透镜电极电压的调整对质量分辨率的影响,确定最佳透镜电极电压组合,并得到稳定同位素铜离子的仿真谱图。仿真研究表明:当初级提取电极电压为800 V、单透镜有效电极电压为-4 400 V时,质量分辨率最高。在TOF-SIMS实验平台上对铜样品靶进行实验测试,实验与仿真结果相吻合,表明设计的二次离子光学系统可用于TOF-SIMS仪器的二次离子束提取,为实验参数的选择提供参考,从而提高仪器调试效率。