有效延长便携式设备电池寿命的微型逻辑

74AUPIG系列逻辑器件采用3V的-先进超低功率CMOS（互补式金属氧化物半导体）制程,其引脚与业界的标准器件兼容,还提供超薄的微型DFN封装。     

DiodeS微型逻辑有效延长便携式设备电池寿命

日前,Diodes公司（DiodesIncorporated）推出单门逻辑器件系列,有助于各种便携式消费电子产品节省用电及空间,包括手机、电子书阅读器与平板电脑。74AUP1G系列逻辑器件采用3V的先进超低功率CMOS（互补式金属氧化物半导体）制程,其引脚与业界的标准器件兼容,还提供超薄的微型DFN封装。     

离子注入MOS有效少子产生寿命空间分布的确定

本文讨论了深耗尽MOS电容器的少子产生机构,提出测量有效少子产生寿命空间分布的方法。对低剂量注B的样品进行了测量,结果表明注入层比体内的有效少子产生寿命低,从Si-SiO_2界面到体内,有效少子产生寿命逐渐增大,最后到达注入离子没有穿透的体区,保持一常数。     

封离型长寿命CO2激光器的研制

本文从内部机理出发，分析了影响封离型CO2激光器寿命的主要因素，指出器件寿命终止的关键是腔内CO2的离解和有害物质的生成。叙述了降低CO2净离解速率的各种方案和实验结果。     

加速老化试验寿命延长的电磁线

我们开发了一种耐电晕性获改善的新电磁线，并且通过与常规聚酰亚胺绝缘的电磁线的比较，对它们的电气性能进行了评估。作为结果，我们发现，这种新式耐电晕电磁线，在高压，高频和高温的加速交流老化试验中，寿命获得改善。     

声表面波滤波器寿命分布研究

针对声表面波器件产品的失效分布、产品特性参数随时间的变化等因素,造成难以准确预测器件在特定条件下的产品可靠性的问题,该文以声表面波滤波器（SAWF）为基础,设计并搭建了器件寿命试验平台,借助该试验平台进行了两种型号SAWF的温度步进和功率步进寿命试验。通过寿命试验发现,SAWF在145 ℃附近产生频率变化的拐点,温度超过频率变化拐点时,插损严重变化;同时试验还发现中小功率信号对SAWF电性能无明显影响。     

PDLC膜的原子力显微镜形貌及电光特性

使用热致相分离法和聚合相分离法制备了五种ＰＤＬＣ膜。首次使用原子力显微镜获得敢ＰＤＬＣ膜的高分辨率显微图像，研究了四种以丙烯酸酯为载体的ＰＤＬＣ的电光特性曲线，并对具有不同聚合物载体的ＰＤＬＣ的电光特性进行了讨论。     

一种延长FU—113管子寿命的简单而有效的方法

维护大功率电子管和延长其使用寿命,对保障电视发射机稳定、安全、可靠地工作和节约资金都起着重要作用。本文重点从理论上分析了如何延长大功率管的寿命,以及怎样才能在实际电路中实施这一方案。     

ACTFEL器件加速寿命试验方法的讨论

就ACTFEL器件加速寿命试验采用的高频加速试验方法及加速因子的选择进行了探讨。认为:在每周期传输电荷保持一致的条件下,加速因子(β)等于高频相对于低频的倍数。     

白光LED将替代传统的白炽灯

发光二极管(LED：Light Emitting Diode)是一种以化合物半导体为材料、采用微电子工艺制成PN结发光的光电器件。它具有如下特点：(1)低工作电压(2—4V)，(2)高效率，(3)长寿命(可连连续工作几万小时)，(4)响应速快(零点几微秒)，(5)驱动电路简单等。经过30多年的发展，它的应用已从电脑、家电的电源指示灯发展到大面积显示屏、手机按键／屏幕背光源、汽车尾灯／刹车灯、交通信号灯、建筑物户外景观灯等，正在朝替代普通照明的荧光灯和白炽灯过渡。     

阶跃电压法确定产生寿命的计算公式

采用一个最近发展起来的产生区宽度模型，导出了描述阶跃电压作用下ＭＯＳ电容器的电容－时间瞬态特性方程，给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。     

高阻硅中深能级与少子寿命的研究

本文测量了ｎ型高阻硅在９种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化，以及两类不同电阻率的ｎ型高阻硅在７种不同辐照剂量的１ＭｅＶ高能电子辐照前后少子寿命的变化；测量了金掺杂和高能电子辐照在硅中引入的主要深能级；研究对比金掺杂和高能电子辐照对硅单晶性能的影响及其在提高电子器件开关速度方面的应用。     

延长手机电池寿命的6个窍门

也许只有吃过苦头的人，才会真真切切地感受到节约电池电量、延长使用寿命的重要性。希望如下几招能对您有用。