共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
铌和钽在腐蚀介质中比钼和钨更具塑性和耐蚀性.利用辉光放电可提高铌和钽的氮化能力,并控制氮化层的性能,强化外形复杂的零件,包括长管形零件的内表面和小直径(1mm~2mm)管形的深孔.因此俄罗斯专家对在钽合金和铌合金上获取的氮化层进行了研究.…… 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
7.
为了从湿法冶金生产钽、铌废液中回收Ta,先用石灰乳对生产废液进行前期处理,获得含7%~12%Ta的磷石灰渣,然后将其在HF-H2SO4-MIBK体系中萃取,得到钨杂质含量高的K2TaF7,最后采用重结晶法对K2TaF7进行提纯.结果表明,用HF+HNO3作溶剂,加热温度在90℃左右,固液比为1:14,重结晶提纯高钨K2TaF7,钨杂质含量达到10 μg·g-1,符合生产高比容钽粉用K2TaF7允许钨杂质含量要求. 相似文献
8.
采用发射光谱仪建立发射光谱法测定Ta-2.5W和Ta-10W中钨含量的方法。使用高纯氢氧化钽基体的纯钨标准溶液制作工作曲线,钨的分析线为209.475 nm,方法的线性范围为1.25%~15.00%,加标回收率在93.0%~99.0%之间,测定结果的RSD值(n=11)小于0.8%。 相似文献
9.
10.
目前,国内鲜有钨块包覆钽材的报道。于氩气气氛保护下在钨材表面等离子喷涂钽层,然后对其进行热等静压处理。采用扫描电镜观察涂层热等静压前后微观形貌,采用能谱仪测试其成分,采用X射线衍射仪测试其相结构,采用力学试验测试其力学性能。结果表明:等离子喷涂钽层与钨材界面处含有一定氧,且其分布不均匀,钽涂层由Ta和Ta6O组成;等离子喷涂钽层呈层状结构,经热等静压处理后,涂层内孔隙减小,致密度从91.2%提高到98.8%,涂层抗拉结合强度由19.4 MPa提高到22.5 MPa,硬度由517.8 HV提高到626.6 HV。 相似文献
11.
12.
13.
14.
采用钨坩埚进行电子束蒸镀金膜是微电子工艺制备电极常用工艺之一, 然而在使用钨坩埚蒸发金时会有微小的黑色颗粒出现在金膜的表面, 对微纳尺寸下金电极或引线的性能具有严重的影响。研究发现调整蒸镀功率和其他工艺条件, 黑色颗粒数目有明显变化, 随着功率的增加黑色颗粒数目先减少后增加。利用“咖啡环效应”原理, 将电子束蒸发功率先升高再降低, 既控制了蒸发速度, 又成功减少了金膜表面的黑色颗粒, 为教学实验、真空镀膜工艺和集成电路生产领域提供参考。 相似文献
15.
采用真空坩埚下降法在石墨坩埚中生长了大尺寸CaF2晶体.通过高温氟化获得无水高纯原料,自发成核发育籽晶,以<2mm/h的生长速率,成功生长了直径170mm的CaF2晶体.研究了晶体的顶部析晶形貌、包裹体、解理等生长缺陷. 相似文献
16.
《功能材料》2018,(12)
以NaCl-KCl为电解质体系,K_2TaF_7为原料,利用循环伏安法、计时电位法和计时电流法研究温度为1 073K时钽离子在钨电极上的电化学过程。结果表明,在1 073K温度下49%(质量分数)KCl-51%(质量分数)NaCl-5%(质量分数)K_2TaF_7的熔盐体系中,钽离子在钨电极上还原是一步转移5个电子反应,即Ta2++5e-→Ta相对于铂电极析出电位为-1.6V;钽离子在钨电极析出过程中出现成核极化现象,该电化学还原是准可逆反应。并且通过循环伏安和计时电流可判断钽离子在钨电极上的还原过程是受离子扩散步骤控制,1 073K时Ta~(5+)在49%(质量分数)KCl-51%(质量分数)NaCl-5%(质量分数)K_2TaF_7熔盐中的扩散系数D=7.48806×10-5 cm2/s。 相似文献
17.
18.
19.
钨及钨合金因熔点高、蒸气压低、热传导率高、耐蚀性及热冲击性良好而使其在高温环境下广泛应用.但形状复杂的零部件加工(如车削等)较困难.大的塑性变形不仅可使材料的拉伸强度升高、硬度增大,而且还可使其韧性提高.高压扭转是一种常用的获得细晶的大塑性变形法.高压扭转时,将φ6 mm×0.8 mm薄片状试样插入到2个互相挤压的砧台之间.因钨的屈服应力高达705~815 MPa,砧台采用较硬的Co-93WC制作.高压扭转变形温度恒定为400℃,试样经受近10 GPa的流体静压力.奥地利研究人员用此方法对纯钨、氧化镧弥散强化的钨合金(WL10)和掺钾的钨合金(WVM)进行高压扭转变形,随后进行室温断裂韧性试验,宽约100 μm、深约15 μm的预制裂纹是采用聚焦离子束切割的,预计缺口半径小于20 nm.3种钨合金的加工工艺分别为:φ23 mm的纯钨烧结棒轧制成φ9 mm的棒材;φ48 mm的WVM烧结棒先锻造至φ23 mm,随后轧制成φ14mm棒材;φ48 mm的WL10烧结棒也轧制成φ9 mm的棒材. 相似文献